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Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS Fórmula

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La velocidad de deriva de electrones se debe al campo eléctrico que, a su vez, hace que los electrones del canal se desplacen hacia el drenaje con una velocidad. Marque FAQs

v d = μ n \cdot E L

v_d - Velocidad de deriva de electrones?μ_n - Movilidad de los electrones en la superficie del canal?E_L - Campo eléctrico a lo largo del canal?

Ejemplo de Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS.

23.32 = 2.2 \cdot 10.6

23.32m/s = 2.2m²/V*s \cdot 10.6V

23.32 = 2.2 \cdot 10.6

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS?

Primer paso Considere la fórmula

v d = μ n \cdot E L

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

v d = 2.2m²/V*s \cdot 10.6V

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

v d = 2.2 \cdot 10.6

Último paso Evaluar

∴

v d = 23.32m/s

Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS Fórmula Elementos

variables

Velocidad de deriva de electrones

La velocidad de deriva de electrones se debe al campo eléctrico que, a su vez, hace que los electrones del canal se desplacen hacia el drenaje con una velocidad.

Símbolo: v_d

Medición: VelocidadUnidad: m/s

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Velocidad de deriva de electrones

Movilidad de los electrones en la superficie del canal

La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o conducir dentro de la capa superficial de un material cuando se someten a un campo eléctrico.

Símbolo: μ_n

Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Movilidad de los electrones en la superficie del canal

Campo eléctrico a lo largo del canal

El campo eléctrico a lo largo del canal es la fuerza por unidad de carga que experimenta una partícula a medida que se mueve a través del canal.

Símbolo: E_L

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Campo eléctrico a lo largo del canal

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Ir NMOS como resistencia lineal

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Ir Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Ir Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Ir Fuente de drenaje de entrada actual en la región de saturación de NMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V gs - V T)}^{2}

¿Cómo evaluar Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS?

El evaluador de Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS usa Electron Drift Velocity = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal para evaluar Velocidad de deriva de electrones, La velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS se debe al campo eléctrico que, a su vez, hace que los electrones del canal se desplacen hacia el drenaje con una velocidad. Velocidad de deriva de electrones se indica mediante el símbolo v_d.

¿Cómo evaluar Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS, ingrese Movilidad de los electrones en la superficie del canal (μ_n) & Campo eléctrico a lo largo del canal (E_L) y presione el botón calcular.

FAQs en Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS?

La fórmula de Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS se expresa como Electron Drift Velocity = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal. Aquí hay un ejemplo: 23.32 = 2.2*10.6.

¿Cómo calcular Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS?

Con Movilidad de los electrones en la superficie del canal (μ_n) & Campo eléctrico a lo largo del canal (E_L) podemos encontrar Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS usando la fórmula - Electron Drift Velocity = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal.

¿Puede el Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS ser negativo?

Sí, el Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS, medido en Velocidad poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS?

Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS generalmente se mide usando Metro por Segundo[m/s] para Velocidad. Metro por Minuto[m/s], Metro por hora[m/s], Kilómetro/Hora[m/s] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS.

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Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS Fórmula

Ejemplo de Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

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