Resistencia del canal Fórmula

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La resistencia del canal se refiere a la resistencia ofrecida por el material semiconductor en el canal a través del cual fluye la corriente entre los terminales de fuente y drenaje. Marque FAQs
Rch=LtWt1μnQon
Rch - Resistencia del canal?Lt - Longitud del transistor?Wt - Ancho del transistor?μn - Movilidad electrónica?Qon - Densidad del portador?

Ejemplo de Resistencia del canal

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Resistencia del canal con Valores.

Así es como se ve la ecuación Resistencia del canal con unidades.

Así es como se ve la ecuación Resistencia del canal.

3.4632Edit=3.2Edit5.5Edit130Edit0.0056Edit
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Resistencia del canal Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Resistencia del canal?

Primer paso Considere la fórmula
Rch=LtWt1μnQon
Próximo paso Valores sustitutos de variables
Rch=3.2μm5.5μm130m²/V*s0.0056electrons/m³
Próximo paso Convertir unidades
Rch=3.2E-6m5.5E-6m130m²/V*s0.0056electrons/m³
Próximo paso Prepárese para evaluar
Rch=3.2E-65.5E-61300.0056
Próximo paso Evaluar
Rch=3.46320346320346Ω
Último paso Respuesta de redondeo
Rch=3.4632Ω

Resistencia del canal Fórmula Elementos

variables
Resistencia del canal
La resistencia del canal se refiere a la resistencia ofrecida por el material semiconductor en el canal a través del cual fluye la corriente entre los terminales de fuente y drenaje.
Símbolo: Rch
Medición: Resistencia electricaUnidad: Ω
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Longitud del transistor
La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Símbolo: Lt
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Ancho del transistor
El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Símbolo: Wt
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Movilidad electrónica
La movilidad electrónica describe la rapidez con la que los electrones pueden moverse a través del material en respuesta a un campo eléctrico.
Símbolo: μn
Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Densidad del portador
La densidad de portadores se refiere al número de portadores de carga (electrones o huecos) presentes en el canal del semiconductor.
Símbolo: Qon
Medición: Densidad de electronesUnidad: electrons/m³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados MOS

​Ir Efecto corporal en MOSFET
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
​Ir Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET
ft=gmCgs+Cgd
​Ir Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación
Id=β2(Vgs-Vth)2(1+λiVds)
​Ir Tiempo de propagación
Tp=0.7N(N+12)RmCl

¿Cómo evaluar Resistencia del canal?

El evaluador de Resistencia del canal usa Channel Resistance = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador) para evaluar Resistencia del canal, La fórmula de resistencia del canal se define como la resistencia del material semiconductor en el canal a través del cual fluye la corriente entre los terminales de fuente y drenaje. Resistencia del canal se indica mediante el símbolo Rch.

¿Cómo evaluar Resistencia del canal usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Resistencia del canal, ingrese Longitud del transistor (Lt), Ancho del transistor (Wt), Movilidad electrónica n) & Densidad del portador (Qon) y presione el botón calcular.

FAQs en Resistencia del canal

¿Cuál es la fórmula para encontrar Resistencia del canal?
La fórmula de Resistencia del canal se expresa como Channel Resistance = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador). Aquí hay un ejemplo: 3.463203 = 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056).
¿Cómo calcular Resistencia del canal?
Con Longitud del transistor (Lt), Ancho del transistor (Wt), Movilidad electrónica n) & Densidad del portador (Qon) podemos encontrar Resistencia del canal usando la fórmula - Channel Resistance = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador).
¿Puede el Resistencia del canal ser negativo?
No, el Resistencia del canal, medido en Resistencia electrica no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Resistencia del canal?
Resistencia del canal generalmente se mide usando Ohm[Ω] para Resistencia electrica. Megaohmio[Ω], Microhm[Ω], voltios por amperio[Ω] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Resistencia del canal.
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