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Corriente en el canal de inversión de PMOS Fórmula

IrCorriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS Fórmula

IrCorriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Fórmula

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La corriente de drenaje es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET). Marque FAQs

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

I_d - Corriente de drenaje?W - Ancho de la unión?Q_p - Carga de capa de inversión?V_y - Velocidad de deriva de inversión?

Ejemplo de Corriente en el canal de inversión de PMOS

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Corriente en el canal de inversión de PMOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Corriente en el canal de inversión de PMOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Corriente en el canal de inversión de PMOS.

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 1463)

29.5965mA = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 1463cm/s)

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 1463)

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Corriente en el canal de inversión de PMOS

Corriente en el canal de inversión de PMOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Corriente en el canal de inversión de PMOS?

Primer paso Considere la fórmula

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

I d = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 1463cm/s)

Próximo paso Convertir unidades

∴

I d = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 14.63m/s)

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

I d = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 14.63)

Próximo paso Evaluar

∴

I d = 0.02959649A

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

I d = 29.59649mA

Último paso Respuesta de redondeo

∴

I d = 29.5965mA

Corriente en el canal de inversión de PMOS Fórmula Elementos

variables

Corriente de drenaje

Símbolo: I_d

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Ancho de la unión

El ancho de la unión es el parámetro que indica el ancho de la unión base de cualquier elemento electrónico analógico.

Símbolo: W

Medición: LongitudUnidad: m

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Ancho de la unión

Carga de capa de inversión

La carga de la capa de inversión se refiere a la acumulación de portadores de carga en la interfaz entre el semiconductor y la capa de óxido aislante cuando se aplica un voltaje al electrodo de puerta.

Símbolo: Q_p

Medición: Densidad de carga superficialUnidad: C/m²

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Carga de capa de inversión

Velocidad de deriva de inversión

La velocidad de deriva de la capa de inversión en un MOSFET es la velocidad promedio de los electrones que forman la capa de inversión a medida que se mueven a través del material bajo la influencia de un campo eléctrico.

Símbolo: V_y

Medición: VelocidadUnidad: cm/s

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Velocidad de deriva de inversión

Otras fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Ir Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Ir Corriente de drenaje general del transistor PMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

Ir Drenar la corriente de la fuente al drenaje

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal P

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Ir Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

k' p = μ p \cdot C ox

Ir Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

V y = μ p \cdot E y

¿Cómo evaluar Corriente en el canal de inversión de PMOS?

El evaluador de Corriente en el canal de inversión de PMOS usa Drain Current = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Velocidad de deriva de inversión) para evaluar Corriente de drenaje, La fórmula Corriente en el canal de inversión de PMOS se define como que la corriente en el canal de inversión es un parámetro importante para el funcionamiento del transistor PMOS, ya que determina la funcionalidad del transistor, como sus características de ganancia y salida. Corriente de drenaje se indica mediante el símbolo I_d.

¿Cómo evaluar Corriente en el canal de inversión de PMOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Corriente en el canal de inversión de PMOS, ingrese Ancho de la unión (W), Carga de capa de inversión (Q_p) & Velocidad de deriva de inversión (V_y) y presione el botón calcular.

FAQs en Corriente en el canal de inversión de PMOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Corriente en el canal de inversión de PMOS?

La fórmula de Corriente en el canal de inversión de PMOS se expresa como Drain Current = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Velocidad de deriva de inversión). Aquí hay un ejemplo: 29596.49 = (1.19*0.0017*14.63).

¿Cómo calcular Corriente en el canal de inversión de PMOS?

Con Ancho de la unión (W), Carga de capa de inversión (Q_p) & Velocidad de deriva de inversión (V_y) podemos encontrar Corriente en el canal de inversión de PMOS usando la fórmula - Drain Current = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Velocidad de deriva de inversión).

¿Cuáles son las otras formas de calcular Corriente de drenaje?

Estas son las diferentes formas de calcular Corriente de drenaje-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2*(1+Voltage between Drain and Source/modulus(Early Voltage))

¿Puede el Corriente en el canal de inversión de PMOS ser negativo?

No, el Corriente en el canal de inversión de PMOS, medido en Corriente eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Corriente en el canal de inversión de PMOS?

Corriente en el canal de inversión de PMOS generalmente se mide usando Miliamperio[mA] para Corriente eléctrica. Amperio[mA], Microamperio[mA], centiamperio[mA] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Corriente en el canal de inversión de PMOS.

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Corriente en el canal de inversión de PMOS Fórmula

​IrCorriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS Fórmula

​IrCorriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Fórmula

Ejemplo de Corriente en el canal de inversión de PMOS

Corriente en el canal de inversión de PMOS Solución

Corriente en el canal de inversión de PMOS Fórmula Elementos

Otras fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

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¿Cómo evaluar Corriente en el canal de inversión de PMOS?

FAQs en Corriente en el canal de inversión de PMOS

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IrCorriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS Fórmula

IrCorriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Fórmula