Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja Fórmula

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El tiempo para la transición de salida de alto a bajo se refiere a la duración que tarda una señal en el terminal de salida de un dispositivo o circuito para pasar de un nivel de voltaje alto a un nivel de voltaje bajo. Marque FAQs
ζPHL=(CloadKn(VDD-VT,n))((2VT,nVDD-VT,n)+ln((4VDD-VT,nVDD)-1))
ζPHL - Es hora de una transición de producción alta a baja?Cload - Capacitancia de carga CMOS del inversor?Kn - Transconductancia de NMOS?VDD - Voltaje de suministro?VT,n - Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal?

Ejemplo de Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja con Valores.

Así es como se ve la ecuación Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja con unidades.

Así es como se ve la ecuación Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja.

0.0025Edit=(0.93Edit200Edit(3.3Edit-0.8Edit))((20.8Edit3.3Edit-0.8Edit)+ln((43.3Edit-0.8Edit3.3Edit)-1))
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Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja?

Primer paso Considere la fórmula
ζPHL=(CloadKn(VDD-VT,n))((2VT,nVDD-VT,n)+ln((4VDD-VT,nVDD)-1))
Próximo paso Valores sustitutos de variables
ζPHL=(0.93fF200µA/V²(3.3V-0.8V))((20.8V3.3V-0.8V)+ln((43.3V-0.8V3.3V)-1))
Próximo paso Convertir unidades
ζPHL=(9.3E-16F0.0002A/V²(3.3V-0.8V))((20.8V3.3V-0.8V)+ln((43.3V-0.8V3.3V)-1))
Próximo paso Prepárese para evaluar
ζPHL=(9.3E-160.0002(3.3-0.8))((20.83.3-0.8)+ln((43.3-0.83.3)-1))
Próximo paso Evaluar
ζPHL=2.50762420773954E-12s
Próximo paso Convertir a unidad de salida
ζPHL=0.00250762420773954ns
Último paso Respuesta de redondeo
ζPHL=0.0025ns

Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja Fórmula Elementos

variables
Funciones
Es hora de una transición de producción alta a baja
El tiempo para la transición de salida de alto a bajo se refiere a la duración que tarda una señal en el terminal de salida de un dispositivo o circuito para pasar de un nivel de voltaje alto a un nivel de voltaje bajo.
Símbolo: ζPHL
Medición: TiempoUnidad: ns
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Capacitancia de carga CMOS del inversor
La capacitancia de carga CMOS del inversor es la capacitancia impulsada por la salida de un inversor CMOS, incluido el cableado, las capacitancias de entrada de las puertas conectadas y las capacitancias parásitas.
Símbolo: Cload
Medición: CapacidadUnidad: fF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Transconductancia de NMOS
La transconductancia de NMOS se refiere a la relación entre el cambio en la corriente de drenaje de salida y el cambio en el voltaje de la fuente de la puerta de entrada cuando el voltaje de la fuente de drenaje es constante.
Símbolo: Kn
Medición: Parámetro de transconductanciaUnidad: µA/V²
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje de suministro
El voltaje de suministro se refiere al nivel de voltaje proporcionado por una fuente de energía a un circuito o dispositivo eléctrico, que sirve como diferencia de potencial para el flujo de corriente y el funcionamiento.
Símbolo: VDD
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal
El voltaje umbral de NMOS con polarización corporal se refiere al voltaje de entrada mínimo requerido para conmutar un transistor NMOS cuando se aplica un voltaje de polarización adicional al sustrato (cuerpo).
Símbolo: VT,n
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
ln
El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural.
Sintaxis: ln(Number)

Otras fórmulas en la categoría Inversores CMOS

​Ir Margen de ruido para CMOS de alta señal
NMH=VOH-VIH
​Ir Voltaje de entrada máximo para CMOS simétrico
VIL(sym)=3VDD+2VT0,n8
​Ir Voltaje umbral CMOS
Vth=VT0,n+1Kr(VDD+(VT0,p))1+1Kr
​Ir Voltaje de entrada máximo CMOS
VIL=2Voutput+(VT0,p)-VDD+KrVT0,n1+Kr

¿Cómo evaluar Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja?

El evaluador de Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja usa Time for High to Low Transition of Output = (Capacitancia de carga CMOS del inversor/(Transconductancia de NMOS*(Voltaje de suministro-Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal)))*((2*Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal/(Voltaje de suministro-Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal))+ln((4*(Voltaje de suministro-Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal)/Voltaje de suministro)-1)) para evaluar Es hora de una transición de producción alta a baja, El retardo de propagación para la transición de salida alta a baja CMOS se refiere al tiempo que tarda una señal en el terminal de salida de un dispositivo CMOS en pasar de un nivel de voltaje alto a un nivel de voltaje bajo. Incluye retrasos causados por puertas lógicas, interconexiones y capacitancias parásitas. Es hora de una transición de producción alta a baja se indica mediante el símbolo ζPHL.

¿Cómo evaluar Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja, ingrese Capacitancia de carga CMOS del inversor (Cload), Transconductancia de NMOS (Kn), Voltaje de suministro (VDD) & Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal (VT,n) y presione el botón calcular.

FAQs en Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja

¿Cuál es la fórmula para encontrar Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja?
La fórmula de Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja se expresa como Time for High to Low Transition of Output = (Capacitancia de carga CMOS del inversor/(Transconductancia de NMOS*(Voltaje de suministro-Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal)))*((2*Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal/(Voltaje de suministro-Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal))+ln((4*(Voltaje de suministro-Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal)/Voltaje de suministro)-1)). Aquí hay un ejemplo: 2.3E+6 = (9.3E-16/(0.0002*(3.3-0.8)))*((2*0.8/(3.3-0.8))+ln((4*(3.3-0.8)/3.3)-1)).
¿Cómo calcular Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja?
Con Capacitancia de carga CMOS del inversor (Cload), Transconductancia de NMOS (Kn), Voltaje de suministro (VDD) & Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal (VT,n) podemos encontrar Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja usando la fórmula - Time for High to Low Transition of Output = (Capacitancia de carga CMOS del inversor/(Transconductancia de NMOS*(Voltaje de suministro-Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal)))*((2*Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal/(Voltaje de suministro-Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal))+ln((4*(Voltaje de suministro-Voltaje umbral de NMOS con polarización corporal)/Voltaje de suministro)-1)). Esta fórmula también utiliza funciones Logaritmo natural (ln).
¿Puede el Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja ser negativo?
No, el Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja, medido en Tiempo no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja?
Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja generalmente se mide usando nanosegundo[ns] para Tiempo. Segundo[ns], Milisegundo[ns], Microsegundo[ns] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Retardo de propagación para CMOS de transición de salida alta a baja.
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