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La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de drenaje y el cambio en el voltaje de la fuente de la puerta, suponiendo un voltaje de la fuente de drenaje constante. Marque FAQs
gm=Go(1-Vi-VgVp)
gm - Transconductancia?Go - Conductancia de salida?Vi - Barrera potencial de diodo Schottky?Vg - Voltaje de puerta?Vp - Voltaje de pellizco?

Ejemplo de Transconductancia en la región de saturación

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Transconductancia en la región de saturación con Valores.

Así es como se ve la ecuación Transconductancia en la región de saturación con unidades.

Así es como se ve la ecuación Transconductancia en la región de saturación.

0.051Edit=0.174Edit(1-15.9Edit-9.62Edit12.56Edit)
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HomeIcon Hogar » Category Ingenieria » Category Electrónica » Category Teoría de microondas » fx Transconductancia en la región de saturación

Transconductancia en la región de saturación Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Transconductancia en la región de saturación?

Primer paso Considere la fórmula
gm=Go(1-Vi-VgVp)
Próximo paso Valores sustitutos de variables
gm=0.174S(1-15.9V-9.62V12.56V)
Próximo paso Prepárese para evaluar
gm=0.174(1-15.9-9.6212.56)
Próximo paso Evaluar
gm=0.0509634200735407S
Último paso Respuesta de redondeo
gm=0.051S

Transconductancia en la región de saturación Fórmula Elementos

variables
Funciones
Transconductancia
La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de drenaje y el cambio en el voltaje de la fuente de la puerta, suponiendo un voltaje de la fuente de drenaje constante.
Símbolo: gm
Medición: TransconductanciaUnidad: S
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Conductancia de salida
La conductancia de salida representa la conductancia de la fuente de drenaje de señal pequeña del MOSFET cuando el voltaje de la fuente de la puerta se mantiene constante.
Símbolo: Go
Medición: Conductancia eléctricaUnidad: S
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Barrera potencial de diodo Schottky
La barrera de potencial del diodo Schottky es la barrera de energía que existe en la interfaz entre un metal y un material semiconductor en un diodo Schottky.
Símbolo: Vi
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje de puerta
El voltaje de puerta se refiere al voltaje aplicado al terminal de control de un MESFET para regular su conductancia. El voltaje de puerta determina la cantidad de portadores de carga libres en el canal.
Símbolo: Vg
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje de pellizco
El voltaje de desactivación es el voltaje de compuerta al cual el canal queda completamente bloqueado y es un parámetro clave en el funcionamiento de los FET. Es un parámetro importante en el diseño de circuitos.
Símbolo: Vp
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
sqrt
Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.
Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas para encontrar Transconductancia

​Ir Transconductancia en MESFET
gm=2Cgsπfco

Otras fórmulas en la categoría Características MESFET

​Ir Longitud de la puerta de MESFET
Lgate=Vs4πfco
​Ir Frecuencia de corte
fco=Vs4πLgate
​Ir Capacitancia de la fuente de puerta
Cgs=gm2πfco
​Ir Frecuencia máxima de oscilaciones en MESFET
fm=(ft2)RdRg

¿Cómo evaluar Transconductancia en la región de saturación?

El evaluador de Transconductancia en la región de saturación usa Transconductance = Conductancia de salida*(1-sqrt((Barrera potencial de diodo Schottky-Voltaje de puerta)/Voltaje de pellizco)) para evaluar Transconductancia, La fórmula de transconductancia en la región de saturación se define como la relación entre el cambio en la corriente de drenaje y el cambio en el voltaje de compuerta a un voltaje de drenaje fijo, mientras el dispositivo está funcionando en la región de saturación. Es una medida de la capacidad del dispositivo para amplificar pequeños cambios en el voltaje de entrada aplicado al electrodo de puerta. Transconductancia se indica mediante el símbolo gm.

¿Cómo evaluar Transconductancia en la región de saturación usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Transconductancia en la región de saturación, ingrese Conductancia de salida (Go), Barrera potencial de diodo Schottky (Vi), Voltaje de puerta (Vg) & Voltaje de pellizco (Vp) y presione el botón calcular.

FAQs en Transconductancia en la región de saturación

¿Cuál es la fórmula para encontrar Transconductancia en la región de saturación?
La fórmula de Transconductancia en la región de saturación se expresa como Transconductance = Conductancia de salida*(1-sqrt((Barrera potencial de diodo Schottky-Voltaje de puerta)/Voltaje de pellizco)). Aquí hay un ejemplo: 0.050963 = 0.174*(1-sqrt((15.9-9.62)/12.56)).
¿Cómo calcular Transconductancia en la región de saturación?
Con Conductancia de salida (Go), Barrera potencial de diodo Schottky (Vi), Voltaje de puerta (Vg) & Voltaje de pellizco (Vp) podemos encontrar Transconductancia en la región de saturación usando la fórmula - Transconductance = Conductancia de salida*(1-sqrt((Barrera potencial de diodo Schottky-Voltaje de puerta)/Voltaje de pellizco)). Esta fórmula también utiliza funciones Raíz cuadrada (sqrt).
¿Cuáles son las otras formas de calcular Transconductancia?
Estas son las diferentes formas de calcular Transconductancia-
  • Transconductance=2*Gate Source Capacitance*pi*Cut-off FrequencyOpenImg
¿Puede el Transconductancia en la región de saturación ser negativo?
Sí, el Transconductancia en la región de saturación, medido en Transconductancia poder sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Transconductancia en la región de saturación?
Transconductancia en la región de saturación generalmente se mide usando Siemens[S] para Transconductancia. milisiemens[S] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Transconductancia en la región de saturación.
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