Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI Fórmula

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La densidad de carga de la región de agotamiento masivo se define como la carga eléctrica por unidad de área asociada con la región de agotamiento en la mayor parte de un dispositivo semiconductor. Marque FAQs
QB0=-(1-(ΔLs+ΔLD2L))2[Charge-e][Permitivity-silicon][Permitivity-vacuum]NA|2Φs|
QB0 - Densidad de carga de la región de agotamiento masivo?ΔLs - Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente?ΔLD - Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje?L - Longitud del canal?NA - Concentración de aceptor?Φs - Potencial de superficie?[Charge-e] - carga de electrones?[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio?[Permitivity-vacuum] - Permitividad del vacío?

Ejemplo de Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI con Valores.

Así es como se ve la ecuación Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI con unidades.

Así es como se ve la ecuación Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI.

-0.2006Edit=-(1-(0.1Edit+0.2Edit22.5Edit))21.6E-1911.78.9E-121E+16Edit|26.86Edit|
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Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI?

Primer paso Considere la fórmula
QB0=-(1-(ΔLs+ΔLD2L))2[Charge-e][Permitivity-silicon][Permitivity-vacuum]NA|2Φs|
Próximo paso Valores sustitutos de variables
QB0=-(1-(0.1μm+0.2μm22.5μm))2[Charge-e][Permitivity-silicon][Permitivity-vacuum]1E+161/cm³|26.86V|
Próximo paso Valores sustitutos de constantes
QB0=-(1-(0.1μm+0.2μm22.5μm))21.6E-19C11.78.9E-12F/m1E+161/cm³|26.86V|
Próximo paso Convertir unidades
QB0=-(1-(1E-7m+2E-7m22.5E-6m))21.6E-19C11.78.9E-12F/m1E+221/m³|26.86V|
Próximo paso Prepárese para evaluar
QB0=-(1-(1E-7+2E-722.5E-6))21.6E-1911.78.9E-121E+22|26.86|
Próximo paso Evaluar
QB0=-0.00200557851391776C/m²
Próximo paso Convertir a unidad de salida
QB0=-0.200557851391776μC/cm²
Último paso Respuesta de redondeo
QB0=-0.2006μC/cm²

Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI Fórmula Elementos

variables
Constantes
Funciones
Densidad de carga de la región de agotamiento masivo
La densidad de carga de la región de agotamiento masivo se define como la carga eléctrica por unidad de área asociada con la región de agotamiento en la mayor parte de un dispositivo semiconductor.
Símbolo: QB0
Medición: Densidad de carga superficialUnidad: μC/cm²
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente
Extensión lateral de la región de agotamiento con la fuente la distancia horizontal a través de la cual la región de agotamiento se extiende lateralmente desde el terminal fuente en un dispositivo semiconductor.
Símbolo: ΔLs
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje
Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje la distancia horizontal a través de la cual la región de agotamiento se extiende lateralmente desde el terminal de drenaje en un dispositivo semiconductor.
Símbolo: ΔLD
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Longitud del canal
La longitud del canal se refiere a la longitud física del material semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje dentro de la estructura del transistor.
Símbolo: L
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Concentración de aceptor
La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
Símbolo: NA
Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Potencial de superficie
El potencial de superficie es un parámetro clave en la evaluación de la propiedad de CC de los transistores de película delgada.
Símbolo: Φs
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
carga de electrones
La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.
Símbolo: [Charge-e]
Valor: 1.60217662E-19 C
Permitividad del silicio
La permitividad del silicio mide su capacidad para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico, vital en la tecnología de semiconductores.
Símbolo: [Permitivity-silicon]
Valor: 11.7
Permitividad del vacío
La permitividad del vacío es una constante física fundamental que describe la capacidad del vacío para permitir la transmisión de líneas de campo eléctrico.
Símbolo: [Permitivity-vacuum]
Valor: 8.85E-12 F/m
sqrt
Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.
Sintaxis: sqrt(Number)
abs
El valor absoluto de un número es su distancia al cero en la recta numérica. Siempre es un valor positivo, ya que representa la magnitud de un número sin tener en cuenta su dirección.
Sintaxis: abs(Number)

Otras fórmulas en la categoría Optimización de materiales VLSI

​Ir Coeficiente de efecto corporal
γ=modu̲s(Vt-Vt0Φs+(Vsb)-Φs)
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Vx=ExEch
​Ir Coeficiente DIBL
η=Vt0-VtVds

¿Cómo evaluar Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI?

El evaluador de Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI usa Bulk Depletion Region Charge Density = -(1-((Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente+Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje)/(2*Longitud del canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentración de aceptor*abs(2*Potencial de superficie)) para evaluar Densidad de carga de la región de agotamiento masivo, La fórmula VLSI de densidad de carga de la región de agotamiento masivo se define como carga eléctrica por unidad de área asociada con la región de agotamiento en la mayor parte de un dispositivo semiconductor. Densidad de carga de la región de agotamiento masivo se indica mediante el símbolo QB0.

¿Cómo evaluar Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI, ingrese Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente (ΔLs), Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje (ΔLD), Longitud del canal (L), Concentración de aceptor (NA) & Potencial de superficie s) y presione el botón calcular.

FAQs en Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI

¿Cuál es la fórmula para encontrar Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI?
La fórmula de Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI se expresa como Bulk Depletion Region Charge Density = -(1-((Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente+Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje)/(2*Longitud del canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentración de aceptor*abs(2*Potencial de superficie)). Aquí hay un ejemplo: -20.055785 = -(1-((1E-07+2E-07)/(2*2.5E-06)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*1E+22*abs(2*6.86)).
¿Cómo calcular Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI?
Con Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente (ΔLs), Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje (ΔLD), Longitud del canal (L), Concentración de aceptor (NA) & Potencial de superficie s) podemos encontrar Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI usando la fórmula - Bulk Depletion Region Charge Density = -(1-((Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente+Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje)/(2*Longitud del canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentración de aceptor*abs(2*Potencial de superficie)). Esta fórmula también utiliza funciones carga de electrones, Permitividad del silicio, Permitividad del vacío constante(s) y , Raíz cuadrada (sqrt), Absoluto (abs).
¿Puede el Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI ser negativo?
Sí, el Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI, medido en Densidad de carga superficial poder sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI?
Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI generalmente se mide usando Microculombios por centímetro cuadrado[μC/cm²] para Densidad de carga superficial. culombio por metro cuadrado[μC/cm²], culombio por centímetro cuadrado[μC/cm²], Culombio por pulgada cuadrada[μC/cm²] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI.
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