Factor de ruido GaAs MESFET Fórmula

Fx Copiar
LaTeX Copiar
El factor de ruido es una medida de cuánto degrada un dispositivo la relación señal-ruido (SNR) de una señal a medida que pasa. Marque FAQs
NF=1+2ωCgsGmRs-RgateRi
NF - factor de ruido?ω - Frecuencia angular?Cgs - Capacitancia de la fuente de puerta?Gm - Transconductancia del MESFET?Rs - Resistencia de la fuente?Rgate - Resistencia de la puerta?Ri - Resistencia de entrada?

Ejemplo de Factor de ruido GaAs MESFET

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Factor de ruido GaAs MESFET con Valores.

Así es como se ve la ecuación Factor de ruido GaAs MESFET con unidades.

Así es como se ve la ecuación Factor de ruido GaAs MESFET.

1.0872Edit=1+253.25Edit56Edit0.0631Edit5Edit-1.6Edit4Edit
Copiar
Reiniciar
Compartir
Usted está aquí -
HomeIcon Hogar » Category Ingenieria » Category Electrónica » Category Teoría de microondas » fx Factor de ruido GaAs MESFET

Factor de ruido GaAs MESFET Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Factor de ruido GaAs MESFET?

Primer paso Considere la fórmula
NF=1+2ωCgsGmRs-RgateRi
Próximo paso Valores sustitutos de variables
NF=1+253.25rad/s56μF0.0631S5Ω-1.6Ω4Ω
Próximo paso Convertir unidades
NF=1+253.25rad/s5.6E-5F0.0631S5Ω-1.6Ω4Ω
Próximo paso Prepárese para evaluar
NF=1+253.255.6E-50.06315-1.64
Próximo paso Evaluar
NF=1.08717872137128dB
Último paso Respuesta de redondeo
NF=1.0872dB

Factor de ruido GaAs MESFET Fórmula Elementos

variables
Funciones
factor de ruido
El factor de ruido es una medida de cuánto degrada un dispositivo la relación señal-ruido (SNR) de una señal a medida que pasa.
Símbolo: NF
Medición: SonidoUnidad: dB
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Frecuencia angular
La frecuencia angular se refiere a la velocidad a la que oscila una forma de onda sinusoidal en el contexto de circuitos y señales eléctricos.
Símbolo: ω
Medición: Frecuencia angularUnidad: rad/s
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Capacitancia de la fuente de puerta
La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).
Símbolo: Cgs
Medición: CapacidadUnidad: μF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Transconductancia del MESFET
La transconductancia del MESFET es un parámetro clave en los MESFET, que representa el cambio en la corriente de drenaje con respecto al cambio en el voltaje de la puerta-fuente.
Símbolo: Gm
Medición: Conductancia eléctricaUnidad: S
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Resistencia de la fuente
La resistencia de fuente se refiere a la resistencia asociada con el terminal de fuente del transistor.
Símbolo: Rs
Medición: Resistencia electricaUnidad: Ω
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Resistencia de la puerta
La resistencia de puerta se refiere a la resistencia asociada con el terminal de puerta de un transistor de efecto de campo (FET).
Símbolo: Rgate
Medición: Resistencia electricaUnidad: Ω
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Resistencia de entrada
La resistencia de entrada se refiere a la resistencia presentada al terminal de entrada del dispositivo.
Símbolo: Ri
Medición: Resistencia electricaUnidad: Ω
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
sqrt
Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.
Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas en la categoría Amplificadores de transistores

​Ir Frecuencia de corte MESFET
fco=Gm2πCgs
​Ir Frecuencia máxima de funcionamiento
fmax=fco2RdRs+Ri+Rg

¿Cómo evaluar Factor de ruido GaAs MESFET?

El evaluador de Factor de ruido GaAs MESFET usa Noise Factor = 1+2*Frecuencia angular*Capacitancia de la fuente de puerta/Transconductancia del MESFET*sqrt((Resistencia de la fuente-Resistencia de la puerta)/Resistencia de entrada) para evaluar factor de ruido, La fórmula MESFET del factor de ruido GaAs se define como una medida de cuánto contribuye el dispositivo al ruido general en un sistema de comunicación. factor de ruido se indica mediante el símbolo NF.

¿Cómo evaluar Factor de ruido GaAs MESFET usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Factor de ruido GaAs MESFET, ingrese Frecuencia angular (ω), Capacitancia de la fuente de puerta (Cgs), Transconductancia del MESFET (Gm), Resistencia de la fuente (Rs), Resistencia de la puerta (Rgate) & Resistencia de entrada (Ri) y presione el botón calcular.

FAQs en Factor de ruido GaAs MESFET

¿Cuál es la fórmula para encontrar Factor de ruido GaAs MESFET?
La fórmula de Factor de ruido GaAs MESFET se expresa como Noise Factor = 1+2*Frecuencia angular*Capacitancia de la fuente de puerta/Transconductancia del MESFET*sqrt((Resistencia de la fuente-Resistencia de la puerta)/Resistencia de entrada). Aquí hay un ejemplo: 1.086769 = 1+2*53.25*5.6E-05/0.063072*sqrt((5-1.6)/4).
¿Cómo calcular Factor de ruido GaAs MESFET?
Con Frecuencia angular (ω), Capacitancia de la fuente de puerta (Cgs), Transconductancia del MESFET (Gm), Resistencia de la fuente (Rs), Resistencia de la puerta (Rgate) & Resistencia de entrada (Ri) podemos encontrar Factor de ruido GaAs MESFET usando la fórmula - Noise Factor = 1+2*Frecuencia angular*Capacitancia de la fuente de puerta/Transconductancia del MESFET*sqrt((Resistencia de la fuente-Resistencia de la puerta)/Resistencia de entrada). Esta fórmula también utiliza funciones Raíz cuadrada (sqrt).
¿Puede el Factor de ruido GaAs MESFET ser negativo?
No, el Factor de ruido GaAs MESFET, medido en Sonido no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Factor de ruido GaAs MESFET?
Factor de ruido GaAs MESFET generalmente se mide usando Decibel[dB] para Sonido. Bel[dB], Neper[dB] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Factor de ruido GaAs MESFET.
Copied!