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Parámetro de transconductancia del transistor MOS Fórmula

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El parámetro de transconductancia es el producto del parámetro de transconductancia del proceso y la relación de aspecto del transistor (W/L). Marque FAQs

K n = \frac{i d}{(V ox - V t) \cdot V gs}

K_n - Parámetro de transconductancia?i_d - Corriente de drenaje?V_ox - Voltaje a través del óxido?V_t - Voltaje umbral?V_gs - Voltaje entre puerta y fuente?

Ejemplo de Parámetro de transconductancia del transistor MOS

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Parámetro de transconductancia del transistor MOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Parámetro de transconductancia del transistor MOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Parámetro de transconductancia del transistor MOS.

2.9518 = \frac{17.5}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

2.9518mA/V² = \frac{17.5mA}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

2.9518 = \frac{17.5}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Parámetro de transconductancia del transistor MOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Parámetro de transconductancia del transistor MOS?

Primer paso Considere la fórmula

K n = \frac{i d}{(V ox - V t) \cdot V gs}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

K n = \frac{17.5mA}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

Próximo paso Convertir unidades

∴

K n = \frac{0.0175A}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

K n = \frac{0.0175}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

Próximo paso Evaluar

∴

K n = 0.00295184279328667A/V²

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

K n = 2.95184279328667mA/V²

Último paso Respuesta de redondeo

∴

K n = 2.9518mA/V²

Parámetro de transconductancia del transistor MOS Fórmula Elementos

variables

Parámetro de transconductancia

El parámetro de transconductancia es el producto del parámetro de transconductancia del proceso y la relación de aspecto del transistor (W/L).

Símbolo: K_n

Medición: Parámetro de transconductanciaUnidad: mA/V²

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Parámetro de transconductancia

Corriente de drenaje

La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.

Símbolo: i_d

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Voltaje a través del óxido

El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.

Símbolo: V_ox

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje a través del óxido

Voltaje umbral

El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.

Símbolo: V_t

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje umbral

Voltaje entre puerta y fuente

El voltaje entre la puerta y la fuente es el voltaje que cae a través del terminal puerta-fuente del transistor.

Símbolo: V_gs

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje entre puerta y fuente

Otras fórmulas en la categoría Características del amplificador de transistores

Ir Voltaje de drenaje instantáneo total

V d = V fc - R d \cdot i d

Ir Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

Ir Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

Ir Voltaje de entrada en transistor

V fc = R d \cdot i d - V d

¿Cómo evaluar Parámetro de transconductancia del transistor MOS?

El evaluador de Parámetro de transconductancia del transistor MOS usa Transconductance Parameter = Corriente de drenaje/((Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente) para evaluar Parámetro de transconductancia, El parámetro de transconductancia del transistor MOS es una medida de la capacidad del transistor para controlar el flujo de corriente en respuesta a un voltaje aplicado a través de su puerta y terminales de fuente. Parámetro de transconductancia se indica mediante el símbolo K_n.

¿Cómo evaluar Parámetro de transconductancia del transistor MOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Parámetro de transconductancia del transistor MOS, ingrese Corriente de drenaje (i_d), Voltaje a través del óxido (V_ox), Voltaje umbral (V_t) & Voltaje entre puerta y fuente (V_gs) y presione el botón calcular.

FAQs en Parámetro de transconductancia del transistor MOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Parámetro de transconductancia del transistor MOS?

La fórmula de Parámetro de transconductancia del transistor MOS se expresa como Transconductance Parameter = Corriente de drenaje/((Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente). Aquí hay un ejemplo: 2951.843 = 0.0175/((3.775-2)*3.34).

¿Cómo calcular Parámetro de transconductancia del transistor MOS?

Con Corriente de drenaje (i_d), Voltaje a través del óxido (V_ox), Voltaje umbral (V_t) & Voltaje entre puerta y fuente (V_gs) podemos encontrar Parámetro de transconductancia del transistor MOS usando la fórmula - Transconductance Parameter = Corriente de drenaje/((Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente).

¿Puede el Parámetro de transconductancia del transistor MOS ser negativo?

No, el Parámetro de transconductancia del transistor MOS, medido en Parámetro de transconductancia no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Parámetro de transconductancia del transistor MOS?

Parámetro de transconductancia del transistor MOS generalmente se mide usando Miliamperios por voltio cuadrado[mA/V²] para Parámetro de transconductancia. Amperio por voltio cuadrado[mA/V²], Microamperio por voltio cuadrado[mA/V²] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Parámetro de transconductancia del transistor MOS.

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Parámetro de transconductancia del transistor MOS Fórmula

Ejemplo de Parámetro de transconductancia del transistor MOS

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