Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad Fórmula

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La velocidad de deriva de la capa de inversión en un MOSFET es la velocidad promedio de los electrones que forman la capa de inversión a medida que se mueven a través del material bajo la influencia de un campo eléctrico. Marque FAQs
Vy=μpEy
Vy - Velocidad de deriva de inversión?μp - Movilidad de agujeros en canal?Ey - Componente horizontal del campo eléctrico en el canal?

Ejemplo de Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad con Valores.

Así es como se ve la ecuación Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad con unidades.

Así es como se ve la ecuación Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad.

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Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad?

Primer paso Considere la fórmula
Vy=μpEy
Próximo paso Valores sustitutos de variables
Vy=2.66m²/V*s5.5V/m
Próximo paso Prepárese para evaluar
Vy=2.665.5
Próximo paso Evaluar
Vy=14.63m/s
Último paso Convertir a unidad de salida
Vy=1463cm/s

Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad Fórmula Elementos

variables
Velocidad de deriva de inversión
La velocidad de deriva de la capa de inversión en un MOSFET es la velocidad promedio de los electrones que forman la capa de inversión a medida que se mueven a través del material bajo la influencia de un campo eléctrico.
Símbolo: Vy
Medición: VelocidadUnidad: cm/s
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Movilidad de agujeros en canal
La movilidad de los agujeros en el canal depende de varios factores, como la estructura cristalina del material semiconductor, la presencia de impurezas, la temperatura,
Símbolo: μp
Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Componente horizontal del campo eléctrico en el canal
La Componente Horizontal del Campo Eléctrico en el Canal es la fuerza del campo eléctrico que existe en el material debajo de la capa de óxido de la puerta, en la región donde se forma la capa de inversión.
Símbolo: Ey
Medición: Fuerza de campo eléctricoUnidad: V/m
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal P

​Ir Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS
Id=k'pWL((VGS-modu̲s(VT))VDS-12(VDS)2)
​Ir Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd
Id=k'pWL(modu̲s(Vov)-12VDS)VDS
​Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS
Ids=12k'pWL(VGS-modu̲s(VT))2
​Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov
Ids=12k'pWL(Vov)2

¿Cómo evaluar Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad?

El evaluador de Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad usa Drift Velocity of Inversion = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal para evaluar Velocidad de deriva de inversión, La fórmula actual en el canal de inversión de PMOS Movilidad dada se define como la corriente en el canal de inversión de un transistor PMOS está determinada por la movilidad de los portadores de carga en el canal, así como por el ancho del canal, la longitud del canal y la puerta. -voltaje de fuente. Velocidad de deriva de inversión se indica mediante el símbolo Vy.

¿Cómo evaluar Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad, ingrese Movilidad de agujeros en canal p) & Componente horizontal del campo eléctrico en el canal (Ey) y presione el botón calcular.

FAQs en Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

¿Cuál es la fórmula para encontrar Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad?
La fórmula de Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad se expresa como Drift Velocity of Inversion = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal. Aquí hay un ejemplo: 146300 = 2.66*5.5.
¿Cómo calcular Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad?
Con Movilidad de agujeros en canal p) & Componente horizontal del campo eléctrico en el canal (Ey) podemos encontrar Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad usando la fórmula - Drift Velocity of Inversion = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal.
¿Puede el Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad ser negativo?
Sí, el Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad, medido en Velocidad poder sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad?
Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad generalmente se mide usando centímetro por segundo[cm/s] para Velocidad. Metro por Segundo[cm/s], Metro por Minuto[cm/s], Metro por hora[cm/s] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad.
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