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Drenar la corriente de la fuente al drenaje Fórmula

IrCorriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS Fórmula

IrCorriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Fórmula

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La corriente de drenaje es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET). Marque FAQs

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

I_d - Corriente de drenaje?W - Ancho de la unión?Q_p - Carga de capa de inversión?μ_p - Movilidad de agujeros en canal?E_y - Componente horizontal del campo eléctrico en el canal?

Ejemplo de Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Drenar la corriente de la fuente al drenaje con Valores.

Así es como se ve la ecuación Drenar la corriente de la fuente al drenaje con unidades.

Así es como se ve la ecuación Drenar la corriente de la fuente al drenaje.

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 2.66 \cdot 5.5)

29.5965mA = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 2.66m²/V*s \cdot 5.5V/m)

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 2.66 \cdot 5.5)

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Drenar la corriente de la fuente al drenaje Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Drenar la corriente de la fuente al drenaje?

Primer paso Considere la fórmula

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

I d = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 2.66m²/V*s \cdot 5.5V/m)

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

I d = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 2.66 \cdot 5.5)

Próximo paso Evaluar

∴

I d = 0.02959649A

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

I d = 29.59649mA

Último paso Respuesta de redondeo

∴

I d = 29.5965mA

Drenar la corriente de la fuente al drenaje Fórmula Elementos

variables

Corriente de drenaje

Símbolo: I_d

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Ancho de la unión

El ancho de la unión es el parámetro que indica el ancho de la unión base de cualquier elemento electrónico analógico.

Símbolo: W

Medición: LongitudUnidad: m

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Ancho de la unión

Carga de capa de inversión

La carga de la capa de inversión se refiere a la acumulación de portadores de carga en la interfaz entre el semiconductor y la capa de óxido aislante cuando se aplica un voltaje al electrodo de puerta.

Símbolo: Q_p

Medición: Densidad de carga superficialUnidad: C/m²

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Carga de capa de inversión

Movilidad de agujeros en canal

La movilidad de los agujeros en el canal depende de varios factores, como la estructura cristalina del material semiconductor, la presencia de impurezas, la temperatura,

Símbolo: μ_p

Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Movilidad de agujeros en canal

Componente horizontal del campo eléctrico en el canal

La Componente Horizontal del Campo Eléctrico en el Canal es la fuerza del campo eléctrico que existe en el material debajo de la capa de óxido de la puerta, en la región donde se forma la capa de inversión.

Símbolo: E_y

Medición: Fuerza de campo eléctricoUnidad: V/m

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Componente horizontal del campo eléctrico en el canal

Otras fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Ir Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Ir Corriente de drenaje general del transistor PMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

Ir Corriente en el canal de inversión de PMOS

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal P

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Ir Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

k' p = μ p \cdot C ox

Ir Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

V y = μ p \cdot E y

¿Cómo evaluar Drenar la corriente de la fuente al drenaje?

El evaluador de Drenar la corriente de la fuente al drenaje usa Drain Current = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal) para evaluar Corriente de drenaje, La corriente de drenaje de fuente a drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov, la corriente de drenaje primero aumenta linealmente con el voltaje aplicado de drenaje a fuente, pero luego alcanza un valor máximo. Una capa de agotamiento ubicada en el extremo de drenaje de la compuerta acomoda el voltaje adicional de drenaje a fuente. Este comportamiento se conoce como saturación de corriente de drenaje. Corriente de drenaje se indica mediante el símbolo I_d.

¿Cómo evaluar Drenar la corriente de la fuente al drenaje usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Drenar la corriente de la fuente al drenaje, ingrese Ancho de la unión (W), Carga de capa de inversión (Q_p), Movilidad de agujeros en canal (μ_p) & Componente horizontal del campo eléctrico en el canal (E_y) y presione el botón calcular.

FAQs en Drenar la corriente de la fuente al drenaje

¿Cuál es la fórmula para encontrar Drenar la corriente de la fuente al drenaje?

La fórmula de Drenar la corriente de la fuente al drenaje se expresa como Drain Current = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal). Aquí hay un ejemplo: 29596.49 = (1.19*0.0017*2.66*5.5).

¿Cómo calcular Drenar la corriente de la fuente al drenaje?

Con Ancho de la unión (W), Carga de capa de inversión (Q_p), Movilidad de agujeros en canal (μ_p) & Componente horizontal del campo eléctrico en el canal (E_y) podemos encontrar Drenar la corriente de la fuente al drenaje usando la fórmula - Drain Current = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal).

¿Cuáles son las otras formas de calcular Corriente de drenaje?

Estas son las diferentes formas de calcular Corriente de drenaje-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2*(1+Voltage between Drain and Source/modulus(Early Voltage))

¿Puede el Drenar la corriente de la fuente al drenaje ser negativo?

No, el Drenar la corriente de la fuente al drenaje, medido en Corriente eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Drenar la corriente de la fuente al drenaje?

Drenar la corriente de la fuente al drenaje generalmente se mide usando Miliamperio[mA] para Corriente eléctrica. Amperio[mA], Microamperio[mA], centiamperio[mA] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Drenar la corriente de la fuente al drenaje.

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: Unidad

Drenar la corriente de la fuente al drenaje Fórmula

​IrCorriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS Fórmula

​IrCorriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Fórmula

Ejemplo de Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Drenar la corriente de la fuente al drenaje Solución

Drenar la corriente de la fuente al drenaje Fórmula Elementos

Otras fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal P

¿Cómo evaluar Drenar la corriente de la fuente al drenaje?

FAQs en Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Variable Name

IrCorriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS Fórmula

IrCorriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Fórmula