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Profundidad máxima de agotamiento Fórmula

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La profundidad máxima de agotamiento se refiere a la extensión máxima hasta la cual la región de agotamiento se extiende dentro del material semiconductor del dispositivo bajo ciertas condiciones operativas. Marque FAQs

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dm - Profundidad máxima de agotamiento?Φ_f - Potencial de Fermi a granel?N_A - Concentración de dopaje del aceptor?[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio?[Charge-e] - carga de electrones?

Ejemplo de Profundidad máxima de agotamiento

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Profundidad máxima de agotamiento con Valores.

Así es como se ve la ecuación Profundidad máxima de agotamiento con unidades.

Así es como se ve la ecuación Profundidad máxima de agotamiento.

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

7.4E+6m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Profundidad máxima de agotamiento

Profundidad máxima de agotamiento Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Profundidad máxima de agotamiento?

Primer paso Considere la fórmula

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

Próximo paso Valores sustitutos de constantes

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

Próximo paso Convertir unidades

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

Próximo paso Evaluar

∴

x dm = 7437907.45302539m

Último paso Respuesta de redondeo

∴

x dm = 7.4E+6m

Profundidad máxima de agotamiento Fórmula Elementos

variables

Constantes

Funciones

Profundidad máxima de agotamiento

Símbolo: x_dm

Medición: LongitudUnidad: m

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Profundidad máxima de agotamiento

Potencial de Fermi a granel

El potencial de Fermi en masa es un parámetro que describe el potencial electrostático en la masa (interior) de un material semiconductor.

Símbolo: Φ_f

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Potencial de Fermi a granel

Concentración de dopaje del aceptor

La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.

Símbolo: N_A

Medición: Densidad de electronesUnidad: electrons/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración de dopaje del aceptor

Permitividad del silicio

La permitividad del silicio mide su capacidad para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico, vital en la tecnología de semiconductores.

Símbolo: [Permitivity-silicon]

Valor: 11.7

carga de electrones

La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

sqrt

Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.

Sintaxis: sqrt(Number)

modulus

El módulo de un número es el resto cuando ese número se divide por otro número.

Sintaxis: modulus

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Ir Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud

C jsw = C j0sw \cdot x j

Ir Capacitancia equivalente de unión de señal grande

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Ir Potencial de Fermi para el tipo P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Ir Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

¿Cómo evaluar Profundidad máxima de agotamiento?

El evaluador de Profundidad máxima de agotamiento usa Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potencial de Fermi a granel))/([Charge-e]*Concentración de dopaje del aceptor)) para evaluar Profundidad máxima de agotamiento, La fórmula de profundidad máxima de agotamiento se define como la extensión máxima hasta la cual la región de agotamiento se extiende dentro del material semiconductor del dispositivo bajo ciertas condiciones operativas. Profundidad máxima de agotamiento se indica mediante el símbolo x_dm.

¿Cómo evaluar Profundidad máxima de agotamiento usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Profundidad máxima de agotamiento, ingrese Potencial de Fermi a granel (Φ_f) & Concentración de dopaje del aceptor (N_A) y presione el botón calcular.

FAQs en Profundidad máxima de agotamiento

¿Cuál es la fórmula para encontrar Profundidad máxima de agotamiento?

La fórmula de Profundidad máxima de agotamiento se expresa como Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potencial de Fermi a granel))/([Charge-e]*Concentración de dopaje del aceptor)). Aquí hay un ejemplo: 7.4E+6 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*0.25))/([Charge-e]*1320000)).

¿Cómo calcular Profundidad máxima de agotamiento?

Con Potencial de Fermi a granel (Φ_f) & Concentración de dopaje del aceptor (N_A) podemos encontrar Profundidad máxima de agotamiento usando la fórmula - Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potencial de Fermi a granel))/([Charge-e]*Concentración de dopaje del aceptor)). Esta fórmula también utiliza funciones Permitividad del silicio, carga de electrones constante(s) y , Raíz cuadrada (sqrt), Módulo (módulo).

¿Puede el Profundidad máxima de agotamiento ser negativo?

No, el Profundidad máxima de agotamiento, medido en Longitud no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Profundidad máxima de agotamiento?

Profundidad máxima de agotamiento generalmente se mide usando Metro[m] para Longitud. Milímetro[m], Kilómetro[m], Decímetro[m] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Profundidad máxima de agotamiento.

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Profundidad máxima de agotamiento Fórmula

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