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Parámetro del proceso de fabricación de NMOS Fórmula

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El parámetro del proceso de fabricación es el proceso que comienza con la oxidación del sustrato de silicio en el que se deposita una capa de óxido relativamente gruesa en la superficie. Marque FAQs

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

γ - Parámetro del proceso de fabricación?N_P - Concentración de dopaje del sustrato P?C_ox - Capacitancia de óxido?[Charge-e] - carga de electrones?[Permitivity-vacuum] - Permitividad del vacío?

Ejemplo de Parámetro del proceso de fabricación de NMOS

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Parámetro del proceso de fabricación de NMOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Parámetro del proceso de fabricación de NMOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Parámetro del proceso de fabricación de NMOS.

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Parámetro del proceso de fabricación de NMOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Parámetro del proceso de fabricación de NMOS?

Primer paso Considere la fórmula

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 6E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum]}}{2.02μF}

Próximo paso Valores sustitutos de constantes

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

Próximo paso Convertir unidades

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2E-6F}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+22 \cdot 8.9E-12}}{2E-6}

Próximo paso Evaluar

∴

γ = 204.204864690003

Último paso Respuesta de redondeo

∴

γ = 204.2049

Parámetro del proceso de fabricación de NMOS Fórmula Elementos

variables

Constantes

Funciones

Parámetro del proceso de fabricación

El parámetro del proceso de fabricación es el proceso que comienza con la oxidación del sustrato de silicio en el que se deposita una capa de óxido relativamente gruesa en la superficie.

Símbolo: γ

Medición: NAUnidad: Unitless

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Parámetro del proceso de fabricación

Concentración de dopaje del sustrato P

La concentración de dopaje del sustrato P es el número de impurezas añadidas al sustrato. Es la concentración total de iones aceptores.

Símbolo: N_P

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Concentración de dopaje del sustrato P

Capacitancia de óxido

La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medición: CapacidadUnidad: μF

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Capacitancia de óxido

carga de electrones

La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

Permitividad del vacío

La permitividad del vacío es una constante física fundamental que describe la capacidad del vacío para permitir la transmisión de líneas de campo eléctrico.

Símbolo: [Permitivity-vacuum]

Valor: 8.85E-12 F/m

sqrt

Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.

Sintaxis: sqrt(Number)

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Ir Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

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I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

¿Cómo evaluar Parámetro del proceso de fabricación de NMOS?

El evaluador de Parámetro del proceso de fabricación de NMOS usa Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Concentración de dopaje del sustrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitancia de óxido para evaluar Parámetro del proceso de fabricación, El parámetro del proceso de fabricación de NMOS es el proceso que comienza con la oxidación del sustrato de silicio en el que se deposita una capa de óxido relativamente gruesa en la superficie. Parámetro del proceso de fabricación se indica mediante el símbolo γ.

¿Cómo evaluar Parámetro del proceso de fabricación de NMOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Parámetro del proceso de fabricación de NMOS, ingrese Concentración de dopaje del sustrato P (N_P) & Capacitancia de óxido (C_ox) y presione el botón calcular.

FAQs en Parámetro del proceso de fabricación de NMOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Parámetro del proceso de fabricación de NMOS?

La fórmula de Parámetro del proceso de fabricación de NMOS se expresa como Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Concentración de dopaje del sustrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitancia de óxido. Aquí hay un ejemplo: 204.2049 = sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06.

¿Cómo calcular Parámetro del proceso de fabricación de NMOS?

Con Concentración de dopaje del sustrato P (N_P) & Capacitancia de óxido (C_ox) podemos encontrar Parámetro del proceso de fabricación de NMOS usando la fórmula - Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Concentración de dopaje del sustrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitancia de óxido. Esta fórmula también utiliza funciones carga de electrones, Permitividad del vacío constante(s) y Raíz cuadrada (sqrt).

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