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Efecto corporal en MOSFET Fórmula

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El voltaje umbral con sustrato es un parámetro crucial que define el punto en el que el transistor comienza a conducir corriente desde la fuente hasta el drenaje. Marque FAQs

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

V_t - Voltaje umbral con sustrato?V_th - Voltaje umbral con polarización corporal cero?γ - Parámetro de efecto corporal?Φ_f - Potencial de Fermi a granel?V_bs - Voltaje aplicado al cuerpo?

Ejemplo de Efecto corporal en MOSFET

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Efecto corporal en MOSFET con Valores.

Así es como se ve la ecuación Efecto corporal en MOSFET con unidades.

Así es como se ve la ecuación Efecto corporal en MOSFET.

3.9626 = 3.4 + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25 + 2.43} - \sqrt{2 \cdot 0.25})

3.9626V = 3.4V + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25V + 2.43V} - \sqrt{2 \cdot 0.25V})

3.9626 = 3.4 + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25 + 2.43} - \sqrt{2 \cdot 0.25})

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Circuitos integrados (CI) » fx Efecto corporal en MOSFET

Efecto corporal en MOSFET Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Efecto corporal en MOSFET?

Primer paso Considere la fórmula

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

V t = 3.4V + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25V + 2.43V} - \sqrt{2 \cdot 0.25V})

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

V t = 3.4 + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25 + 2.43} - \sqrt{2 \cdot 0.25})

Próximo paso Evaluar

∴

V t = 3.96258579757846V

Último paso Respuesta de redondeo

∴

V t = 3.9626V

Efecto corporal en MOSFET Fórmula Elementos

variables

Funciones

Voltaje umbral con sustrato

El voltaje umbral con sustrato es un parámetro crucial que define el punto en el que el transistor comienza a conducir corriente desde la fuente hasta el drenaje.

Símbolo: V_t

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje umbral con sustrato

Voltaje umbral con polarización corporal cero

El voltaje umbral con polarización corporal cero se refiere al voltaje umbral cuando no se aplica ninguna polarización externa al sustrato semiconductor (terminal del cuerpo).

Símbolo: V_th

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje umbral con polarización corporal cero

Parámetro de efecto corporal

El parámetro de efecto corporal es un parámetro que caracteriza la sensibilidad del voltaje umbral de MOSFET.

Símbolo: γ

Medición: NAUnidad: Unitless

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Parámetro de efecto corporal

Potencial de Fermi a granel

El potencial de Fermi en masa es un parámetro que describe el potencial electrostático en la masa (interior) de un material semiconductor.

Símbolo: Φ_f

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Potencial de Fermi a granel

Voltaje aplicado al cuerpo

El voltaje aplicado al cuerpo es el voltaje aplicado al terminal del cuerpo. Este voltaje puede tener un impacto significativo en el comportamiento y rendimiento del MOSFET.

Símbolo: V_bs

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje aplicado al cuerpo

sqrt

Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.

Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados MOS

Ir Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

Ir Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

Ir Resistencia del canal

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Ir Tiempo de propagación

T p = 0.7 \cdot N \cdot (\frac{N + 1}{2}) \cdot R m \cdot C l

¿Cómo evaluar Efecto corporal en MOSFET?

El evaluador de Efecto corporal en MOSFET usa Threshold Voltage with Substrate = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel)) para evaluar Voltaje umbral con sustrato, El Efecto Cuerpo en MOSFET se define como el fenómeno que describe cómo el voltaje aplicado al sustrato semiconductor (cuerpo) afecta el comportamiento del transistor. El efecto cuerpo ocurre debido al cambio en el voltaje umbral del MOSFET cuando se varía el voltaje entre la fuente y el sustrato. Voltaje umbral con sustrato se indica mediante el símbolo V_t.

¿Cómo evaluar Efecto corporal en MOSFET usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Efecto corporal en MOSFET, ingrese Voltaje umbral con polarización corporal cero (V_th), Parámetro de efecto corporal (γ), Potencial de Fermi a granel (Φ_f) & Voltaje aplicado al cuerpo (V_bs) y presione el botón calcular.

FAQs en Efecto corporal en MOSFET

¿Cuál es la fórmula para encontrar Efecto corporal en MOSFET?

La fórmula de Efecto corporal en MOSFET se expresa como Threshold Voltage with Substrate = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel)). Aquí hay un ejemplo: 3.962586 = 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25)).

¿Cómo calcular Efecto corporal en MOSFET?

Con Voltaje umbral con polarización corporal cero (V_th), Parámetro de efecto corporal (γ), Potencial de Fermi a granel (Φ_f) & Voltaje aplicado al cuerpo (V_bs) podemos encontrar Efecto corporal en MOSFET usando la fórmula - Threshold Voltage with Substrate = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel)). Esta fórmula también utiliza funciones Función de raíz cuadrada.

¿Puede el Efecto corporal en MOSFET ser negativo?

No, el Efecto corporal en MOSFET, medido en Potencial eléctrico no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Efecto corporal en MOSFET?

Efecto corporal en MOSFET generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Efecto corporal en MOSFET.

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