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Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS Fórmula

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El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor. Marque FAQs

k' p = μ p \cdot C ox

k'_p - Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS?μ_p - Movilidad de agujeros en canal?C_ox - Capacitancia de óxido?

Ejemplo de Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS.

2.128 = 2.66 \cdot 0.0008

2.128mS = 2.66m²/V*s \cdot 0.0008F

2.128 = 2.66 \cdot 0.0008

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS?

Primer paso Considere la fórmula

k' p = μ p \cdot C ox

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

k' p = 2.66m²/V*s \cdot 0.0008F

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

k' p = 2.66 \cdot 0.0008

Próximo paso Evaluar

∴

k' p = 0.002128S

Último paso Convertir a unidad de salida

∴

k' p = 2.128mS

Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS Fórmula Elementos

variables

Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS

El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.

Símbolo: k'_p

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: mS

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS

Movilidad de agujeros en canal

La movilidad de los agujeros en el canal depende de varios factores, como la estructura cristalina del material semiconductor, la presencia de impurezas, la temperatura,

Símbolo: μ_p

Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Movilidad de agujeros en canal

Capacitancia de óxido

La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medición: CapacidadUnidad: F

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Capacitancia de óxido

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal P

Ir Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

¿Cómo evaluar Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS?

El evaluador de Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS usa Process Transconductance Parameter in PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido para evaluar Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS, El parámetro de transconductancia del proceso de PMOS es el producto de la movilidad de los orificios en el canal y la capacitancia del óxido. Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS se indica mediante el símbolo k'_p.

¿Cómo evaluar Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS, ingrese Movilidad de agujeros en canal (μ_p) & Capacitancia de óxido (C_ox) y presione el botón calcular.

FAQs en Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS?

La fórmula de Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS se expresa como Process Transconductance Parameter in PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido. Aquí hay un ejemplo: 2128 = 2.66*0.0008.

¿Cómo calcular Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS?

Con Movilidad de agujeros en canal (μ_p) & Capacitancia de óxido (C_ox) podemos encontrar Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS usando la fórmula - Process Transconductance Parameter in PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido.

¿Puede el Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS ser negativo?

Sí, el Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS, medido en Conductancia eléctrica poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS?

Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS generalmente se mide usando milisiemens[mS] para Conductancia eléctrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS.

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Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS Fórmula

Ejemplo de Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

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