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Transconductancia en la región de saturación en MESFET Fórmula

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La transconductancia del MESFET es un parámetro clave en los MESFET, que representa el cambio en la corriente de drenaje con respecto al cambio en el voltaje de la puerta-fuente. Marque FAQs

G m = g 0 \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V G}{V p}})

G_m - Transconductancia del MESFET?g₀ - Conductancia de salida?V_i - Voltaje de entrada?V_G - Voltaje umbral?V_p - Voltaje de pellizco?

Ejemplo de Transconductancia en la región de saturación en MESFET

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Transconductancia en la región de saturación en MESFET con Valores.

Así es como se ve la ecuación Transconductancia en la región de saturación en MESFET con unidades.

Así es como se ve la ecuación Transconductancia en la región de saturación en MESFET.

0.0631 = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

0.0631S = 0.152S \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25V - 1.562V}{2.01V}})

0.0631 = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Teoría de microondas » fx Transconductancia en la región de saturación en MESFET

Transconductancia en la región de saturación en MESFET Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Transconductancia en la región de saturación en MESFET?

Primer paso Considere la fórmula

G m = g 0 \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V G}{V p}})

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

G m = 0.152S \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25V - 1.562V}{2.01V}})

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

G m = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

Próximo paso Evaluar

∴

G m = 0.0630717433777618S

Último paso Respuesta de redondeo

∴

G m = 0.0631S

Transconductancia en la región de saturación en MESFET Fórmula Elementos

variables

Funciones

Transconductancia del MESFET

La transconductancia del MESFET es un parámetro clave en los MESFET, que representa el cambio en la corriente de drenaje con respecto al cambio en el voltaje de la puerta-fuente.

Símbolo: G_m

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: S

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Transconductancia del MESFET

Conductancia de salida

La conductancia de salida es un parámetro que caracteriza el comportamiento de un transistor de efecto de campo (FET) en su región de saturación.

Símbolo: g₀

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: S

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Conductancia de salida

Voltaje de entrada

El voltaje de entrada es la diferencia de potencial eléctrico aplicada a los terminales de entrada de un componente o sistema.

Símbolo: V_i

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje de entrada

Voltaje umbral

El voltaje umbral se refiere al voltaje al cual el transistor comienza a conducir.

Símbolo: V_G

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje umbral

Voltaje de pellizco

El voltaje de pellizco representa el voltaje de fuente de puerta al cual el canal del MESFET se cierra o "se pellizca".

Símbolo: V_p

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje de pellizco

sqrt

Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.

Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas en la categoría Amplificadores de transistores

Ir Frecuencia de corte MESFET

f co = \frac{G m}{2 \cdot π \cdot C gs}

Ir Frecuencia máxima de funcionamiento

f max = \frac{f co}{2} \cdot \sqrt{\frac{R d}{R s + R i + R g}}

Ir Frecuencia máxima de oscilación

f max o = \frac{v s}{2 \cdot π \cdot L c}

Ir Factor de ruido GaAs MESFET

NF = 1 + 2 \cdot ω \cdot \frac{C gs}{G m} \cdot \sqrt{\frac{R s - R gate}{R i}}

¿Cómo evaluar Transconductancia en la región de saturación en MESFET?

El evaluador de Transconductancia en la región de saturación en MESFET usa Transconductance of the MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco)) para evaluar Transconductancia del MESFET, La transconductancia en la región de saturación en la fórmula MESFET se define como mide la sensibilidad de la corriente de drenaje (Id) a los cambios en el voltaje puerta-fuente (Vgs) cuando el transistor está operando en su región lineal o de señal pequeña. Transconductancia del MESFET se indica mediante el símbolo G_m.

¿Cómo evaluar Transconductancia en la región de saturación en MESFET usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Transconductancia en la región de saturación en MESFET, ingrese Conductancia de salida (g₀), Voltaje de entrada (V_i), Voltaje umbral (V_G) & Voltaje de pellizco (V_p) y presione el botón calcular.

FAQs en Transconductancia en la región de saturación en MESFET

¿Cuál es la fórmula para encontrar Transconductancia en la región de saturación en MESFET?

La fórmula de Transconductancia en la región de saturación en MESFET se expresa como Transconductance of the MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco)). Aquí hay un ejemplo: 0.063072 = 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01)).

¿Cómo calcular Transconductancia en la región de saturación en MESFET?

Con Conductancia de salida (g₀), Voltaje de entrada (V_i), Voltaje umbral (V_G) & Voltaje de pellizco (V_p) podemos encontrar Transconductancia en la región de saturación en MESFET usando la fórmula - Transconductance of the MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco)). Esta fórmula también utiliza funciones Función de raíz cuadrada.

¿Puede el Transconductancia en la región de saturación en MESFET ser negativo?

No, el Transconductancia en la región de saturación en MESFET, medido en Conductancia eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Transconductancia en la región de saturación en MESFET?

Transconductancia en la región de saturación en MESFET generalmente se mide usando Siemens[S] para Conductancia eléctrica. Megasiemens[S], milisiemens[S], Mho[S] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Transconductancia en la región de saturación en MESFET.

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Transconductancia en la región de saturación en MESFET Fórmula

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