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Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva Fórmula

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La corriente de drenaje de saturación por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente de subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de puerta a fuente. Marque FAQs

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ov)}^{2}

I_ds - Corriente de drenaje de saturación?k'_n - Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS?W_c - Ancho de canal?L - Longitud del Canal?V_ov - Voltaje de sobremarcha en NMOS?

Ejemplo de Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva con Valores.

Así es como se ve la ecuación Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva con unidades.

Así es como se ve la ecuación Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva.

239.7013 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(8.48)}^{2}

239.7013mA = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(8.48V)}^{2}

239.7013 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(8.48)}^{2}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva

Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva?

Primer paso Considere la fórmula

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ov)}^{2}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(8.48V)}^{2}

Próximo paso Convertir unidades

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 0.002S \cdot \frac{1E-5m}{3E-6m} \cdot {(8.48V)}^{2}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 0.002 \cdot \frac{1E-5}{3E-6} \cdot {(8.48)}^{2}

Próximo paso Evaluar

∴

I ds = 0.239701333333333A

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

I ds = 239.701333333333mA

Último paso Respuesta de redondeo

∴

I ds = 239.7013mA

Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva Fórmula Elementos

variables

Corriente de drenaje de saturación

La corriente de drenaje de saturación por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente de subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de puerta a fuente.

Símbolo: I_ds

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de drenaje de saturación

Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS

El parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.

Símbolo: k'_n

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: mS

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS

Ancho de canal

El ancho de canal se refiere a la cantidad de ancho de banda disponible para transmitir datos dentro de un canal de comunicación.

Símbolo: W_c

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Ancho de canal

Longitud del Canal

La longitud del canal se puede definir como la distancia entre sus puntos inicial y final, y puede variar mucho según su propósito y ubicación.

Símbolo: L

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Longitud del Canal

Voltaje de sobremarcha en NMOS

El voltaje de sobremarcha en NMOS generalmente se refiere al voltaje aplicado a un dispositivo o componente que excede su voltaje de funcionamiento normal.

Símbolo: V_ov

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Voltaje de sobremarcha en NMOS

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal N

Ir Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

v d = μ n \cdot E L

Ir NMOS como resistencia lineal

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Ir Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Ir Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

¿Cómo evaluar Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva?

El evaluador de Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva usa Saturation Drain Current = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de sobremarcha en NMOS)^2 para evaluar Corriente de drenaje de saturación, La corriente que ingresa a la fuente de drenaje en la región de saturación de NMOS dada la corriente de drenaje de voltaje efectivo primero aumenta linealmente con el voltaje de drenaje a fuente aplicado, pero luego alcanza el valor máximo. Una capa de agotamiento ubicada en el extremo de drenaje de la compuerta acomoda voltaje adicional de drenaje a fuente. Este comportamiento se conoce como saturación de corriente de drenaje. Corriente de drenaje de saturación se indica mediante el símbolo I_ds.

¿Cómo evaluar Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva, ingrese Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (k'_n), Ancho de canal (W_c), Longitud del Canal (L) & Voltaje de sobremarcha en NMOS (V_ov) y presione el botón calcular.

FAQs en Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva

¿Cuál es la fórmula para encontrar Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva?

La fórmula de Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva se expresa como Saturation Drain Current = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de sobremarcha en NMOS)^2. Aquí hay un ejemplo: 239701.3 = 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.48)^2.

¿Cómo calcular Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva?

Con Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (k'_n), Ancho de canal (W_c), Longitud del Canal (L) & Voltaje de sobremarcha en NMOS (V_ov) podemos encontrar Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva usando la fórmula - Saturation Drain Current = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de sobremarcha en NMOS)^2.

¿Puede el Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva ser negativo?

No, el Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva, medido en Corriente eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva?

Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva generalmente se mide usando Miliamperio[mA] para Corriente eléctrica. Amperio[mA], Microamperio[mA], centiamperio[mA] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva.

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Ejemplo de Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva

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