Corriente de salida
La corriente de salida es la corriente que el amplificador extrae de la fuente de señal.
Símbolo: io
Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Movilidad del electrón
La movilidad del electrón se define como la magnitud de la velocidad de deriva promedio por unidad de campo eléctrico.
Símbolo: μe
Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Capacitancia de óxido
La capacitancia de óxido es la capacitancia del capacitor de placas paralelas por unidad de área de compuerta.
Símbolo: Cox
Medición: Capacitancia de óxido por unidad de áreaUnidad: F/m²
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Ancho del canal
El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.
Símbolo: Wc
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Longitud del canal
La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.
Símbolo: L
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje a través del óxido
El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.
Símbolo: Vox
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje umbral
El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.
Símbolo: Vt
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje de saturación entre drenaje y fuente
El voltaje de saturación entre el drenaje y la fuente en un transistor es un voltaje del colector y el emisor requerido para la saturación.
Símbolo: Vds
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.