El evaluador de Drenar corriente en la región de saturación en el transistor MOS usa Saturation Region Drain Current = Ancho de banda*Velocidad de deriva de electrones de saturación*int(Cobrar*Parámetro de canal corto,x,0,Longitud efectiva del canal) para evaluar Corriente de drenaje de la región de saturación, La corriente de drenaje en la región de saturación en la fórmula del transistor MOS se define como la corriente que fluye desde el terminal de drenaje al terminal de fuente cuando el transistor está funcionando en un modo específico. Corriente de drenaje de la región de saturación se indica mediante el símbolo ID(sat).
¿Cómo evaluar Drenar corriente en la región de saturación en el transistor MOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Drenar corriente en la región de saturación en el transistor MOS, ingrese Ancho de banda (W), Velocidad de deriva de electrones de saturación (Vd(sat)), Cobrar (q), Parámetro de canal corto (nx) & Longitud efectiva del canal (Leff) y presione el botón calcular.