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Corriente de saturación en transistor Fórmula

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La corriente de saturación se refiere a la corriente máxima que puede fluir a través del transistor cuando está completamente encendido. Marque FAQs

I sat = \frac{q \cdot A \cdot D n \cdot {n i}^{2}}{Q b}

I_sat - Corriente de saturación?q - Cargar?A - Área de unión de la base del emisor?D_n - Difusión efectiva?n_i - Concentración intrínseca?Q_b - Impureza total?

Ejemplo de Corriente de saturación en transistor

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Corriente de saturación en transistor con Valores.

Así es como se ve la ecuación Corriente de saturación en transistor con unidades.

Así es como se ve la ecuación Corriente de saturación en transistor.

2.1175 = \frac{5 \cdot 1.75 \cdot 0.5 \cdot {1.32}^{2}}{3.6E+9}

2.1175A = \frac{5mC \cdot 1.75cm² \cdot 0.5 \cdot {1.321/cm³}^{2}}{3.6E+9cm²}

2.1175 = \frac{5 \cdot 1.75 \cdot 0.5 \cdot {1.32}^{2}}{3.6E+9}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Circuitos integrados (CI) » fx Corriente de saturación en transistor

Corriente de saturación en transistor Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Corriente de saturación en transistor?

Primer paso Considere la fórmula

I sat = \frac{q \cdot A \cdot D n \cdot {n i}^{2}}{Q b}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

I sat = \frac{5mC \cdot 1.75cm² \cdot 0.5 \cdot {1.321/cm³}^{2}}{3.6E+9cm²}

Próximo paso Convertir unidades

∴

I sat = \frac{0.005C \cdot 0.0002m² \cdot 0.5 \cdot {1.3E+61/m³}^{2}}{360000m²}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

I sat = \frac{0.005 \cdot 0.0002 \cdot 0.5 \cdot {1.3E+6}^{2}}{360000}

Último paso Evaluar

∴

I sat = 2.1175A

Corriente de saturación en transistor Fórmula Elementos

variables

Corriente de saturación

La corriente de saturación se refiere a la corriente máxima que puede fluir a través del transistor cuando está completamente encendido.

Símbolo: I_sat

Medición: Corriente eléctricaUnidad: A

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Corriente de saturación

Open Variable

Cargar

Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.

Símbolo: q

Medición: Carga eléctricaUnidad: mC

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Cargar

Open Variable

Área de unión de la base del emisor

El área de unión de la base del emisor es una unión PN formada entre el material tipo P fuertemente dopado (emisor) y el material tipo N ligeramente dopado (base) del transistor.

Símbolo: A

Medición: ÁreaUnidad: cm²

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Área de unión de la base del emisor

Open Variable

Difusión efectiva

La difusión efectiva es un parámetro relacionado con el proceso de difusión de los portadores y está influenciado por las propiedades del material y la geometría de la unión semiconductora.

Símbolo: D_n

Medición: NAUnidad: Unitless

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Difusión efectiva

Open Variable

Concentración intrínseca

La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.

Símbolo: n_i

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración intrínseca

Open Variable

Impureza total

La impureza total define las impurezas que se mezclan en un átomo por unidad de área en una base o la cantidad de impureza agregada a un semiconductor intrínseco varía su nivel de conductividad.

Símbolo: Q_b

Medición: ÁreaUnidad: cm²

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Impureza total

Open Variable

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados bipolares

Ir Impureza con concentración intrínseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

Ir Conductividad óhmica de la impureza

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

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Ir Conductividad de tipo N

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Ver más

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¿Cómo evaluar Corriente de saturación en transistor?

El evaluador de Corriente de saturación en transistor usa Saturation Current = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Difusión efectiva*Concentración intrínseca^2)/Impureza total para evaluar Corriente de saturación, La fórmula de la corriente de saturación en un transistor es la parte de la corriente inversa en un diodo semiconductor causada por la difusión de portadores minoritarios desde las regiones neutras hasta la región de agotamiento. Esta corriente es casi independiente del voltaje inverso. Corriente de saturación se indica mediante el símbolo I_sat.

¿Cómo evaluar Corriente de saturación en transistor usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Corriente de saturación en transistor, ingrese Cargar (q), Área de unión de la base del emisor (A), Difusión efectiva (D_n), Concentración intrínseca (n_i) & Impureza total (Q_b) y presione el botón calcular.

FAQs en Corriente de saturación en transistor

¿Cuál es la fórmula para encontrar Corriente de saturación en transistor?

La fórmula de Corriente de saturación en transistor se expresa como Saturation Current = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Difusión efectiva*Concentración intrínseca^2)/Impureza total. Aquí hay un ejemplo: 2.1175 = (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000.

¿Cómo calcular Corriente de saturación en transistor?

Con Cargar (q), Área de unión de la base del emisor (A), Difusión efectiva (D_n), Concentración intrínseca (n_i) & Impureza total (Q_b) podemos encontrar Corriente de saturación en transistor usando la fórmula - Saturation Current = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Difusión efectiva*Concentración intrínseca^2)/Impureza total.

¿Puede el Corriente de saturación en transistor ser negativo?

Sí, el Corriente de saturación en transistor, medido en Corriente eléctrica poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Corriente de saturación en transistor?

Corriente de saturación en transistor generalmente se mide usando Amperio[A] para Corriente eléctrica. Miliamperio[A], Microamperio[A], centiamperio[A] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Corriente de saturación en transistor.

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