Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas Fórmula

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La ganancia de potencia máxima de un transistor de microondas es la frecuencia a la que el transistor funciona de manera óptima. Marque FAQs
Gmax=(fTCf)2ZoutZin
Gmax - Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas?fTC - Frecuencia de corte del tiempo de tránsito?f - Frecuencia de ganancia de potencia?Zout - Impedancia de salida?Zin - Impedencia de entrada?

Ejemplo de Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas con Valores.

Así es como se ve la ecuación Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas con unidades.

Así es como se ve la ecuación Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas.

3.4E-5Edit=(2.08Edit80Edit)20.27Edit5.4Edit
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Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas?

Primer paso Considere la fórmula
Gmax=(fTCf)2ZoutZin
Próximo paso Valores sustitutos de variables
Gmax=(2.08Hz80Hz)20.27Ω5.4Ω
Próximo paso Prepárese para evaluar
Gmax=(2.0880)20.275.4
Próximo paso Evaluar
Gmax=3.38E-05
Último paso Respuesta de redondeo
Gmax=3.4E-5

Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas Fórmula Elementos

variables
Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas
La ganancia de potencia máxima de un transistor de microondas es la frecuencia a la que el transistor funciona de manera óptima.
Símbolo: Gmax
Medición: NAUnidad: Unitless
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Frecuencia de corte del tiempo de tránsito
La frecuencia de corte del tiempo de tránsito se relaciona con el tiempo que tardan los portadores de carga (electrones o huecos) en transitar a través del dispositivo.
Símbolo: fTC
Medición: FrecuenciaUnidad: Hz
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Frecuencia de ganancia de potencia
La frecuencia de ganancia de potencia se refiere a la frecuencia a la que la ganancia de potencia del dispositivo comienza a disminuir.
Símbolo: f
Medición: FrecuenciaUnidad: Hz
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Impedancia de salida
La impedancia de salida se refiere a la impedancia o resistencia que un dispositivo o circuito presenta a la carga externa conectada a su salida.
Símbolo: Zout
Medición: Resistencia electricaUnidad: Ω
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Impedencia de entrada
La impedancia de entrada es la impedancia o resistencia equivalente que presenta un dispositivo o circuito en sus terminales de entrada cuando se aplica una señal.
Símbolo: Zin
Medición: Resistencia electricaUnidad: Ω
Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Otras fórmulas en la categoría Amplificadores de transistores

​Ir Frecuencia de corte MESFET
fco=Gm2πCgs
​Ir Frecuencia máxima de funcionamiento
fmax=fco2RdRs+Ri+Rg
​Ir Transconductancia en la región de saturación en MESFET
Gm=g0(1-Vi-VGVp)
​Ir Frecuencia máxima de oscilación
fmax o=vs2πLc

¿Cómo evaluar Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas?

El evaluador de Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas usa Maximum Power Gain of a Microwave Transistor = (Frecuencia de corte del tiempo de tránsito/Frecuencia de ganancia de potencia)^2*Impedancia de salida/Impedencia de entrada para evaluar Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas, La fórmula de ganancia máxima de potencia del transistor de microondas se define como la frecuencia a la que el transistor opera de manera óptima. Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas se indica mediante el símbolo Gmax.

¿Cómo evaluar Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas, ingrese Frecuencia de corte del tiempo de tránsito (fTC), Frecuencia de ganancia de potencia (f), Impedancia de salida (Zout) & Impedencia de entrada (Zin) y presione el botón calcular.

FAQs en Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas

¿Cuál es la fórmula para encontrar Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas?
La fórmula de Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas se expresa como Maximum Power Gain of a Microwave Transistor = (Frecuencia de corte del tiempo de tránsito/Frecuencia de ganancia de potencia)^2*Impedancia de salida/Impedencia de entrada. Aquí hay un ejemplo: 3.4E-5 = (2.08/80)^2*0.27/5.4.
¿Cómo calcular Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas?
Con Frecuencia de corte del tiempo de tránsito (fTC), Frecuencia de ganancia de potencia (f), Impedancia de salida (Zout) & Impedencia de entrada (Zin) podemos encontrar Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas usando la fórmula - Maximum Power Gain of a Microwave Transistor = (Frecuencia de corte del tiempo de tránsito/Frecuencia de ganancia de potencia)^2*Impedancia de salida/Impedencia de entrada.
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