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Drenar la corriente de saturación de MOSFET Fórmula

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La corriente de drenaje de saturación es un parámetro importante en el diseño Marque FAQs

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V eff)}^{2}

I_d(sat) - Corriente de drenaje de saturación?k'_p - Proceso de transconductancia en PMOS?W_c - Ancho de banda?L - Longitud del canal?V_eff - Voltaje efectivo?

Ejemplo de Drenar la corriente de saturación de MOSFET

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Drenar la corriente de saturación de MOSFET con Valores.

Así es como se ve la ecuación Drenar la corriente de saturación de MOSFET con unidades.

Así es como se ve la ecuación Drenar la corriente de saturación de MOSFET.

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot \frac{10}{100} \cdot {(1.7)}^{2}

0.0838mA = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot {(1.7V)}^{2}

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot \frac{10}{100} \cdot {(1.7)}^{2}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Drenar la corriente de saturación de MOSFET

Drenar la corriente de saturación de MOSFET Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Drenar la corriente de saturación de MOSFET?

Primer paso Considere la fórmula

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V eff)}^{2}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot {(1.7V)}^{2}

Próximo paso Convertir unidades

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.0006S \cdot \frac{1E-5m}{0.0001m} \cdot {(1.7V)}^{2}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.0006 \cdot \frac{1E-5}{0.0001} \cdot {(1.7)}^{2}

Próximo paso Evaluar

∴

I d(sat) = 8.381E-05A

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

I d(sat) = 0.08381mA

Último paso Respuesta de redondeo

∴

I d(sat) = 0.0838mA

Drenar la corriente de saturación de MOSFET Fórmula Elementos

variables

Corriente de drenaje de saturación

La corriente de drenaje de saturación es un parámetro importante en el diseño

Símbolo: I_d(sat)

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de drenaje de saturación

Proceso de transconductancia en PMOS

La transconductancia del proceso en PMOS se refiere a la ganancia de un transistor PMOS con respecto a su voltaje de fuente de puerta.

Símbolo: k'_p

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: mS

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Proceso de transconductancia en PMOS

Ancho de banda

El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).

Símbolo: W_c

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Ancho de banda

Longitud del canal

La longitud del canal se refiere a la distancia entre los terminales de fuente y drenaje en un transistor de efecto de campo (FET).

Símbolo: L

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Longitud del canal

Voltaje efectivo

El voltaje efectivo en un MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es el voltaje que determina el comportamiento del dispositivo. También se conoce como voltaje puerta-fuente.

Símbolo: V_eff

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje efectivo

Otras fórmulas en la categoría Actual

Ir Primera corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

Ir Segunda corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

Ir Drenar corriente de MOSFET en operación de señal grande dado voltaje de sobremarcha

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

Ir Primera corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande dado voltaje de sobremarcha

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

¿Cómo evaluar Drenar la corriente de saturación de MOSFET?

El evaluador de Drenar la corriente de saturación de MOSFET usa Saturation Drain Current = 1/2*Proceso de transconductancia en PMOS*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje efectivo)^2 para evaluar Corriente de drenaje de saturación, La corriente de saturación de drenaje de MOSFET aquí "saturación" en MOSFET significa que el cambio en V. Corriente de drenaje de saturación se indica mediante el símbolo I_d(sat).

¿Cómo evaluar Drenar la corriente de saturación de MOSFET usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Drenar la corriente de saturación de MOSFET, ingrese Proceso de transconductancia en PMOS (k'_p), Ancho de banda (W_c), Longitud del canal (L) & Voltaje efectivo (V_eff) y presione el botón calcular.

FAQs en Drenar la corriente de saturación de MOSFET

¿Cuál es la fórmula para encontrar Drenar la corriente de saturación de MOSFET?

La fórmula de Drenar la corriente de saturación de MOSFET se expresa como Saturation Drain Current = 1/2*Proceso de transconductancia en PMOS*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje efectivo)^2. Aquí hay un ejemplo: 83.81 = 1/2*0.00058*1E-05/0.0001*(1.7)^2.

¿Cómo calcular Drenar la corriente de saturación de MOSFET?

Con Proceso de transconductancia en PMOS (k'_p), Ancho de banda (W_c), Longitud del canal (L) & Voltaje efectivo (V_eff) podemos encontrar Drenar la corriente de saturación de MOSFET usando la fórmula - Saturation Drain Current = 1/2*Proceso de transconductancia en PMOS*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje efectivo)^2.

¿Puede el Drenar la corriente de saturación de MOSFET ser negativo?

No, el Drenar la corriente de saturación de MOSFET, medido en Corriente eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Drenar la corriente de saturación de MOSFET?

Drenar la corriente de saturación de MOSFET generalmente se mide usando Miliamperio[mA] para Corriente eléctrica. Amperio[mA], Microamperio[mA], centiamperio[mA] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Drenar la corriente de saturación de MOSFET.

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Drenar la corriente de saturación de MOSFET Fórmula

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