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La corriente de drenaje en NMOS es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET). Marque FAQs
Id=k'n⋅WcL⋅Vds⋅(Vov-12⋅Vds)
Id - Drenar corriente en NMOS?k'n - Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS?Wc - Ancho de canal?L - Longitud del Canal?Vds - Voltaje de la fuente de drenaje?Vov - Voltaje de sobremarcha en NMOS?

Ejemplo de Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS.

239.693Edit=2Edit⋅10Edit3Edit⋅8.43Edit⋅(8.48Edit-12⋅8.43Edit)
Solución
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HomeIcon Hogar » Category Ingenieria » Category Electrónica » Category Electrónica analógica » fx Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS

Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS?

Primer paso Considere la fórmula
Id=k'n⋅WcL⋅Vds⋅(Vov-12⋅Vds)
Próximo paso Valores sustitutos de variables
∴ Id=2mS⋅10μm3μm⋅8.43V⋅(8.48V-12⋅8.43V)
Próximo paso Convertir unidades
∴ Id=0.002S⋅1E-5m3E-6m⋅8.43V⋅(8.48V-12⋅8.43V)
Próximo paso Prepárese para evaluar
∴ Id=0.002⋅1E-53E-6⋅8.43⋅(8.48-12⋅8.43)
Próximo paso Evaluar
∴Id=0.239693A
Último paso Convertir a unidad de salida
∴Id=239.693mA

Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS Fórmula Elementos

variables
Drenar corriente en NMOS
La corriente de drenaje en NMOS es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET).
Símbolo: Id
Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Fórmulas para encontrar Drenar corriente en NMOSOpen Variable
Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS
El parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.
Símbolo: k'n
Medición: Conductancia eléctricaUnidad: mS
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Fórmulas para encontrar Parámetro de transconductancia de proceso en NMOSOpen Variable
Ancho de canal
El ancho de canal se refiere a la cantidad de ancho de banda disponible para transmitir datos dentro de un canal de comunicación.
Símbolo: Wc
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Fórmulas para encontrar Ancho de canalOpen Variable
Longitud del Canal
La longitud del canal se puede definir como la distancia entre sus puntos inicial y final, y puede variar mucho según su propósito y ubicación.
Símbolo: L
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Fórmulas para encontrar Longitud del CanalOpen Variable
Voltaje de la fuente de drenaje
Drain Source Voltage es un término eléctrico utilizado en electrónica y específicamente en transistores de efecto de campo. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales de drenaje y fuente del FET.
Símbolo: Vds
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Fórmulas para encontrar Voltaje de la fuente de drenajeOpen Variable
Voltaje de sobremarcha en NMOS
El voltaje de sobremarcha en NMOS generalmente se refiere al voltaje aplicado a un dispositivo o componente que excede su voltaje de funcionamiento normal.
Símbolo: Vov
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Fórmulas para encontrar Voltaje de sobremarcha en NMOSOpen Variable

Otras fórmulas para encontrar Drenar corriente en NMOS

​Ir Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅Vds2)
​Ir Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅(Vds)2)
​Ir Fuente de drenaje de entrada actual en la región de saturación de NMOS
Id=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vgs-VT)2
​Ir Fuente de drenaje de entrada actual en el límite de la región de saturación y triodo de NMOS
Id=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vds)2

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal N

​Ir Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS
vd=μn⋅EL
​Ir NMOS como resistencia lineal
rDS=Lμn⋅Cox⋅Wc⋅(Vgs-VT)
​Ir Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva
Ids=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vov)2
​Ir Voltaje positivo dada la longitud del canal en NMOS
V=VA⋅L

¿Cómo evaluar Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS?

El evaluador de Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS usa Drain Current in NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*Voltaje de la fuente de drenaje*(Voltaje de sobremarcha en NMOS-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje) para evaluar Drenar corriente en NMOS, El terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS, MOSFET solo cambia la corriente que fluye en una dirección; tienen un diodo entre la fuente y el drenaje en la otra dirección (en otras palabras, si el drenaje (en un dispositivo de canal N) cae por debajo del voltaje en la fuente, la corriente fluirá de la fuente al drenaje). Drenar corriente en NMOS se indica mediante el símbolo Id.

¿Cómo evaluar Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS, ingrese Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (k'n), Ancho de canal (Wc), Longitud del Canal (L), Voltaje de la fuente de drenaje (Vds) & Voltaje de sobremarcha en NMOS (Vov) y presione el botón calcular.

FAQs en Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS?
La fórmula de Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS se expresa como Drain Current in NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*Voltaje de la fuente de drenaje*(Voltaje de sobremarcha en NMOS-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje). Aquí hay un ejemplo: 239693 = 0.002*1E-05/3E-06*8.43*(8.48-1/2*8.43).
¿Cómo calcular Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS?
Con Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (k'n), Ancho de canal (Wc), Longitud del Canal (L), Voltaje de la fuente de drenaje (Vds) & Voltaje de sobremarcha en NMOS (Vov) podemos encontrar Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS usando la fórmula - Drain Current in NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*Voltaje de la fuente de drenaje*(Voltaje de sobremarcha en NMOS-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje).
¿Cuáles son las otras formas de calcular Drenar corriente en NMOS?
Estas son las diferentes formas de calcular Drenar corriente en NMOS-
  • Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*Drain Source Voltage^2)OpenImg
  • Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*(Drain Source Voltage)^2)OpenImg
  • Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2OpenImg
¿Puede el Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS ser negativo?
No, el Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS, medido en Corriente eléctrica no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS?
Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS generalmente se mide usando Miliamperio[mA] para Corriente eléctrica. Amperio[mA], Microamperio[mA], centiamperio[mA] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS.
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