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Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso Fórmula

IrTransconductancia del proceso dada la transconductancia y la corriente de drenaje Fórmula

IrTransconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso y el voltaje de sobremarcha Fórmula

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El parámetro de transconductancia de proceso (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor. Marque FAQs

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

k'_n - Parámetro de transconductancia del proceso?g_m - Transconductancia?WL - Relación de aspecto?V_gs - Voltaje puerta-fuente?V_th - Voltaje de umbral?

Ejemplo de Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso con Valores.

Así es como se ve la ecuación Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso con unidades.

Así es como se ve la ecuación Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso.

0.0156 = \frac{0.5}{0.1 \cdot (4 - 3.68)}

0.0156A/V² = \frac{0.5mS}{0.1 \cdot (4V - 3.68V)}

0.0156 = \frac{0.5}{0.1 \cdot (4 - 3.68)}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso

Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso?

Primer paso Considere la fórmula

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

k' n = \frac{0.5mS}{0.1 \cdot (4V - 3.68V)}

Próximo paso Convertir unidades

∴

k' n = \frac{0.0005S}{0.1 \cdot (4V - 3.68V)}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

k' n = \frac{0.0005}{0.1 \cdot (4 - 3.68)}

Próximo paso Evaluar

∴

k' n = 0.015625A/V²

Último paso Respuesta de redondeo

∴

k' n = 0.0156A/V²

Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso Fórmula Elementos

variables

Parámetro de transconductancia del proceso

El parámetro de transconductancia de proceso (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.

Símbolo: k'_n

Medición: Parámetro de transconductanciaUnidad: A/V²

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Parámetro de transconductancia del proceso

Transconductancia

La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.

Símbolo: g_m

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: mS

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Transconductancia

Relación de aspecto

La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente

Símbolo: WL

Medición: NAUnidad: Unitless

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Relación de aspecto

Voltaje puerta-fuente

El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.

Símbolo: V_gs

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje puerta-fuente

Voltaje de umbral

El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.

Símbolo: V_th

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje de umbral

Otras fórmulas para encontrar Parámetro de transconductancia del proceso

Ir Transconductancia del proceso dada la transconductancia y la corriente de drenaje

k' n = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot i d}

Ir Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso y el voltaje de sobremarcha

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

Otras fórmulas en la categoría Transconductancia

Ir Drenar corriente usando transconductancia

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

Ir Transconductancia dada corriente de drenaje

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

Ir Transconductancia dada Proceso Parámetro de transconductancia

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

Ir Transconductancia utilizando el parámetro de transconductancia del proceso y el voltaje de sobremarcha

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

¿Cómo evaluar Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso?

El evaluador de Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso usa Process Transconductance Parameter = Transconductancia/(Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)) para evaluar Parámetro de transconductancia del proceso, La transconductancia MOSFET que utiliza el parámetro de transconductancia de proceso es el cambio en la corriente de drenaje dividido por el pequeño cambio en el voltaje de puerta/fuente con un voltaje de drenaje/fuente constante. Parámetro de transconductancia del proceso se indica mediante el símbolo k'_n.

¿Cómo evaluar Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso, ingrese Transconductancia (g_m), Relación de aspecto (WL), Voltaje puerta-fuente (V_gs) & Voltaje de umbral (V_th) y presione el botón calcular.

FAQs en Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso

¿Cuál es la fórmula para encontrar Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso?

La fórmula de Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso se expresa como Process Transconductance Parameter = Transconductancia/(Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)). Aquí hay un ejemplo: 0.015625 = 0.0005/(0.1*(4-3.68)).

¿Cómo calcular Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso?

Con Transconductancia (g_m), Relación de aspecto (WL), Voltaje puerta-fuente (V_gs) & Voltaje de umbral (V_th) podemos encontrar Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso usando la fórmula - Process Transconductance Parameter = Transconductancia/(Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)).

¿Cuáles son las otras formas de calcular Parámetro de transconductancia del proceso?

Estas son las diferentes formas de calcular Parámetro de transconductancia del proceso-

Process Transconductance Parameter=Transconductance^2/(2*Aspect Ratio*Drain Current)
Process Transconductance Parameter=Transconductance/(Aspect Ratio*Overdrive Voltage)

¿Puede el Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso ser negativo?

Sí, el Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso, medido en Parámetro de transconductancia poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso?

Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso generalmente se mide usando Amperio por voltio cuadrado[A/V²] para Parámetro de transconductancia. Miliamperios por voltio cuadrado[A/V²], Microamperio por voltio cuadrado[A/V²] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso.

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Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso Fórmula

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