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Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente Fórmula

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La región de profundidad de agotamiento de la fuente es la región de agotamiento que se forma cerca del terminal de la fuente cuando se aplica un voltaje al terminal de la puerta. Marque FAQs

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot Φ o}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dS - Región de profundidad de agotamiento de la fuente?Φ_o - Potencial de unión incorporado?N_A - Concentración de dopaje del aceptor?[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio?[Charge-e] - carga de electrones?

Ejemplo de Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente con Valores.

Así es como se ve la ecuación Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente con unidades.

Así es como se ve la ecuación Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente.

1.5E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

1.5E+7m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

1.5E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente

Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente?

Primer paso Considere la fórmula

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot Φ o}{[Charge-e] \cdot N A}}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 2V}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

Próximo paso Valores sustitutos de constantes

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

Próximo paso Convertir unidades

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

Próximo paso Evaluar

∴

x dS = 14875814.9060508m

Último paso Respuesta de redondeo

∴

x dS = 1.5E+7m

Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente Fórmula Elementos

variables

Constantes

Funciones

Región de profundidad de agotamiento de la fuente

La región de profundidad de agotamiento de la fuente es la región de agotamiento que se forma cerca del terminal de la fuente cuando se aplica un voltaje al terminal de la puerta.

Símbolo: x_dS

Medición: LongitudUnidad: m

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Región de profundidad de agotamiento de la fuente

Potencial de unión incorporado

El potencial de unión incorporado se refiere a la diferencia de potencial o voltaje que existe a través de una unión semiconductora cuando no está conectada a una fuente de voltaje externa.

Símbolo: Φ_o

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Potencial de unión incorporado

Concentración de dopaje del aceptor

La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.

Símbolo: N_A

Medición: Densidad de electronesUnidad: electrons/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración de dopaje del aceptor

Permitividad del silicio

La permitividad del silicio mide su capacidad para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico, vital en la tecnología de semiconductores.

Símbolo: [Permitivity-silicon]

Valor: 11.7

carga de electrones

La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

sqrt

Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.

Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas en la categoría Transistor MOS

Ir Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud

C jsw = C j0sw \cdot x j

Ir Capacitancia equivalente de unión de señal grande

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Ir Potencial de Fermi para el tipo P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Ir Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

¿Cómo evaluar Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente?

El evaluador de Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente usa Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potencial de unión incorporado)/([Charge-e]*Concentración de dopaje del aceptor)) para evaluar Región de profundidad de agotamiento de la fuente, La profundidad de la región de agotamiento asociada con la fórmula de la fuente se define como La región de agotamiento se forma cerca del terminal de la fuente cuando se aplica un voltaje al terminal de la puerta. Región de profundidad de agotamiento de la fuente se indica mediante el símbolo x_dS.

¿Cómo evaluar Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente, ingrese Potencial de unión incorporado (Φ_o) & Concentración de dopaje del aceptor (N_A) y presione el botón calcular.

FAQs en Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente

¿Cuál es la fórmula para encontrar Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente?

La fórmula de Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente se expresa como Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potencial de unión incorporado)/([Charge-e]*Concentración de dopaje del aceptor)). Aquí hay un ejemplo: 1.5E+7 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*1320000)).

¿Cómo calcular Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente?

Con Potencial de unión incorporado (Φ_o) & Concentración de dopaje del aceptor (N_A) podemos encontrar Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente usando la fórmula - Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potencial de unión incorporado)/([Charge-e]*Concentración de dopaje del aceptor)). Esta fórmula también utiliza funciones Permitividad del silicio, carga de electrones constante(s) y Raíz cuadrada (sqrt).

¿Puede el Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente ser negativo?

No, el Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente, medido en Longitud no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente?

Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente generalmente se mide usando Metro[m] para Longitud. Milímetro[m], Kilómetro[m], Decímetro[m] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente.

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Ejemplo de Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente

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