Efecto corporal en NMOS Fórmula

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El cambio en el voltaje de umbral puede deberse a varios factores, incluidos los cambios de temperatura, la exposición a la radiación y el envejecimiento. Marque FAQs
ΔVth=VT+γ(2φf+VSB-2φf)
ΔVth - Cambio en el voltaje de umbral?VT - Voltaje de umbral?γ - Parámetro del proceso de fabricación?φf - Parámetro físico?VSB - Voltaje entre el cuerpo y la fuente?

Ejemplo de Efecto corporal en NMOS

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Efecto corporal en NMOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Efecto corporal en NMOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Efecto corporal en NMOS.

37.2244Edit=1.82Edit+204Edit(213Edit+1.8Edit-213Edit)
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Efecto corporal en NMOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Efecto corporal en NMOS?

Primer paso Considere la fórmula
ΔVth=VT+γ(2φf+VSB-2φf)
Próximo paso Valores sustitutos de variables
ΔVth=1.82V+204(213V+1.8V-213V)
Próximo paso Prepárese para evaluar
ΔVth=1.82+204(213+1.8-213)
Próximo paso Evaluar
ΔVth=37.2244074665399V
Último paso Respuesta de redondeo
ΔVth=37.2244V

Efecto corporal en NMOS Fórmula Elementos

variables
Funciones
Cambio en el voltaje de umbral
El cambio en el voltaje de umbral puede deberse a varios factores, incluidos los cambios de temperatura, la exposición a la radiación y el envejecimiento.
Símbolo: ΔVth
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Voltaje de umbral
El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
Símbolo: VT
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Parámetro del proceso de fabricación
El parámetro del proceso de fabricación es el proceso que comienza con la oxidación del sustrato de silicio en el que se deposita una capa de óxido relativamente gruesa en la superficie.
Símbolo: γ
Medición: NAUnidad: Unitless
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Parámetro físico
Los parámetros físicos se pueden utilizar para describir el estado o condición de un sistema físico, o para caracterizar la forma en que el sistema responde a varios estímulos o entradas.
Símbolo: φf
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Voltaje entre el cuerpo y la fuente
El voltaje entre el cuerpo y la fuente es importante porque puede afectar el funcionamiento seguro de los dispositivos electrónicos.
Símbolo: VSB
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
sqrt
Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.
Sintaxis: sqrt(Number)

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¿Cómo evaluar Efecto corporal en NMOS?

El evaluador de Efecto corporal en NMOS usa Change in Threshold Voltage = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico)) para evaluar Cambio en el voltaje de umbral, El efecto de cuerpo en NMOS se refiere al cambio en el voltaje de umbral del transistor que resulta de una diferencia de voltaje entre la fuente del transistor y el cuerpo. Cambio en el voltaje de umbral se indica mediante el símbolo ΔVth.

¿Cómo evaluar Efecto corporal en NMOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Efecto corporal en NMOS, ingrese Voltaje de umbral (VT), Parámetro del proceso de fabricación (γ), Parámetro físico f) & Voltaje entre el cuerpo y la fuente (VSB) y presione el botón calcular.

FAQs en Efecto corporal en NMOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Efecto corporal en NMOS?
La fórmula de Efecto corporal en NMOS se expresa como Change in Threshold Voltage = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico)). Aquí hay un ejemplo: 37.22441 = 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13)).
¿Cómo calcular Efecto corporal en NMOS?
Con Voltaje de umbral (VT), Parámetro del proceso de fabricación (γ), Parámetro físico f) & Voltaje entre el cuerpo y la fuente (VSB) podemos encontrar Efecto corporal en NMOS usando la fórmula - Change in Threshold Voltage = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico)). Esta fórmula también utiliza funciones Raíz cuadrada (sqrt).
¿Puede el Efecto corporal en NMOS ser negativo?
Sí, el Efecto corporal en NMOS, medido en Potencial eléctrico poder sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Efecto corporal en NMOS?
Efecto corporal en NMOS generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Efecto corporal en NMOS.
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