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El parámetro de transconductancia es un parámetro crucial en los dispositivos y circuitos electrónicos, que ayuda a describir y cuantificar la relación de entrada-salida entre el voltaje y la corriente. Marque FAQs
kn=k'nWL
kn - Parámetro de transconductancia?k'n - Parámetro de transconductancia del proceso?WL - Relación de aspecto?

Ejemplo de Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso con Valores.

Así es como se ve la ecuación Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso con unidades.

Así es como se ve la ecuación Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso.

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HomeIcon Hogar » Category Ingenieria » Category Electrónica » Category Electrónica analógica » fx Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso

Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso?

Primer paso Considere la fórmula
kn=k'nWL
Próximo paso Valores sustitutos de variables
kn=0.015A/V²0.1
Próximo paso Prepárese para evaluar
kn=0.0150.1
Último paso Evaluar
kn=0.0015A/V²

Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso Fórmula Elementos

variables
Parámetro de transconductancia
El parámetro de transconductancia es un parámetro crucial en los dispositivos y circuitos electrónicos, que ayuda a describir y cuantificar la relación de entrada-salida entre el voltaje y la corriente.
Símbolo: kn
Medición: Parámetro de transconductanciaUnidad: A/V²
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Parámetro de transconductancia del proceso
El parámetro de transconductancia de proceso (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.
Símbolo: k'n
Medición: Parámetro de transconductanciaUnidad: A/V²
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Relación de aspecto
La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente
Símbolo: WL
Medición: NAUnidad: Unitless
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Otras fórmulas para encontrar Parámetro de transconductancia

​Ir Parámetro de transconductancia de proceso de MOSFET
kn=gmVov

Otras fórmulas en la categoría Transconductancia

​Ir Drenar corriente usando transconductancia
id=(Vov)gm2
​Ir Transconductancia dada corriente de drenaje
gm=2k'nWLid
​Ir Transconductancia dada Proceso Parámetro de transconductancia
gm=k'nWL(Vgs-Vth)
​Ir Transconductancia utilizando el parámetro de transconductancia del proceso y el voltaje de sobremarcha
gm=k'nWLVov

¿Cómo evaluar Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso?

El evaluador de Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso usa Transconductance Parameter = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto para evaluar Parámetro de transconductancia, El parámetro de transconductancia del MOSFET que usa Process transconductance es el producto del parámetro de transconductancia del proceso y la relación de aspecto del transistor (W/L). Parámetro de transconductancia se indica mediante el símbolo kn.

¿Cómo evaluar Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso, ingrese Parámetro de transconductancia del proceso (k'n) & Relación de aspecto (WL) y presione el botón calcular.

FAQs en Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso

¿Cuál es la fórmula para encontrar Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso?
La fórmula de Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso se expresa como Transconductance Parameter = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto. Aquí hay un ejemplo: 0.0015 = 0.015*0.1.
¿Cómo calcular Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso?
Con Parámetro de transconductancia del proceso (k'n) & Relación de aspecto (WL) podemos encontrar Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso usando la fórmula - Transconductance Parameter = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto.
¿Cuáles son las otras formas de calcular Parámetro de transconductancia?
Estas son las diferentes formas de calcular Parámetro de transconductancia-
  • Transconductance Parameter=Transconductance/Overdrive VoltageOpenImg
¿Puede el Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso ser negativo?
Sí, el Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso, medido en Parámetro de transconductancia poder sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso?
Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso generalmente se mide usando Amperio por voltio cuadrado[A/V²] para Parámetro de transconductancia. Miliamperios por voltio cuadrado[A/V²], Microamperio por voltio cuadrado[A/V²] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso.
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