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Corriente de saturación usando concentración de dopaje Fórmula

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La corriente de saturación es la densidad de corriente de fuga del diodo en ausencia de luz. Es un parámetro importante que diferencia un diodo de otro. Marque FAQs

I sat = \frac{A E \cdot [Charge-e] \cdot D n \cdot {(n i1)}^{2}}{W base \cdot N B}

I_sat - Corriente de saturación?A_E - Área de sección transversal de la unión base-emisor?D_n - Difusividad de electrones?n_i1 - Concentración de portador intrínseco?W_base - Ancho de la unión base?N_B - Dopaje Concentración de Base?[Charge-e] - carga de electrones?

Ejemplo de Corriente de saturación usando concentración de dopaje

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Corriente de saturación usando concentración de dopaje con Valores.

Así es como se ve la ecuación Corriente de saturación usando concentración de dopaje con unidades.

Así es como se ve la ecuación Corriente de saturación usando concentración de dopaje.

2.7E-12 = \frac{8 \cdot 1.6E-19 \cdot 0.8 \cdot {(100000)}^{2}}{0.002 \cdot 19}

2.7E-12mA = \frac{8cm² \cdot 1.6E-19C \cdot 0.8cm²/s \cdot {(1000001/m³)}^{2}}{0.002m \cdot 191/m³}

2.7E-12 = \frac{8 \cdot 1.6E-19 \cdot 0.8 \cdot {(100000)}^{2}}{0.002 \cdot 19}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Corriente de saturación usando concentración de dopaje

Corriente de saturación usando concentración de dopaje Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Corriente de saturación usando concentración de dopaje?

Primer paso Considere la fórmula

I sat = \frac{A E \cdot [Charge-e] \cdot D n \cdot {(n i1)}^{2}}{W base \cdot N B}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

I sat = \frac{8cm² \cdot [Charge-e] \cdot 0.8cm²/s \cdot {(1000001/m³)}^{2}}{0.002m \cdot 191/m³}

Próximo paso Valores sustitutos de constantes

∴

I sat = \frac{8cm² \cdot 1.6E-19C \cdot 0.8cm²/s \cdot {(1000001/m³)}^{2}}{0.002m \cdot 191/m³}

Próximo paso Convertir unidades

∴

I sat = \frac{0.0008m² \cdot 1.6E-19C \cdot 8E-5m²/s \cdot {(1000001/m³)}^{2}}{0.002m \cdot 191/m³}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

I sat = \frac{0.0008 \cdot 1.6E-19 \cdot 8E-5 \cdot {(100000)}^{2}}{0.002 \cdot 19}

Próximo paso Evaluar

∴

I sat = 2.69840272842105E-15A

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

I sat = 2.69840272842105E-12mA

Último paso Respuesta de redondeo

∴

I sat = 2.7E-12mA

Corriente de saturación usando concentración de dopaje Fórmula Elementos

variables

Constantes

Corriente de saturación

La corriente de saturación es la densidad de corriente de fuga del diodo en ausencia de luz. Es un parámetro importante que diferencia un diodo de otro.

Símbolo: I_sat

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de saturación

Área de sección transversal de la unión base-emisor

El área de la sección transversal de la unión base-emisor es el ancho en la dirección perpendicular a la página.

Símbolo: A_E

Medición: ÁreaUnidad: cm²

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Área de sección transversal de la unión base-emisor

Difusividad de electrones

La difusividad de electrones es la corriente de difusión es una corriente en un semiconductor causada por la difusión de portadores de carga (huecos y/o electrones).

Símbolo: D_n

Medición: difusividadUnidad: cm²/s

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Difusividad de electrones

Concentración de portador intrínseco

La concentración de portador intrínseco es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.

Símbolo: n_i1

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/m³

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Concentración de portador intrínseco

Ancho de la unión base

El ancho de la unión base es el parámetro que indica el ancho de la unión base de cualquier elemento electrónico analógico.

Símbolo: W_base

Medición: LongitudUnidad: m

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Ancho de la unión base

Dopaje Concentración de Base

La concentración de dopaje de la base es el número de impurezas añadidas a la base.

Símbolo: N_B

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/m³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Dopaje Concentración de Base

carga de electrones

La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

Otras fórmulas en la categoría corriente básica

Ir Corriente base 1 de BJT

I B = \frac{I c}{β}

Ir Corriente base 2 de BJT

I B = (\frac{I sat}{β}) \cdot (e^{\frac{V BE}{V t}})

Ir Corriente base utilizando corriente de saturación en CC

I B = (\frac{I sat}{β}) \cdot e^{\frac{V BC}{V t}} + e s \cdot e^{\frac{V BC}{V t}}

Ir Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje

I d = \frac{1}{2} \cdot G m \cdot WL \cdot {(V ov - V th)}^{2} \cdot (1 + V A \cdot V DS)

¿Cómo evaluar Corriente de saturación usando concentración de dopaje?

El evaluador de Corriente de saturación usando concentración de dopaje usa Saturation Current = (Área de sección transversal de la unión base-emisor*[Charge-e]*Difusividad de electrones*(Concentración de portador intrínseco)^2)/(Ancho de la unión base*Dopaje Concentración de Base) para evaluar Corriente de saturación, La corriente de saturación usando la concentración de dopaje es el punto en el que un aumento adicional en la corriente base no dará como resultado un aumento correspondiente en la corriente del colector. Corriente de saturación se indica mediante el símbolo I_sat.

¿Cómo evaluar Corriente de saturación usando concentración de dopaje usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Corriente de saturación usando concentración de dopaje, ingrese Área de sección transversal de la unión base-emisor (A_E), Difusividad de electrones (D_n), Concentración de portador intrínseco (n_i1), Ancho de la unión base (W_base) & Dopaje Concentración de Base (N_B) y presione el botón calcular.

FAQs en Corriente de saturación usando concentración de dopaje

¿Cuál es la fórmula para encontrar Corriente de saturación usando concentración de dopaje?

La fórmula de Corriente de saturación usando concentración de dopaje se expresa como Saturation Current = (Área de sección transversal de la unión base-emisor*[Charge-e]*Difusividad de electrones*(Concentración de portador intrínseco)^2)/(Ancho de la unión base*Dopaje Concentración de Base). Aquí hay un ejemplo: 2.7E-9 = (0.0008*[Charge-e]*8E-05*(100000)^2)/(0.002*19).

¿Cómo calcular Corriente de saturación usando concentración de dopaje?

Con Área de sección transversal de la unión base-emisor (A_E), Difusividad de electrones (D_n), Concentración de portador intrínseco (n_i1), Ancho de la unión base (W_base) & Dopaje Concentración de Base (N_B) podemos encontrar Corriente de saturación usando concentración de dopaje usando la fórmula - Saturation Current = (Área de sección transversal de la unión base-emisor*[Charge-e]*Difusividad de electrones*(Concentración de portador intrínseco)^2)/(Ancho de la unión base*Dopaje Concentración de Base). Esta fórmula también usa carga de electrones constante(s).

¿Puede el Corriente de saturación usando concentración de dopaje ser negativo?

No, el Corriente de saturación usando concentración de dopaje, medido en Corriente eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Corriente de saturación usando concentración de dopaje?

Corriente de saturación usando concentración de dopaje generalmente se mide usando Miliamperio[mA] para Corriente eléctrica. Amperio[mA], Microamperio[mA], centiamperio[mA] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Corriente de saturación usando concentración de dopaje.

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Corriente de saturación usando concentración de dopaje Fórmula

Ejemplo de Corriente de saturación usando concentración de dopaje

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