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Densidad de carga de la región de agotamiento Fórmula

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La densidad de carga de la capa de agotamiento es la cantidad de estos cargos fijos por unidad de área dentro de la región de agotamiento. Marque FAQs

Q d = (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (Φ s - Φ f)})

Q_d - Densidad de carga de la capa de agotamiento?N_A - Concentración de dopaje del aceptor?Φ_s - Potencial de superficie?Φ_f - Potencial de Fermi a granel?[Charge-e] - carga de electrones?[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio?

Ejemplo de Densidad de carga de la región de agotamiento

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Densidad de carga de la región de agotamiento con Valores.

Así es como se ve la ecuación Densidad de carga de la región de agotamiento con unidades.

Así es como se ve la ecuación Densidad de carga de la región de agotamiento.

1.6E-6 = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78 - 0.25)})

1.6E-6electrons/m³ = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

1.6E-6 = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78 - 0.25)})

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Densidad de carga de la región de agotamiento

Densidad de carga de la región de agotamiento Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Densidad de carga de la región de agotamiento?

Primer paso Considere la fórmula

Q d = (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (Φ s - Φ f)})

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

Próximo paso Valores sustitutos de constantes

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

Próximo paso Convertir unidades

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6 \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78 - 0.25)})

Próximo paso Evaluar

∴

Q d = 1.61952637096272E-06electrons/m³

Último paso Respuesta de redondeo

∴

Q d = 1.6E-6electrons/m³

Densidad de carga de la región de agotamiento Fórmula Elementos

variables

Constantes

Funciones

Densidad de carga de la capa de agotamiento

La densidad de carga de la capa de agotamiento es la cantidad de estos cargos fijos por unidad de área dentro de la región de agotamiento.

Símbolo: Q_d

Medición: Densidad de electronesUnidad: electrons/m³

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Densidad de carga de la capa de agotamiento

Concentración de dopaje del aceptor

La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.

Símbolo: N_A

Medición: Densidad de electronesUnidad: electrons/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración de dopaje del aceptor

Potencial de superficie

El potencial de superficie es el potencial eléctrico en la superficie del semiconductor, específicamente en la interfaz entre el semiconductor y el aislante.

Símbolo: Φ_s

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Potencial de superficie

Potencial de Fermi a granel

El potencial de Fermi en masa es un parámetro que describe el potencial electrostático en la masa (interior) de un material semiconductor.

Símbolo: Φ_f

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Potencial de Fermi a granel

carga de electrones

La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

Permitividad del silicio

La permitividad del silicio mide su capacidad para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico, vital en la tecnología de semiconductores.

Símbolo: [Permitivity-silicon]

Valor: 11.7

sqrt

Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.

Sintaxis: sqrt(Number)

modulus

El módulo de un número es el resto cuando ese número se divide por otro número.

Sintaxis: modulus

Otras fórmulas en la categoría Transistor MOS

Ir Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud

C jsw = C j0sw \cdot x j

Ir Capacitancia equivalente de unión de señal grande

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Ir Potencial de Fermi para el tipo P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Ir Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

¿Cómo evaluar Densidad de carga de la región de agotamiento?

El evaluador de Densidad de carga de la región de agotamiento usa Density of Depletion Layer Charge = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor*modulus(Potencial de superficie-Potencial de Fermi a granel))) para evaluar Densidad de carga de la capa de agotamiento, La fórmula de densidad de carga de la región de agotamiento se define como la cantidad de cargos fijos por unidad de área dentro de la región de agotamiento. Densidad de carga de la capa de agotamiento se indica mediante el símbolo Q_d.

¿Cómo evaluar Densidad de carga de la región de agotamiento usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Densidad de carga de la región de agotamiento, ingrese Concentración de dopaje del aceptor (N_A), Potencial de superficie (Φ_s) & Potencial de Fermi a granel (Φ_f) y presione el botón calcular.

FAQs en Densidad de carga de la región de agotamiento

¿Cuál es la fórmula para encontrar Densidad de carga de la región de agotamiento?

La fórmula de Densidad de carga de la región de agotamiento se expresa como Density of Depletion Layer Charge = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor*modulus(Potencial de superficie-Potencial de Fermi a granel))). Aquí hay un ejemplo: 1.6E-6 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(0.78-0.25))).

¿Cómo calcular Densidad de carga de la región de agotamiento?

Con Concentración de dopaje del aceptor (N_A), Potencial de superficie (Φ_s) & Potencial de Fermi a granel (Φ_f) podemos encontrar Densidad de carga de la región de agotamiento usando la fórmula - Density of Depletion Layer Charge = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor*modulus(Potencial de superficie-Potencial de Fermi a granel))). Esta fórmula también utiliza funciones carga de electrones, Permitividad del silicio constante(s) y , Raíz cuadrada (sqrt), Módulo (módulo).

¿Puede el Densidad de carga de la región de agotamiento ser negativo?

Sí, el Densidad de carga de la región de agotamiento, medido en Densidad de electrones poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Densidad de carga de la región de agotamiento?

Densidad de carga de la región de agotamiento generalmente se mide usando Electrones por metro cúbico[electrons/m³] para Densidad de electrones. Electrones por centímetro cúbico[electrons/m³] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Densidad de carga de la región de agotamiento.

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