Tiempo de saturación Fórmula

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El tiempo de saturación es el tiempo que tarda el voltaje de salida de un MOSFET en alcanzar un nivel específico (V Marque FAQs
Tsat=-2Cloadkn(VOH-VT)2(1,x,VOH,VOH-VT)
Tsat - Tiempo de saturación?Cload - Capacitancia de carga?kn - Parámetro del proceso de transconductancia?VOH - Alto voltaje de salida?VT - Voltaje umbral?

Ejemplo de Tiempo de saturación

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Tiempo de saturación con Valores.

Así es como se ve la ecuación Tiempo de saturación con unidades.

Así es como se ve la ecuación Tiempo de saturación.

5.6381Edit=-29.77Edit4.553Edit(3.789Edit-5.91Edit)2(1,x,3.789Edit,3.789Edit-5.91Edit)
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Tiempo de saturación Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Tiempo de saturación?

Primer paso Considere la fórmula
Tsat=-2Cloadkn(VOH-VT)2(1,x,VOH,VOH-VT)
Próximo paso Valores sustitutos de variables
Tsat=-29.77F4.553A/V²(3.789V-5.91V)2(1,x,3.789V,3.789V-5.91V)
Próximo paso Prepárese para evaluar
Tsat=-29.774.553(3.789-5.91)2(1,x,3.789,3.789-5.91)
Próximo paso Evaluar
Tsat=5.63810361511811s
Último paso Respuesta de redondeo
Tsat=5.6381s

Tiempo de saturación Fórmula Elementos

variables
Funciones
Tiempo de saturación
El tiempo de saturación es el tiempo que tarda el voltaje de salida de un MOSFET en alcanzar un nivel específico (V
Símbolo: Tsat
Medición: TiempoUnidad: s
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Capacitancia de carga
La capacitancia de carga es la capacitancia total conectada al terminal de salida del transistor, incluidos los componentes externos y la capacitancia parásita del MOSFET.
Símbolo: Cload
Medición: CapacidadUnidad: F
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Parámetro del proceso de transconductancia
El parámetro del proceso de transconductancia es una constante específica del dispositivo que caracteriza la capacidad del transistor para convertir un cambio en el voltaje de la puerta en un cambio en la corriente de salida.
Símbolo: kn
Medición: Parámetro de transconductanciaUnidad: A/V²
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Alto voltaje de salida
El alto voltaje de salida es el nivel máximo de voltaje que el transistor puede alcanzar en su terminal de salida cuando está completamente encendido (operando en saturación).
Símbolo: VOH
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Voltaje umbral
El voltaje umbral es el voltaje mínimo de puerta a fuente requerido en un MOSFET para "encenderlo" y permitir que fluya una corriente significativa.
Símbolo: VT
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
int
La integral definida se puede utilizar para calcular el área neta con signo, que es el área por encima del eje x menos el área por debajo del eje x.
Sintaxis: int(expr, arg, from, to)

Otras fórmulas en la categoría Transistor MOS

​Ir Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud
Cjsw=Cj0swxj
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¿Cómo evaluar Tiempo de saturación?

El evaluador de Tiempo de saturación usa Saturation Time = -2*Capacitancia de carga/(Parámetro del proceso de transconductancia*(Alto voltaje de salida-Voltaje umbral)^2)*int(1,x,Alto voltaje de salida,Alto voltaje de salida-Voltaje umbral) para evaluar Tiempo de saturación, La fórmula del tiempo de saturación se define como el tiempo que tarda el voltaje de salida de un MOSFET en alcanzar un nivel específico (V. Tiempo de saturación se indica mediante el símbolo Tsat.

¿Cómo evaluar Tiempo de saturación usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Tiempo de saturación, ingrese Capacitancia de carga (Cload), Parámetro del proceso de transconductancia (kn), Alto voltaje de salida (VOH) & Voltaje umbral (VT) y presione el botón calcular.

FAQs en Tiempo de saturación

¿Cuál es la fórmula para encontrar Tiempo de saturación?
La fórmula de Tiempo de saturación se expresa como Saturation Time = -2*Capacitancia de carga/(Parámetro del proceso de transconductancia*(Alto voltaje de salida-Voltaje umbral)^2)*int(1,x,Alto voltaje de salida,Alto voltaje de salida-Voltaje umbral). Aquí hay un ejemplo: 5.638104 = -2*9.77/(4.553*(3.789-5.91)^2)*int(1,x,3.789,3.789-5.91).
¿Cómo calcular Tiempo de saturación?
Con Capacitancia de carga (Cload), Parámetro del proceso de transconductancia (kn), Alto voltaje de salida (VOH) & Voltaje umbral (VT) podemos encontrar Tiempo de saturación usando la fórmula - Saturation Time = -2*Capacitancia de carga/(Parámetro del proceso de transconductancia*(Alto voltaje de salida-Voltaje umbral)^2)*int(1,x,Alto voltaje de salida,Alto voltaje de salida-Voltaje umbral). Esta fórmula también utiliza funciones Integral definida (int).
¿Puede el Tiempo de saturación ser negativo?
Sí, el Tiempo de saturación, medido en Tiempo poder sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Tiempo de saturación?
Tiempo de saturación generalmente se mide usando Segundo[s] para Tiempo. Milisegundo[s], Microsegundo[s], nanosegundo[s] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Tiempo de saturación.
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