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Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial Fórmula

IrVoltaje a través de la puerta a la fuente del MOSFET en el voltaje de entrada diferencial dado el voltaje de sobremarcha Fórmula

IrVoltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET dada la corriente de entrada Fórmula

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El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo. Marque FAQs

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

V_gs - Voltaje puerta-fuente?V_th - Voltaje de umbral?I_b - Corriente de polarización de CC?k'_n - Parámetro de transconductancia del proceso?WL - Relación de aspecto?

Ejemplo de Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial con Valores.

Así es como se ve la ecuación Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial con unidades.

Así es como se ve la ecuación Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial.

5.3628 = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 985}{2.1 \cdot 0.1}}

5.3628V = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 985mA}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

5.3628 = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 985}{2.1 \cdot 0.1}}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial

Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial?

Primer paso Considere la fórmula

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

V gs = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 985mA}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

Próximo paso Convertir unidades

∴

V gs = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 0.985A}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

V gs = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 0.985}{2.1 \cdot 0.1}}

Próximo paso Evaluar

∴

V gs = 5.36283404397829V

Último paso Respuesta de redondeo

∴

V gs = 5.3628V

Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial Fórmula Elementos

variables

Funciones

Voltaje puerta-fuente

El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.

Símbolo: V_gs

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje puerta-fuente

Voltaje de umbral

El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.

Símbolo: V_th

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje de umbral

Corriente de polarización de CC

La corriente de polarización de CC es la corriente constante que fluye a través de un circuito o dispositivo para establecer un determinado punto de operación o punto de polarización.

Símbolo: I_b

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de polarización de CC

Parámetro de transconductancia del proceso

El parámetro de transconductancia de proceso (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.

Símbolo: k'_n

Medición: Parámetro de transconductanciaUnidad: A/V²

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Parámetro de transconductancia del proceso

Relación de aspecto

La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente

Símbolo: WL

Medición: NAUnidad: Unitless

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Relación de aspecto

sqrt

Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.

Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas para encontrar Voltaje puerta-fuente

Ir Voltaje a través de la puerta a la fuente del MOSFET en el voltaje de entrada diferencial dado el voltaje de sobremarcha

V gs = V th + 1.4 \cdot V eff

Ir Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET dada la corriente de entrada

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

Otras fórmulas en la categoría Voltaje

Ir Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

Ir Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

Ir Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET dada la señal de modo común

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

Ir Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET dada la señal de modo común

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

¿Cómo evaluar Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial?

El evaluador de Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial usa Gate-Source Voltage = Voltaje de umbral+sqrt((2*Corriente de polarización de CC)/(Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto)) para evaluar Voltaje puerta-fuente, El voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en operación con la fórmula de voltaje de entrada diferencial se define como el voltaje que cae a través de la terminal de puerta-fuente del transistor. Esto significa que al conectar sus terminales a un circuito, normalmente conducirán la corriente a través del drenaje hacia la fuente, sin que se suministre voltaje a la base. Voltaje puerta-fuente se indica mediante el símbolo V_gs.

¿Cómo evaluar Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial, ingrese Voltaje de umbral (V_th), Corriente de polarización de CC (I_b), Parámetro de transconductancia del proceso (k'_n) & Relación de aspecto (WL) y presione el botón calcular.

FAQs en Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial

¿Cuál es la fórmula para encontrar Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial?

La fórmula de Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial se expresa como Gate-Source Voltage = Voltaje de umbral+sqrt((2*Corriente de polarización de CC)/(Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto)). Aquí hay un ejemplo: 5.362834 = 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1)).

¿Cómo calcular Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial?

Con Voltaje de umbral (V_th), Corriente de polarización de CC (I_b), Parámetro de transconductancia del proceso (k'_n) & Relación de aspecto (WL) podemos encontrar Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial usando la fórmula - Gate-Source Voltage = Voltaje de umbral+sqrt((2*Corriente de polarización de CC)/(Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto)). Esta fórmula también utiliza funciones Raíz cuadrada (sqrt).

¿Cuáles son las otras formas de calcular Voltaje puerta-fuente?

Estas son las diferentes formas de calcular Voltaje puerta-fuente-

Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+1.4*Effective Voltage
Gate-Source Voltage=Input Current/(Angular Frequency*(Source Gate Capacitance+Gate-Drain Capacitance))

¿Puede el Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial ser negativo?

No, el Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial, medido en Potencial eléctrico no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial?

Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial.

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: Unidad

Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial Fórmula

​IrVoltaje a través de la puerta a la fuente del MOSFET en el voltaje de entrada diferencial dado el voltaje de sobremarcha Fórmula

​IrVoltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET dada la corriente de entrada Fórmula

Ejemplo de Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial

Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial Solución

Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial Fórmula Elementos

Otras fórmulas para encontrar Voltaje puerta-fuente

Otras fórmulas en la categoría Voltaje

¿Cómo evaluar Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial?

FAQs en Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial

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IrVoltaje a través de la puerta a la fuente del MOSFET en el voltaje de entrada diferencial dado el voltaje de sobremarcha Fórmula

IrVoltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET dada la corriente de entrada Fórmula