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Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET Fórmula

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Carga de electrones en el canal se refiere a la cantidad de carga transportada por un electrón en la banda de conducción del material semiconductor utilizado en el dispositivo. Marque FAQs
Qe=Cox⋅Wc⋅L⋅Veff
Qe - Carga de electrones en el canal?Cox - Capacitancia de óxido?Wc - Ancho de banda?L - Longitud del canal?Veff - Voltaje efectivo?

Ejemplo de Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET con Valores.

Así es como se ve la ecuación Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET con unidades.

Así es como se ve la ecuación Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET.

1.598Edit=940Edit⋅10Edit⋅100Edit⋅1.7Edit
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HomeIcon Hogar » Category Ingenieria » Category Electrónica » Category Electrónica analógica » fx Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET

Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET?

Primer paso Considere la fórmula
Qe=Cox⋅Wc⋅L⋅Veff
Próximo paso Valores sustitutos de variables
∴ Qe=940μF⋅10μm⋅100μm⋅1.7V
Próximo paso Convertir unidades
∴ Qe=0.0009F⋅1E-5m⋅0.0001m⋅1.7V
Próximo paso Prepárese para evaluar
∴ Qe=0.0009⋅1E-5⋅0.0001⋅1.7
Próximo paso Evaluar
∴Qe=1.598E-12C
Último paso Convertir a unidad de salida
∴Qe=1.598pC

Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET Fórmula Elementos

variables
Carga de electrones en el canal
Carga de electrones en el canal se refiere a la cantidad de carga transportada por un electrón en la banda de conducción del material semiconductor utilizado en el dispositivo.
Símbolo: Qe
Medición: Carga eléctricaUnidad: pC
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Fórmulas para encontrar Carga de electrones en el canalOpen Variable
Capacitancia de óxido
La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.
Símbolo: Cox
Medición: CapacidadUnidad: μF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Fórmulas para encontrar Capacitancia de óxidoOpen Variable
Ancho de banda
El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).
Símbolo: Wc
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Fórmulas para encontrar Ancho de bandaOpen Variable
Longitud del canal
La longitud del canal se refiere a la distancia entre los terminales de fuente y drenaje en un transistor de efecto de campo (FET).
Símbolo: L
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Fórmulas para encontrar Longitud del canalOpen Variable
Voltaje efectivo
El voltaje efectivo en un MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es el voltaje que determina el comportamiento del dispositivo. También se conoce como voltaje puerta-fuente.
Símbolo: Veff
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Fórmulas para encontrar Voltaje efectivoOpen Variable

Otras fórmulas en la categoría Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia

​Ir Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET
Wc=CocCox⋅Lov
​Ir Capacitancia de superposición de MOSFET
Coc=Wc⋅Cox⋅Lov
​Ir Capacitancia total entre puerta y canal de MOSFET
Cg=Cox⋅Wc⋅L
​Ir Frecuencia de transición de MOSFET
ft=gm2⋅π⋅(Csg+Cgd)

¿Cómo evaluar Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET?

El evaluador de Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET usa Electron Charge in Channel = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal*Voltaje efectivo para evaluar Carga de electrones en el canal, La magnitud de la carga de electrones en el canal de MOSFET viene dada por |Q| = Cox (WL)Vov donde Cox, llamada capacitancia de óxido, es la capacitancia del capacitor de placas paralelas por unidad de área de puerta (en unidades de F/m. Carga de electrones en el canal se indica mediante el símbolo Qe.

¿Cómo evaluar Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET, ingrese Capacitancia de óxido (Cox), Ancho de banda (Wc), Longitud del canal (L) & Voltaje efectivo (Veff) y presione el botón calcular.

FAQs en Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET

¿Cuál es la fórmula para encontrar Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET?
La fórmula de Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET se expresa como Electron Charge in Channel = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal*Voltaje efectivo. Aquí hay un ejemplo: 1.6E+12 = 0.00094*1E-05*0.0001*1.7.
¿Cómo calcular Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET?
Con Capacitancia de óxido (Cox), Ancho de banda (Wc), Longitud del canal (L) & Voltaje efectivo (Veff) podemos encontrar Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET usando la fórmula - Electron Charge in Channel = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal*Voltaje efectivo.
¿Puede el Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET ser negativo?
Sí, el Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET, medido en Carga eléctrica poder sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET?
Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET generalmente se mide usando Picoculombio[pC] para Carga eléctrica. Culombio[pC], kiloculombio[pC], miliculombio[pC] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET.
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