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Corriente de saturación de canal corto VLSI Fórmula

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La corriente de saturación de canal corto se define como la corriente máxima que puede fluir a través de un transistor de canal corto cuando está en modo de saturación. Marque FAQs

I D(sat) = W c \cdot v d(sat) \cdot C oxide \cdot V Dsat

I_D(sat) - Corriente de saturación de canal corto?W_c - Ancho de banda?v_d(sat) - Velocidad de deriva de electrones de saturación?C_oxide - Capacitancia de óxido por unidad de área?V_Dsat - Voltaje de fuente de drenaje de saturación?

Ejemplo de Corriente de saturación de canal corto VLSI

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Corriente de saturación de canal corto VLSI con Valores.

Así es como se ve la ecuación Corriente de saturación de canal corto VLSI con unidades.

Así es como se ve la ecuación Corriente de saturación de canal corto VLSI.

527.25 = 2.5 \cdot 2E+7 \cdot 0.0703 \cdot 1.5

527.25µA = 2.5μm \cdot 2E+7cm/s \cdot 0.0703μF/cm² \cdot 1.5V

527.25 = 2.5 \cdot 2E+7 \cdot 0.0703 \cdot 1.5

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Fabricación de VLSI » fx Corriente de saturación de canal corto VLSI

Corriente de saturación de canal corto VLSI Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Corriente de saturación de canal corto VLSI?

Primer paso Considere la fórmula

I D(sat) = W c \cdot v d(sat) \cdot C oxide \cdot V Dsat

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

I D(sat) = 2.5μm \cdot 2E+7cm/s \cdot 0.0703μF/cm² \cdot 1.5V

Próximo paso Convertir unidades

∴

I D(sat) = 2.5E-6m \cdot 200000m/s \cdot 0.0007F/m² \cdot 1.5V

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

I D(sat) = 2.5E-6 \cdot 200000 \cdot 0.0007 \cdot 1.5

Próximo paso Evaluar

∴

I D(sat) = 0.00052725A

Último paso Convertir a unidad de salida

∴

I D(sat) = 527.25µA

Corriente de saturación de canal corto VLSI Fórmula Elementos

variables

Corriente de saturación de canal corto

La corriente de saturación de canal corto se define como la corriente máxima que puede fluir a través de un transistor de canal corto cuando está en modo de saturación.

Símbolo: I_D(sat)

Medición: Corriente eléctricaUnidad: µA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de saturación de canal corto

Ancho de banda

El ancho del canal se define como el ancho físico del canal semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje dentro de la estructura del transistor.

Símbolo: W_c

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Ancho de banda

Velocidad de deriva de electrones de saturación

La velocidad de deriva de electrones de saturación se define como la velocidad máxima alcanzada por los electrones en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico.

Símbolo: v_d(sat)

Medición: VelocidadUnidad: cm/s

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Velocidad de deriva de electrones de saturación

Capacitancia de óxido por unidad de área

La capacitancia de óxido por unidad de área se define como la capacitancia por unidad de área de la capa de óxido aislante que separa la puerta metálica del material semiconductor.

Símbolo: C_oxide

Medición: Capacitancia de óxido por unidad de áreaUnidad: μF/cm²

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitancia de óxido por unidad de área

Voltaje de fuente de drenaje de saturación

El voltaje de fuente de drenaje de saturación se define como el voltaje a través de los terminales de fuente y drenaje de un MOSFET cuando el transistor está funcionando en modo de saturación.

Símbolo: V_Dsat

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje de fuente de drenaje de saturación

Otras fórmulas en la categoría Optimización de materiales VLSI

Ir Coeficiente de efecto corporal

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

Ir Carga de canal

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Ir Voltaje crítico

V x = E x \cdot E ch

Ir Coeficiente DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

¿Cómo evaluar Corriente de saturación de canal corto VLSI?

El evaluador de Corriente de saturación de canal corto VLSI usa Short Channel Saturation Current = Ancho de banda*Velocidad de deriva de electrones de saturación*Capacitancia de óxido por unidad de área*Voltaje de fuente de drenaje de saturación para evaluar Corriente de saturación de canal corto, La fórmula VLSI de corriente de saturación de canal corto se define como la corriente máxima que puede fluir a través de un transistor de canal corto cuando está en modo de saturación. Corriente de saturación de canal corto se indica mediante el símbolo I_D(sat).

¿Cómo evaluar Corriente de saturación de canal corto VLSI usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Corriente de saturación de canal corto VLSI, ingrese Ancho de banda (W_c), Velocidad de deriva de electrones de saturación (v_d(sat)), Capacitancia de óxido por unidad de área (C_oxide) & Voltaje de fuente de drenaje de saturación (V_Dsat) y presione el botón calcular.

FAQs en Corriente de saturación de canal corto VLSI

¿Cuál es la fórmula para encontrar Corriente de saturación de canal corto VLSI?

La fórmula de Corriente de saturación de canal corto VLSI se expresa como Short Channel Saturation Current = Ancho de banda*Velocidad de deriva de electrones de saturación*Capacitancia de óxido por unidad de área*Voltaje de fuente de drenaje de saturación. Aquí hay un ejemplo: 5.3E+8 = 2.5E-06*200000*0.000703*1.5.

¿Cómo calcular Corriente de saturación de canal corto VLSI?

Con Ancho de banda (W_c), Velocidad de deriva de electrones de saturación (v_d(sat)), Capacitancia de óxido por unidad de área (C_oxide) & Voltaje de fuente de drenaje de saturación (V_Dsat) podemos encontrar Corriente de saturación de canal corto VLSI usando la fórmula - Short Channel Saturation Current = Ancho de banda*Velocidad de deriva de electrones de saturación*Capacitancia de óxido por unidad de área*Voltaje de fuente de drenaje de saturación.

¿Puede el Corriente de saturación de canal corto VLSI ser negativo?

No, el Corriente de saturación de canal corto VLSI, medido en Corriente eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Corriente de saturación de canal corto VLSI?

Corriente de saturación de canal corto VLSI generalmente se mide usando Microamperio[µA] para Corriente eléctrica. Amperio[µA], Miliamperio[µA], centiamperio[µA] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Corriente de saturación de canal corto VLSI.

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Corriente de saturación de canal corto VLSI Fórmula

Ejemplo de Corriente de saturación de canal corto VLSI

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