Densidad de corriente de saturación
La densidad de corriente de saturación es el flujo de corriente por unidad de área de la unión pn cuando se aplican unos pocos voltios de polarización inversa a la unión.
Símbolo: J0
Medición: Densidad de corriente superficialUnidad: A/m²
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Coeficiente de difusión del agujero
El coeficiente de difusión del agujero es una medida de la facilidad del movimiento del agujero a través de la red cristalina. Está relacionado con la movilidad del transportista, agujero en este caso.
Símbolo: Dh
Medición: difusividadUnidad: m²/s
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Longitud de difusión del agujero
La longitud de difusión del agujero es la distancia característica que recorren los agujeros antes de recombinarse durante el proceso de difusión.
Símbolo: Lh
Medición: LongitudUnidad: mm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Concentración de agujeros en n-región
La concentración de orificios en la región n es el número de orificios por unidad de volumen en la región dopada tipo n de la unión pn.
Símbolo: pn
Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/m³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Coeficiente de difusión de electrones
El coeficiente de difusión de electrones es una medida de la facilidad con la que los electrones se mueven a través de la red cristalina. Está relacionado con la movilidad del portador, en este caso el electrón.
Símbolo: DE
Medición: difusividadUnidad: m²/s
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Longitud de difusión del electrón
La longitud de difusión del electrón es la distancia característica que recorren los electrones antes de recombinarse durante el proceso de difusión.
Símbolo: Le
Medición: LongitudUnidad: mm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Concentración de electrones en la región p
La concentración de electrones en la región p es el número de electrones por unidad de volumen en la región dopada tipo p de la unión pn.
Símbolo: np
Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/m³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.