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Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido Fórmula

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La transconductancia en MOSFET es un parámetro clave que describe la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de salida. Marque FAQs

g m = \sqrt{2 \cdot μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W t}{L t}) \cdot I d}

g_m - Transconductancia en MOSFET?μ_n - Movilidad electrónica?C_ox - Capacitancia de óxido?W_t - Ancho del transistor?L_t - Longitud del transistor?I_d - Corriente de drenaje?

Ejemplo de Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido con Valores.

Así es como se ve la ecuación Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido con unidades.

Así es como se ve la ecuación Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido.

2.2866 = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5}{3.2}) \cdot 0.013}

2.2866S = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5μm}{3.2μm}) \cdot 0.013A}

2.2866 = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5}{3.2}) \cdot 0.013}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido

Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido?

Primer paso Considere la fórmula

g m = \sqrt{2 \cdot μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W t}{L t}) \cdot I d}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5μm}{3.2μm}) \cdot 0.013A}

Próximo paso Convertir unidades

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5E-6m}{3.2E-6m}) \cdot 0.013A}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5E-6}{3.2E-6}) \cdot 0.013}

Próximo paso Evaluar

∴

g m = 2.28657768291392S

Último paso Respuesta de redondeo

∴

g m = 2.2866S

Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido Fórmula Elementos

variables

Funciones

Transconductancia en MOSFET

La transconductancia en MOSFET es un parámetro clave que describe la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de salida.

Símbolo: g_m

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: S

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Transconductancia en MOSFET

Open Variable

Movilidad electrónica

La movilidad electrónica describe la rapidez con la que los electrones pueden moverse a través del material en respuesta a un campo eléctrico.

Símbolo: μ_n

Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Movilidad electrónica

Open Variable

Capacitancia de óxido

La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.

Símbolo: C_ox

Medición: CapacidadUnidad: F

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitancia de óxido

Open Variable

Ancho del transistor

El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.

Símbolo: W_t

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Ancho del transistor

Open Variable

Longitud del transistor

La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.

Símbolo: L_t

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Longitud del transistor

Open Variable

Corriente de drenaje

La corriente de drenaje se refiere a la corriente que fluye entre los terminales de fuente y drenaje del transistor cuando está en funcionamiento.

Símbolo: I_d

Medición: Corriente eléctricaUnidad: A

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Open Variable

sqrt

Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.

Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas en la categoría Características del MOSFET

Ir Ganancia máxima de voltaje en el punto de polarización

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¿Cómo evaluar Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido?

El evaluador de Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido usa Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*(Ancho del transistor/Longitud del transistor)*Corriente de drenaje) para evaluar Transconductancia en MOSFET, La fórmula de transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido se define como un parámetro clave que describe la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de salida. Transconductancia en MOSFET se indica mediante el símbolo g_m.

¿Cómo evaluar Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido, ingrese Movilidad electrónica (μ_n), Capacitancia de óxido (C_ox), Ancho del transistor (W_t), Longitud del transistor (L_t) & Corriente de drenaje (I_d) y presione el botón calcular.

FAQs en Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido

¿Cuál es la fórmula para encontrar Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido?

La fórmula de Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido se expresa como Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*(Ancho del transistor/Longitud del transistor)*Corriente de drenaje). Aquí hay un ejemplo: 7.230794 = sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013).

¿Cómo calcular Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido?

Con Movilidad electrónica (μ_n), Capacitancia de óxido (C_ox), Ancho del transistor (W_t), Longitud del transistor (L_t) & Corriente de drenaje (I_d) podemos encontrar Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido usando la fórmula - Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*(Ancho del transistor/Longitud del transistor)*Corriente de drenaje). Esta fórmula también utiliza funciones Raíz cuadrada (sqrt).

¿Puede el Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido ser negativo?

Sí, el Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido, medido en Conductancia eléctrica poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido?

Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido generalmente se mide usando Siemens[S] para Conductancia eléctrica. Megasiemens[S], milisiemens[S], Mho[S] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido.

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