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Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS Fórmula

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El parámetro del efecto de puerta trasera se refiere a un fenómeno que ocurre en los transistores de efecto de campo, que son dispositivos electrónicos utilizados para amplificación, conmutación y otros fines. Marque FAQs

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot N d}}{C ox}

γ_p - Parámetro de efecto de puerta trasera?N_d - Concentración de donantes?C_ox - Capacitancia de óxido?[Permitivity-vacuum] - Permitividad del vacío?[Charge-e] - carga de electrones?

Ejemplo de Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS.

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1.6E-19C \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS?

Primer paso Considere la fórmula

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot N d}}{C ox}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

Próximo paso Valores sustitutos de constantes

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1.6E-19C \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

Próximo paso Evaluar

∴

γ p = 0.0290154053183929

Último paso Respuesta de redondeo

∴

γ p = 0.029

Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS Fórmula Elementos

variables

Constantes

Funciones

Parámetro de efecto de puerta trasera

Símbolo: γ_p

Medición: NAUnidad: Unitless

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Parámetro de efecto de puerta trasera

Concentración de donantes

La concentración de donantes es física de semiconductores y se refiere al número de átomos de impurezas donantes por unidad de volumen de un material semiconductor.

Símbolo: N_d

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/m³

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Concentración de donantes

Capacitancia de óxido

La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medición: CapacidadUnidad: F

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Capacitancia de óxido

Permitividad del vacío

La permitividad del vacío es una constante física fundamental que describe la capacidad del vacío para permitir la transmisión de líneas de campo eléctrico.

Símbolo: [Permitivity-vacuum]

Valor: 8.85E-12 F/m

carga de electrones

La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

sqrt

Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.

Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal P

Ir Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

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I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

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I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

¿Cómo evaluar Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS?

El evaluador de Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS usa Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido para evaluar Parámetro de efecto de puerta trasera, El parámetro de efecto de puerta trasera en la fórmula PMOS representa el cambio en el voltaje de umbral para un cambio dado en el voltaje de puerta trasera. Parámetro de efecto de puerta trasera se indica mediante el símbolo γ_p.

¿Cómo evaluar Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS, ingrese Concentración de donantes (N_d) & Capacitancia de óxido (C_ox) y presione el botón calcular.

FAQs en Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS?

La fórmula de Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS se expresa como Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido. Aquí hay un ejemplo: 0.029015 = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008.

¿Cómo calcular Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS?

Con Concentración de donantes (N_d) & Capacitancia de óxido (C_ox) podemos encontrar Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS usando la fórmula - Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido. Esta fórmula también utiliza funciones Permitividad del vacío, carga de electrones constante(s) y Raíz cuadrada (sqrt).

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Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS Fórmula

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