Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS Fórmula

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La corriente subumbral es una fuga subumbral a través de transistores APAGADOS. Marque FAQs
ist=(PstVbc)-(ig+icon+ij)
ist - Corriente subumbral?Pst - Potencia estática CMOS?Vbc - Voltaje base del colector?ig - Corriente de puerta?icon - Contención actual?ij - Corriente de unión?

Ejemplo de Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS.

1.6015Edit=(67.37Edit2.02Edit)-(4.5Edit+25.75Edit+1.5Edit)
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Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS?

Primer paso Considere la fórmula
ist=(PstVbc)-(ig+icon+ij)
Próximo paso Valores sustitutos de variables
ist=(67.37mW2.02V)-(4.5mA+25.75mA+1.5mA)
Próximo paso Convertir unidades
ist=(0.0674W2.02V)-(0.0045A+0.0258A+0.0015A)
Próximo paso Prepárese para evaluar
ist=(0.06742.02)-(0.0045+0.0258+0.0015)
Próximo paso Evaluar
ist=0.00160148514851485A
Próximo paso Convertir a unidad de salida
ist=1.60148514851485mA
Último paso Respuesta de redondeo
ist=1.6015mA

Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS Fórmula Elementos

variables
Corriente subumbral
La corriente subumbral es una fuga subumbral a través de transistores APAGADOS.
Símbolo: ist
Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Potencia estática CMOS
La potencia estática CMOS se define como la corriente de fuga debido al muy bajo consumo de energía estática en los dispositivos CMOS.
Símbolo: Pst
Medición: EnergíaUnidad: mW
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje base del colector
El voltaje del colector base es un parámetro crucial en la polarización de transistores. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales base y colector del transistor cuando está en su estado activo.
Símbolo: Vbc
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Corriente de puerta
La corriente de compuerta se define como cuando no hay voltaje entre la compuerta y los terminales de la fuente, no fluye corriente en el drenaje excepto la corriente de fuga, debido a una impedancia muy alta de la fuente del drenaje.
Símbolo: ig
Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Contención actual
La corriente de contención se define como la corriente de contención que ocurre en los circuitos proporcionales.
Símbolo: icon
Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Corriente de unión
La corriente de unión es una fuga en la unión de las difusiones de fuente/drenaje.
Símbolo: ij
Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA
Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Otras fórmulas en la categoría Métricas de potencia CMOS

​Ir Factor de actividad
α=PsCVbc2f
​Ir Poder de conmutación
Ps=α(CVbc2f)
​Ir Potencia dinámica en CMOS
Pdyn=Psc+Ps
​Ir Alimentación de cortocircuito en CMOS
Psc=Pdyn-Ps

¿Cómo evaluar Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS?

El evaluador de Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS usa Subthreshold Current = (Potencia estática CMOS/Voltaje base del colector)-(Corriente de puerta+Contención actual+Corriente de unión) para evaluar Corriente subumbral, La fórmula de fuga subumbral a través de transistores APAGADOS se define como conducción subumbral o fuga subumbral o corriente de drenaje subumbral, que es la corriente entre la fuente y el drenaje de un MOSFET cuando el transistor está en la región subumbral o región de inversión débil, es decir, para voltajes de puerta a fuente por debajo del voltaje de umbral. Corriente subumbral se indica mediante el símbolo ist.

¿Cómo evaluar Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS, ingrese Potencia estática CMOS (Pst), Voltaje base del colector (Vbc), Corriente de puerta (ig), Contención actual (icon) & Corriente de unión (ij) y presione el botón calcular.

FAQs en Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS?
La fórmula de Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS se expresa como Subthreshold Current = (Potencia estática CMOS/Voltaje base del colector)-(Corriente de puerta+Contención actual+Corriente de unión). Aquí hay un ejemplo: 22231.49 = (0.06737/2.02)-(0.0045+0.02575+0.0015).
¿Cómo calcular Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS?
Con Potencia estática CMOS (Pst), Voltaje base del colector (Vbc), Corriente de puerta (ig), Contención actual (icon) & Corriente de unión (ij) podemos encontrar Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS usando la fórmula - Subthreshold Current = (Potencia estática CMOS/Voltaje base del colector)-(Corriente de puerta+Contención actual+Corriente de unión).
¿Puede el Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS ser negativo?
No, el Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS, medido en Corriente eléctrica no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS?
Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS generalmente se mide usando Miliamperio[mA] para Corriente eléctrica. Amperio[mA], Microamperio[mA], centiamperio[mA] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS.
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