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Transconductancia MOSFET Fórmula

IrTransconductancia dada corriente de drenaje Fórmula

IrTransconductancia dada Proceso Parámetro de transconductancia Fórmula

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La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante. Marque FAQs

g m = \frac{ΔI d}{V gs}

g_m - Transconductancia?ΔI_d - Cambio en la corriente de drenaje?V_gs - Voltaje puerta-fuente?

Ejemplo de Transconductancia MOSFET

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Transconductancia MOSFET con Valores.

Así es como se ve la ecuación Transconductancia MOSFET con unidades.

Así es como se ve la ecuación Transconductancia MOSFET.

0.5 = \frac{2}{4}

0.5mS = \frac{2mA}{4V}

0.5 = \frac{2}{4}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Transconductancia MOSFET

Transconductancia MOSFET Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Transconductancia MOSFET?

Primer paso Considere la fórmula

g m = \frac{ΔI d}{V gs}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

g m = \frac{2mA}{4V}

Próximo paso Convertir unidades

∴

g m = \frac{0.002A}{4V}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

g m = \frac{0.002}{4}

Próximo paso Evaluar

∴

g m = 0.0005S

Último paso Convertir a unidad de salida

∴

g m = 0.5mS

Transconductancia MOSFET Fórmula Elementos

variables

Transconductancia

La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.

Símbolo: g_m

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: mS

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Transconductancia

Cambio en la corriente de drenaje

El cambio en la corriente de drenaje indica el cambio en la capacidad de conducción de corriente del chip de silicio; se puede utilizar como guía al comparar diferentes dispositivos.

Símbolo: ΔI_d

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Cambio en la corriente de drenaje

Voltaje puerta-fuente

El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.

Símbolo: V_gs

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje puerta-fuente

Otras fórmulas para encontrar Transconductancia

Ir Transconductancia dada corriente de drenaje

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

Ir Transconductancia dada Proceso Parámetro de transconductancia

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

Ir Transconductancia utilizando el parámetro de transconductancia del proceso y el voltaje de sobremarcha

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

Ir Transconductancia MOSFET dado el parámetro de transconductancia

g m = k n \cdot (V gs - V th)

Otras fórmulas en la categoría Transconductancia

Ir Drenar corriente usando transconductancia

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

Ir Transconductancia del proceso dada la transconductancia y la corriente de drenaje

k' n = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot i d}

Ir Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

Ir Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso y el voltaje de sobremarcha

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

¿Cómo evaluar Transconductancia MOSFET?

El evaluador de Transconductancia MOSFET usa Transconductance = Cambio en la corriente de drenaje/Voltaje puerta-fuente para evaluar Transconductancia, La transconductancia MOSFET es el cambio en la corriente de drenaje dividido por el pequeño cambio en el voltaje de puerta/fuente con un voltaje de drenaje/fuente constante. Transconductancia se indica mediante el símbolo g_m.

¿Cómo evaluar Transconductancia MOSFET usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Transconductancia MOSFET, ingrese Cambio en la corriente de drenaje (ΔI_d) & Voltaje puerta-fuente (V_gs) y presione el botón calcular.

FAQs en Transconductancia MOSFET

¿Cuál es la fórmula para encontrar Transconductancia MOSFET?

La fórmula de Transconductancia MOSFET se expresa como Transconductance = Cambio en la corriente de drenaje/Voltaje puerta-fuente. Aquí hay un ejemplo: 500 = 0.002/4.

¿Cómo calcular Transconductancia MOSFET?

Con Cambio en la corriente de drenaje (ΔI_d) & Voltaje puerta-fuente (V_gs) podemos encontrar Transconductancia MOSFET usando la fórmula - Transconductance = Cambio en la corriente de drenaje/Voltaje puerta-fuente.

¿Cuáles son las otras formas de calcular Transconductancia?

Estas son las diferentes formas de calcular Transconductancia-

Transconductance=sqrt(2*Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Drain Current)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Overdrive Voltage

¿Puede el Transconductancia MOSFET ser negativo?

Sí, el Transconductancia MOSFET, medido en Conductancia eléctrica poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Transconductancia MOSFET?

Transconductancia MOSFET generalmente se mide usando milisiemens[mS] para Conductancia eléctrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Transconductancia MOSFET.

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