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Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET Fórmula

IrDrenar corriente de MOSFET en operación de señal grande dado voltaje de sobremarcha Fórmula

IrCorriente de drenaje en la línea de carga Fórmula

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La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos. Marque FAQs

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

i_d - Corriente de drenaje?k'_p - Proceso de transconductancia en PMOS?WL - Relación de aspecto?V_gs - Voltaje puerta-fuente?V_th - Voltaje de umbral?

Ejemplo de Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET con Valores.

Así es como se ve la ecuación Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET con unidades.

Así es como se ve la ecuación Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET.

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot 0.1 \cdot {(4 - 2.3)}^{2}

0.0838mA = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot 0.1 \cdot {(4V - 2.3V)}^{2}

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot 0.1 \cdot {(4 - 2.3)}^{2}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET

Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET?

Primer paso Considere la fórmula

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

i d = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot 0.1 \cdot {(4V - 2.3V)}^{2}

Próximo paso Convertir unidades

∴

i d = \frac{1}{2} \cdot 0.0006S \cdot 0.1 \cdot {(4V - 2.3V)}^{2}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

i d = \frac{1}{2} \cdot 0.0006 \cdot 0.1 \cdot {(4 - 2.3)}^{2}

Próximo paso Evaluar

∴

i d = 8.381E-05A

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

i d = 0.08381mA

Último paso Respuesta de redondeo

∴

i d = 0.0838mA

Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET Fórmula Elementos

variables

Corriente de drenaje

Símbolo: i_d

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Proceso de transconductancia en PMOS

La transconductancia del proceso en PMOS se refiere a la ganancia de un transistor PMOS con respecto a su voltaje de fuente de puerta.

Símbolo: k'_p

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: mS

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Proceso de transconductancia en PMOS

Relación de aspecto

La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente

Símbolo: WL

Medición: NAUnidad: Unitless

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Relación de aspecto

Voltaje puerta-fuente

El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.

Símbolo: V_gs

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje puerta-fuente

Voltaje de umbral

El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.

Símbolo: V_th

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje de umbral

Otras fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Ir Drenar corriente de MOSFET en operación de señal grande dado voltaje de sobremarcha

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

Ir Corriente de drenaje en la línea de carga

i d = \frac{V dd - V ds}{R L}

Ir Corriente de drenaje instantánea con respecto al componente CC de Vgs

i d = K n \cdot ({(V c - V t)}^{2})

Ir Corriente de drenaje instantánea

i d = K n \cdot {(V gsq - V t + V c)}^{2}

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Ir Primera corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

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I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

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I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

¿Cómo evaluar Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET?

El evaluador de Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET usa Drain Current = 1/2*Proceso de transconductancia en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)^2 para evaluar Corriente de drenaje, La corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET es cuando el MOSFET se usa para diseñar un amplificador, se opera en la región de saturación. Entonces, en efecto, el MOSFET opera como una fuente de corriente controlada por voltaje. Corriente de drenaje se indica mediante el símbolo i_d.

¿Cómo evaluar Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET, ingrese Proceso de transconductancia en PMOS (k'_p), Relación de aspecto (WL), Voltaje puerta-fuente (V_gs) & Voltaje de umbral (V_th) y presione el botón calcular.

FAQs en Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET

¿Cuál es la fórmula para encontrar Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET?

La fórmula de Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET se expresa como Drain Current = 1/2*Proceso de transconductancia en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)^2. Aquí hay un ejemplo: 83.81 = 1/2*0.00058*0.1*(4-2.3)^2.

¿Cómo calcular Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET?

Con Proceso de transconductancia en PMOS (k'_p), Relación de aspecto (WL), Voltaje puerta-fuente (V_gs) & Voltaje de umbral (V_th) podemos encontrar Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET usando la fórmula - Drain Current = 1/2*Proceso de transconductancia en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)^2.

¿Cuáles son las otras formas de calcular Corriente de drenaje?

Estas son las diferentes formas de calcular Corriente de drenaje-

Drain Current=(DC Bias Current/Overdrive Voltage)*(Differential Input Signal/2)
Drain Current=(Supply Voltage-Drain Source Voltage)/Load Resistance
Drain Current=Transconductance Parameter*((Critical Voltage-Total Voltage)^2)

¿Puede el Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET ser negativo?

No, el Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET, medido en Corriente eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET?

Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET generalmente se mide usando Miliamperio[mA] para Corriente eléctrica. Amperio[mA], Microamperio[mA], centiamperio[mA] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET.

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