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Efecto corporal en PMOS Fórmula

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El cambio en el voltaje de umbral puede deberse a varios factores, incluidos los cambios de temperatura, la exposición a la radiación y el envejecimiento. Marque FAQs

ΔV t = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

ΔV_t - Cambio en el voltaje de umbral?V_T - Voltaje de umbral?γ - Parámetro del proceso de fabricación?φ_f - Parámetro físico?V_SB - Voltaje entre el cuerpo y la fuente?

Ejemplo de Efecto corporal en PMOS

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Efecto corporal en PMOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Efecto corporal en PMOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Efecto corporal en PMOS.

1.6005 = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

1.6005V = 0.7V + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6V + 10V} - \sqrt{2 \cdot 0.6V})

1.6005 = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Efecto corporal en PMOS

Efecto corporal en PMOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Efecto corporal en PMOS?

Primer paso Considere la fórmula

ΔV t = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

ΔV t = 0.7V + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6V + 10V} - \sqrt{2 \cdot 0.6V})

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

ΔV t = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

Próximo paso Evaluar

∴

ΔV t = 1.60047799645039V

Último paso Respuesta de redondeo

∴

ΔV t = 1.6005V

Efecto corporal en PMOS Fórmula Elementos

variables

Funciones

Cambio en el voltaje de umbral

El cambio en el voltaje de umbral puede deberse a varios factores, incluidos los cambios de temperatura, la exposición a la radiación y el envejecimiento.

Símbolo: ΔV_t

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Cambio en el voltaje de umbral

Voltaje de umbral

El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.

Símbolo: V_T

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje de umbral

Parámetro del proceso de fabricación

El parámetro del proceso de fabricación es el proceso que comienza con la oxidación del sustrato de silicio en el que se deposita una capa de óxido relativamente gruesa en la superficie.

Símbolo: γ

Medición: NAUnidad: Unitless

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Parámetro del proceso de fabricación

Parámetro físico

Los parámetros físicos se pueden utilizar para describir el estado o condición de un sistema físico, o para caracterizar la forma en que el sistema responde a diversos estímulos o entradas.

Símbolo: φ_f

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Parámetro físico

Voltaje entre el cuerpo y la fuente

El voltaje entre el cuerpo y la fuente es importante porque puede afectar el funcionamiento seguro de los dispositivos electrónicos.

Símbolo: V_SB

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Voltaje entre el cuerpo y la fuente

sqrt

Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.

Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal P

Ir Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

¿Cómo evaluar Efecto corporal en PMOS?

El evaluador de Efecto corporal en PMOS usa Change in Threshold Voltage = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico)) para evaluar Cambio en el voltaje de umbral, El efecto Cuerpo en PMOS se refiere al cambio en el voltaje umbral del transistor (V. Cambio en el voltaje de umbral se indica mediante el símbolo ΔV_t.

¿Cómo evaluar Efecto corporal en PMOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Efecto corporal en PMOS, ingrese Voltaje de umbral (V_T), Parámetro del proceso de fabricación (γ), Parámetro físico (φ_f) & Voltaje entre el cuerpo y la fuente (V_SB) y presione el botón calcular.

FAQs en Efecto corporal en PMOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Efecto corporal en PMOS?

La fórmula de Efecto corporal en PMOS se expresa como Change in Threshold Voltage = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico)). Aquí hay un ejemplo: 1.600478 = 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6)).

¿Cómo calcular Efecto corporal en PMOS?

Con Voltaje de umbral (V_T), Parámetro del proceso de fabricación (γ), Parámetro físico (φ_f) & Voltaje entre el cuerpo y la fuente (V_SB) podemos encontrar Efecto corporal en PMOS usando la fórmula - Change in Threshold Voltage = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico)). Esta fórmula también utiliza funciones Raíz cuadrada (sqrt).

¿Puede el Efecto corporal en PMOS ser negativo?

No, el Efecto corporal en PMOS, medido en Potencial eléctrico no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Efecto corporal en PMOS?

Efecto corporal en PMOS generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Efecto corporal en PMOS.

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Efecto corporal en PMOS Fórmula

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