Densidad de corriente de deriva debido a agujeros Fórmula

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La densidad de corriente de deriva debido a los agujeros se refiere al movimiento de los portadores de carga (agujeros) en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico. Marque FAQs
Jp=[Charge-e]pμpEi
Jp - Densidad de corriente de deriva debido a agujeros?p - Concentración de agujeros?μp - Movilidad del agujero?Ei - Intensidad del campo eléctrico?[Charge-e] - carga de electrones?

Ejemplo de Densidad de corriente de deriva debido a agujeros

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Densidad de corriente de deriva debido a agujeros con Valores.

Así es como se ve la ecuación Densidad de corriente de deriva debido a agujeros con unidades.

Así es como se ve la ecuación Densidad de corriente de deriva debido a agujeros.

0.0718Edit=1.6E-191E+20Edit400Edit11.2Edit
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Densidad de corriente de deriva debido a agujeros Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Densidad de corriente de deriva debido a agujeros?

Primer paso Considere la fórmula
Jp=[Charge-e]pμpEi
Próximo paso Valores sustitutos de variables
Jp=[Charge-e]1E+20electrons/m³400m²/V*s11.2V/m
Próximo paso Valores sustitutos de constantes
Jp=1.6E-19C1E+20electrons/m³400m²/V*s11.2V/m
Próximo paso Prepárese para evaluar
Jp=1.6E-191E+2040011.2
Próximo paso Evaluar
Jp=71777.512576A/m²
Próximo paso Convertir a unidad de salida
Jp=0.071777512576A/mm²
Último paso Respuesta de redondeo
Jp=0.0718A/mm²

Densidad de corriente de deriva debido a agujeros Fórmula Elementos

variables
Constantes
Densidad de corriente de deriva debido a agujeros
La densidad de corriente de deriva debido a los agujeros se refiere al movimiento de los portadores de carga (agujeros) en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico.
Símbolo: Jp
Medición: Densidad de corriente superficialUnidad: A/mm²
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Concentración de agujeros
La concentración de huecos se refiere al número de electrones por unidad de volumen en un material.
Símbolo: p
Medición: Densidad de electronesUnidad: electrons/m³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Movilidad del agujero
La movilidad de los agujeros representa la capacidad de estos portadores de carga para moverse en respuesta a un campo eléctrico.
Símbolo: μp
Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Intensidad del campo eléctrico
La intensidad del campo eléctrico es una cantidad vectorial que representa la fuerza experimentada por una carga de prueba positiva en un punto determinado del espacio debido a la presencia de otras cargas.
Símbolo: Ei
Medición: Fuerza de campo eléctricoUnidad: V/m
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
carga de electrones
La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.
Símbolo: [Charge-e]
Valor: 1.60217662E-19 C

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados MOS

​Ir Efecto corporal en MOSFET
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
​Ir Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET
ft=gmCgs+Cgd
​Ir Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación
Id=β2(Vgs-Vth)2(1+λiVds)
​Ir Resistencia del canal
Rch=LtWt1μnQon

¿Cómo evaluar Densidad de corriente de deriva debido a agujeros?

El evaluador de Densidad de corriente de deriva debido a agujeros usa Drift Current Density due to Holes = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico para evaluar Densidad de corriente de deriva debido a agujeros, La fórmula de densidad de corriente de deriva debido a agujeros se define como la contribución de los agujeros a la densidad de corriente de deriva general en un semiconductor. Densidad de corriente de deriva debido a agujeros se indica mediante el símbolo Jp.

¿Cómo evaluar Densidad de corriente de deriva debido a agujeros usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Densidad de corriente de deriva debido a agujeros, ingrese Concentración de agujeros (p), Movilidad del agujero p) & Intensidad del campo eléctrico (Ei) y presione el botón calcular.

FAQs en Densidad de corriente de deriva debido a agujeros

¿Cuál es la fórmula para encontrar Densidad de corriente de deriva debido a agujeros?
La fórmula de Densidad de corriente de deriva debido a agujeros se expresa como Drift Current Density due to Holes = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico. Aquí hay un ejemplo: 7.2E-8 = [Charge-e]*1E+20*400*11.2.
¿Cómo calcular Densidad de corriente de deriva debido a agujeros?
Con Concentración de agujeros (p), Movilidad del agujero p) & Intensidad del campo eléctrico (Ei) podemos encontrar Densidad de corriente de deriva debido a agujeros usando la fórmula - Drift Current Density due to Holes = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico. Esta fórmula también usa carga de electrones constante(s).
¿Puede el Densidad de corriente de deriva debido a agujeros ser negativo?
No, el Densidad de corriente de deriva debido a agujeros, medido en Densidad de corriente superficial no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Densidad de corriente de deriva debido a agujeros?
Densidad de corriente de deriva debido a agujeros generalmente se mide usando Amperio por milímetro cuadrado[A/mm²] para Densidad de corriente superficial. Amperio por metro cuadrado[A/mm²], Amperio por centímetro cuadrado[A/mm²], Amperio por pulgada cuadrada[A/mm²] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Densidad de corriente de deriva debido a agujeros.
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