Impureza con concentración intrínseca Fórmula

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La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco. Marque FAQs
ni=nepto
ni - Concentración intrínseca?ne - Concentración de electrones?p - Concentración de agujeros?to - Impureza de temperatura?

Ejemplo de Impureza con concentración intrínseca

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Impureza con concentración intrínseca con Valores.

Así es como se ve la ecuación Impureza con concentración intrínseca con unidades.

Así es como se ve la ecuación Impureza con concentración intrínseca.

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Impureza con concentración intrínseca Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Impureza con concentración intrínseca?

Primer paso Considere la fórmula
ni=nepto
Próximo paso Valores sustitutos de variables
ni=50.61/cm³0.691/cm³20K
Próximo paso Convertir unidades
ni=5.1E+71/m³6900001/m³20K
Próximo paso Prepárese para evaluar
ni=5.1E+769000020
Próximo paso Evaluar
ni=1321249.408703751/m³
Próximo paso Convertir a unidad de salida
ni=1.321249408703751/cm³
Último paso Respuesta de redondeo
ni=1.32121/cm³

Impureza con concentración intrínseca Fórmula Elementos

variables
Funciones
Concentración intrínseca
La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Símbolo: ni
Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Concentración de electrones
La concentración de electrones está influenciada por varios factores, como la temperatura, las impurezas o dopantes agregados al material semiconductor y los campos eléctricos o magnéticos externos.
Símbolo: ne
Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Concentración de agujeros
La concentración de huecos implica una mayor cantidad de portadores de carga disponibles en el material, lo que afecta su conductividad y varios dispositivos semiconductores.
Símbolo: p
Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Impureza de temperatura
Impureza de temperatura: un índice base que representa la temperatura promedio del aire en diferentes escalas de tiempo.
Símbolo: to
Medición: La temperaturaUnidad: K
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
sqrt
Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.
Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados bipolares

​Ir Conductividad óhmica de la impureza
σ=q(μnne+μpp)
​Ir Voltaje de ruptura del emisor colector
Vce=Vcb(ig)1n
​Ir Conductividad de tipo N
σ=q(μnNd+μp(ni2Nd))
​Ir Conductividad del tipo P
σ=q(μn(ni2Na)+μpNa)

¿Cómo evaluar Impureza con concentración intrínseca?

El evaluador de Impureza con concentración intrínseca usa Intrinsic Concentration = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura) para evaluar Concentración intrínseca, La fórmula de impureza con concentración intrínseca se define como si se agrega alguna impureza (ya sea trivalente o pentavalente) al semiconductor intrínseco, esto aumentará la concentración o densidad de los portadores de carga (ya sean huecos o electrones) y, a su vez, aumentará su conductividad. Concentración intrínseca se indica mediante el símbolo ni.

¿Cómo evaluar Impureza con concentración intrínseca usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Impureza con concentración intrínseca, ingrese Concentración de electrones (ne), Concentración de agujeros (p) & Impureza de temperatura (to) y presione el botón calcular.

FAQs en Impureza con concentración intrínseca

¿Cuál es la fórmula para encontrar Impureza con concentración intrínseca?
La fórmula de Impureza con concentración intrínseca se expresa como Intrinsic Concentration = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura). Aquí hay un ejemplo: 1.2E-6 = sqrt((50600000*690000)/20).
¿Cómo calcular Impureza con concentración intrínseca?
Con Concentración de electrones (ne), Concentración de agujeros (p) & Impureza de temperatura (to) podemos encontrar Impureza con concentración intrínseca usando la fórmula - Intrinsic Concentration = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura). Esta fórmula también utiliza funciones Raíz cuadrada (sqrt).
¿Puede el Impureza con concentración intrínseca ser negativo?
No, el Impureza con concentración intrínseca, medido en Concentración de portadores no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Impureza con concentración intrínseca?
Impureza con concentración intrínseca generalmente se mide usando 1 por centímetro cúbico[1/cm³] para Concentración de portadores. 1 por metro cúbico[1/cm³], por litro[1/cm³] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Impureza con concentración intrínseca.
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