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Potencial incorporado en la región de agotamiento Fórmula

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El voltaje incorporado es un voltaje característico que existe en un dispositivo semiconductor. Marque FAQs

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

Φ_B0 - Voltaje incorporado?N_A - Concentración de dopaje del aceptor?Φ_f - Potencial de Fermi a granel?[Charge-e] - carga de electrones?[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio?

Ejemplo de Potencial incorporado en la región de agotamiento

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Potencial incorporado en la región de agotamiento con Valores.

Así es como se ve la ecuación Potencial incorporado en la región de agotamiento con unidades.

Así es como se ve la ecuación Potencial incorporado en la región de agotamiento.

-1.6E-6 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

-1.6E-6V = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

-1.6E-6 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Potencial incorporado en la región de agotamiento

Potencial incorporado en la región de agotamiento Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Potencial incorporado en la región de agotamiento?

Primer paso Considere la fórmula

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

Próximo paso Valores sustitutos de constantes

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

Próximo paso Convertir unidades

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

Próximo paso Evaluar

∴

Φ B0 = -1.57302306783086E-06V

Último paso Respuesta de redondeo

∴

Φ B0 = -1.6E-6V

Potencial incorporado en la región de agotamiento Fórmula Elementos

variables

Constantes

Funciones

Voltaje incorporado

El voltaje incorporado es un voltaje característico que existe en un dispositivo semiconductor.

Símbolo: Φ_B0

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Voltaje incorporado

Concentración de dopaje del aceptor

La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.

Símbolo: N_A

Medición: Densidad de electronesUnidad: electrons/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración de dopaje del aceptor

Potencial de Fermi a granel

El potencial de Fermi en masa es un parámetro que describe el potencial electrostático en la masa (interior) de un material semiconductor.

Símbolo: Φ_f

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Potencial de Fermi a granel

carga de electrones

La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

Permitividad del silicio

La permitividad del silicio mide su capacidad para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico, vital en la tecnología de semiconductores.

Símbolo: [Permitivity-silicon]

Valor: 11.7

sqrt

Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.

Sintaxis: sqrt(Number)

modulus

El módulo de un número es el resto cuando ese número se divide por otro número.

Sintaxis: modulus

Otras fórmulas en la categoría Transistor MOS

Ir Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud

C jsw = C j0sw \cdot x j

Ir Capacitancia equivalente de unión de señal grande

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Ir Potencial de Fermi para el tipo P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Ir Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

¿Cómo evaluar Potencial incorporado en la región de agotamiento?

El evaluador de Potencial incorporado en la región de agotamiento usa Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor*modulus(-2*Potencial de Fermi a granel))) para evaluar Voltaje incorporado, La fórmula del potencial incorporado en la región de agotamiento se define como el voltaje establecido a través de esta región agotada cuando la unión pn está en equilibrio térmico. Voltaje incorporado se indica mediante el símbolo Φ_B0.

¿Cómo evaluar Potencial incorporado en la región de agotamiento usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Potencial incorporado en la región de agotamiento, ingrese Concentración de dopaje del aceptor (N_A) & Potencial de Fermi a granel (Φ_f) y presione el botón calcular.

FAQs en Potencial incorporado en la región de agotamiento

¿Cuál es la fórmula para encontrar Potencial incorporado en la región de agotamiento?

La fórmula de Potencial incorporado en la región de agotamiento se expresa como Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor*modulus(-2*Potencial de Fermi a granel))). Aquí hay un ejemplo: -1.6E-6 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(-2*0.25))).

¿Cómo calcular Potencial incorporado en la región de agotamiento?

Con Concentración de dopaje del aceptor (N_A) & Potencial de Fermi a granel (Φ_f) podemos encontrar Potencial incorporado en la región de agotamiento usando la fórmula - Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor*modulus(-2*Potencial de Fermi a granel))). Esta fórmula también utiliza funciones carga de electrones, Permitividad del silicio constante(s) y , Raíz cuadrada (sqrt), Módulo (módulo).

¿Puede el Potencial incorporado en la región de agotamiento ser negativo?

Sí, el Potencial incorporado en la región de agotamiento, medido en Potencial eléctrico poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Potencial incorporado en la región de agotamiento?

Potencial incorporado en la región de agotamiento generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Potencial incorporado en la región de agotamiento.

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