Movilidad en Mosfet Fórmula

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La movilidad en MOSFET se define en función de la capacidad de un electrón de moverse rápidamente a través de un metal o semiconductor, cuando es atraído por un campo eléctrico. Marque FAQs
μeff=KpCox
μeff - Movilidad en MOSFET?Kp - k primer?Cox - Capacitancia de la capa de óxido de puerta?

Ejemplo de Movilidad en Mosfet

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Movilidad en Mosfet con Valores.

Así es como se ve la ecuación Movilidad en Mosfet con unidades.

Así es como se ve la ecuación Movilidad en Mosfet.

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Movilidad en Mosfet Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Movilidad en Mosfet?

Primer paso Considere la fórmula
μeff=KpCox
Próximo paso Valores sustitutos de variables
μeff=4.502cm²/V*s29.83μF/mm²
Próximo paso Convertir unidades
μeff=0.0005m²/V*s29.83F/m²
Próximo paso Prepárese para evaluar
μeff=0.000529.83
Próximo paso Evaluar
μeff=1.50921890714046E-05m²/V*s
Próximo paso Convertir a unidad de salida
μeff=0.150921890714046cm²/V*s
Último paso Respuesta de redondeo
μeff=0.1509cm²/V*s

Movilidad en Mosfet Fórmula Elementos

variables
Movilidad en MOSFET
La movilidad en MOSFET se define en función de la capacidad de un electrón de moverse rápidamente a través de un metal o semiconductor, cuando es atraído por un campo eléctrico.
Símbolo: μeff
Medición: MovilidadUnidad: cm²/V*s
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
k primer
K Prime es la constante de velocidad inversa de la reacción.
Símbolo: Kp
Medición: MovilidadUnidad: cm²/V*s
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Capacitancia de la capa de óxido de puerta
La capacitancia de la capa de óxido de puerta se define como la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.
Símbolo: Cox
Medición: Capacitancia de óxido por unidad de áreaUnidad: μF/mm²
Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Otras fórmulas en la categoría Optimización de materiales VLSI

​Ir Coeficiente de efecto corporal
γ=modu̲s(Vt-Vt0Φs+(Vsb)-Φs)
​Ir Carga de canal
Qch=Cg(Vgc-Vt)
​Ir Voltaje crítico
Vx=ExEch
​Ir Coeficiente DIBL
η=Vt0-VtVds

¿Cómo evaluar Movilidad en Mosfet?

El evaluador de Movilidad en Mosfet usa Mobility in MOSFET = k primer/Capacitancia de la capa de óxido de puerta para evaluar Movilidad en MOSFET, La fórmula Mobility in Mosfet se define como la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico. Movilidad en MOSFET se indica mediante el símbolo μeff.

¿Cómo evaluar Movilidad en Mosfet usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Movilidad en Mosfet, ingrese k primer (Kp) & Capacitancia de la capa de óxido de puerta (Cox) y presione el botón calcular.

FAQs en Movilidad en Mosfet

¿Cuál es la fórmula para encontrar Movilidad en Mosfet?
La fórmula de Movilidad en Mosfet se expresa como Mobility in MOSFET = k primer/Capacitancia de la capa de óxido de puerta. Aquí hay un ejemplo: 1500.167 = 0.0004502/29.83.
¿Cómo calcular Movilidad en Mosfet?
Con k primer (Kp) & Capacitancia de la capa de óxido de puerta (Cox) podemos encontrar Movilidad en Mosfet usando la fórmula - Mobility in MOSFET = k primer/Capacitancia de la capa de óxido de puerta.
¿Puede el Movilidad en Mosfet ser negativo?
No, el Movilidad en Mosfet, medido en Movilidad no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Movilidad en Mosfet?
Movilidad en Mosfet generalmente se mide usando centímetro cuadrado por segundo voltio[cm²/V*s] para Movilidad. Metro cuadrado por voltio por segundo[cm²/V*s] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Movilidad en Mosfet.
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