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MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto Fórmula

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Resistencia lineal, la cantidad de oposición o resistencia es directamente proporcional a la cantidad de corriente que fluye a través de ella, como lo describe la Ley de Ohm. Marque FAQs

R ds = \frac{L}{μ s \cdot C ox \cdot W c \cdot V eff}

R_ds - Resistencia lineal?L - Longitud del canal?μ_s - Movilidad de electrones en la superficie del canal.?C_ox - Capacitancia de óxido?W_c - Ancho de banda?V_eff - Voltaje efectivo?

Ejemplo de MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto con Valores.

Así es como se ve la ecuación MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto con unidades.

Así es como se ve la ecuación MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto.

0.1647 = \frac{100}{38 \cdot 940 \cdot 10 \cdot 1.7}

0.1647kΩ = \frac{100μm}{38m²/V*s \cdot 940μF \cdot 10μm \cdot 1.7V}

0.1647 = \frac{100}{38 \cdot 940 \cdot 10 \cdot 1.7}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto

MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto?

Primer paso Considere la fórmula

R ds = \frac{L}{μ s \cdot C ox \cdot W c \cdot V eff}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

R ds = \frac{100μm}{38m²/V*s \cdot 940μF \cdot 10μm \cdot 1.7V}

Próximo paso Convertir unidades

∴

R ds = \frac{0.0001m}{38m²/V*s \cdot 0.0009F \cdot 1E-5m \cdot 1.7V}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

R ds = \frac{0.0001}{38 \cdot 0.0009 \cdot 1E-5 \cdot 1.7}

Próximo paso Evaluar

∴

R ds = 164.679533627561Ω

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

R ds = 0.164679533627561kΩ

Último paso Respuesta de redondeo

∴

R ds = 0.1647kΩ

MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto Fórmula Elementos

variables

Resistencia lineal

Resistencia lineal, la cantidad de oposición o resistencia es directamente proporcional a la cantidad de corriente que fluye a través de ella, como lo describe la Ley de Ohm.

Símbolo: R_ds

Medición: Resistencia electricaUnidad: kΩ

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Resistencia lineal

Longitud del canal

La longitud del canal se refiere a la distancia entre los terminales de fuente y drenaje en un transistor de efecto de campo (FET).

Símbolo: L

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Longitud del canal

Movilidad de electrones en la superficie del canal.

La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o viajar a través de la superficie de un material semiconductor, como un canal de silicio en un transistor.

Símbolo: μ_s

Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Movilidad de electrones en la superficie del canal.

Capacitancia de óxido

La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medición: CapacidadUnidad: μF

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitancia de óxido

Ancho de banda

El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).

Símbolo: W_c

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Ancho de banda

Voltaje efectivo

El voltaje efectivo en un MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es el voltaje que determina el comportamiento del dispositivo. También se conoce como voltaje puerta-fuente.

Símbolo: V_eff

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje efectivo

Otras fórmulas para encontrar Resistencia lineal

Ir MOSFET como resistencia lineal

R ds = \frac{1}{G}

Otras fórmulas en la categoría Resistencia

Ir Trayectoria libre media de electrones

λ = \frac{1}{R out \cdot i d}

Ir Resistencia de salida de drenaje

R out = \frac{1}{λ \cdot i d}

Ir Resistencia finita entre drenaje y fuente

R fi = mod \underset{̲}{u} s \frac{V a}{i d}

Ir Conductancia en resistencia lineal de MOSFET

G = \frac{1}{R ds}

¿Cómo evaluar MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto?

El evaluador de MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto usa Linear Resistance = Longitud del canal/(Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Voltaje efectivo) para evaluar Resistencia lineal, El MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto actúa como una resistencia variable en la región lineal y como una fuente de corriente en la región de saturación. A diferencia de un BJT, para usar un MOSFET como interruptor, debe operar dentro de la región lineal. Resistencia lineal se indica mediante el símbolo R_ds.

¿Cómo evaluar MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto, ingrese Longitud del canal (L), Movilidad de electrones en la superficie del canal. (μ_s), Capacitancia de óxido (C_ox), Ancho de banda (W_c) & Voltaje efectivo (V_eff) y presione el botón calcular.

FAQs en MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto

¿Cuál es la fórmula para encontrar MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto?

La fórmula de MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto se expresa como Linear Resistance = Longitud del canal/(Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Voltaje efectivo). Aquí hay un ejemplo: 0.000165 = 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7).

¿Cómo calcular MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto?

Con Longitud del canal (L), Movilidad de electrones en la superficie del canal. (μ_s), Capacitancia de óxido (C_ox), Ancho de banda (W_c) & Voltaje efectivo (V_eff) podemos encontrar MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto usando la fórmula - Linear Resistance = Longitud del canal/(Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Voltaje efectivo).

¿Cuáles son las otras formas de calcular Resistencia lineal?

Estas son las diferentes formas de calcular Resistencia lineal-

Linear Resistance=1/Conductance of Channel

¿Puede el MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto ser negativo?

No, el MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto, medido en Resistencia electrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto?

MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto generalmente se mide usando kilohmios[kΩ] para Resistencia electrica. Ohm[kΩ], Megaohmio[kΩ], Microhm[kΩ] son las pocas otras unidades en las que se puede medir MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto.

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Otras fórmulas para encontrar Resistencia lineal

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¿Cómo evaluar MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto?

FAQs en MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto

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