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Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Fórmula

IrCorriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS Fórmula

IrCorriente de drenaje general del transistor PMOS Fórmula

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La corriente de drenaje es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET). Marque FAQs

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

I_d - Corriente de drenaje?k'_p - Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS?WL - Relación de aspecto?V_ov - Voltaje efectivo?V_DS - Voltaje entre drenaje y fuente?

Ejemplo de Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd con Valores.

Así es como se ve la ecuación Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd con unidades.

Así es como se ve la ecuación Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd.

28.8635 = 2.1 \cdot 6 \cdot (mod \underset{̲}{u} s (2.16) - \frac{1}{2} \cdot 2.45) \cdot 2.45

28.8635mA = 2.1mS \cdot 6 \cdot (mod \underset{̲}{u} s (2.16V) - \frac{1}{2} \cdot 2.45V) \cdot 2.45V

28.8635 = 2.1 \cdot 6 \cdot (mod \underset{̲}{u} s (2.16) - \frac{1}{2} \cdot 2.45) \cdot 2.45

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

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Electrónica analógica » fx Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd?

Primer paso Considere la fórmula

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

I d = 2.1mS \cdot 6 \cdot (mod \underset{̲}{u} s (2.16V) - \frac{1}{2} \cdot 2.45V) \cdot 2.45V

Próximo paso Convertir unidades

∴

I d = 0.0021S \cdot 6 \cdot (mod \underset{̲}{u} s (2.16V) - \frac{1}{2} \cdot 2.45V) \cdot 2.45V

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

I d = 0.0021 \cdot 6 \cdot (mod \underset{̲}{u} s (2.16) - \frac{1}{2} \cdot 2.45) \cdot 2.45

Próximo paso Evaluar

∴

I d = 0.02886345A

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

I d = 28.86345mA

Último paso Respuesta de redondeo

∴

I d = 28.8635mA

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Fórmula Elementos

variables

Funciones

Corriente de drenaje

Símbolo: I_d

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS

El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.

Símbolo: k'_p

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: mS

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS

Relación de aspecto

La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente

Símbolo: WL

Medición: NAUnidad: Unitless

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Relación de aspecto

Voltaje efectivo

El voltaje efectivo es el voltaje de CC equivalente que produciría la misma cantidad de disipación de energía en una carga resistiva que el voltaje de CA que se mide.

Símbolo: V_ov

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Voltaje efectivo

Voltaje entre drenaje y fuente

El voltaje entre el drenaje y la fuente es un parámetro clave en el funcionamiento de un transistor de efecto de campo (FET) y, a menudo, se lo denomina "voltaje entre el drenaje y la fuente" o VDS.

Símbolo: V_DS

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Voltaje entre drenaje y fuente

modulus

El módulo de un número es el resto cuando ese número se divide por otro número.

Sintaxis: modulus

Otras fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Ir Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corriente de drenaje general del transistor PMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

Ir Corriente en el canal de inversión de PMOS

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

Ir Drenar la corriente de la fuente al drenaje

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal P

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Ir Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

k' p = μ p \cdot C ox

Ir Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

V y = μ p \cdot E y

¿Cómo evaluar Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd?

El evaluador de Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd usa Drain Current = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente para evaluar Corriente de drenaje, La corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd donde la fuente es el voltaje pequeño y el drenaje es el voltaje más grande (son intercambiables). En los transistores PMOS, los orificios son los portadores de carga y la corriente fluye debido a los orificios. Corriente de drenaje se indica mediante el símbolo I_d.

¿Cómo evaluar Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd, ingrese Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (k'_p), Relación de aspecto (WL), Voltaje efectivo (V_ov) & Voltaje entre drenaje y fuente (V_DS) y presione el botón calcular.

FAQs en Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

¿Cuál es la fórmula para encontrar Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd?

La fórmula de Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd se expresa como Drain Current = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente. Aquí hay un ejemplo: 28863.45 = 0.0021*6*(modulus(2.16)-1/2*2.45)*2.45.

¿Cómo calcular Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd?

Con Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (k'_p), Relación de aspecto (WL), Voltaje efectivo (V_ov) & Voltaje entre drenaje y fuente (V_DS) podemos encontrar Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd usando la fórmula - Drain Current = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente. Esta fórmula también utiliza funciones Módulo (módulo).

¿Cuáles son las otras formas de calcular Corriente de drenaje?

Estas son las diferentes formas de calcular Corriente de drenaje-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2*(1+Voltage between Drain and Source/modulus(Early Voltage))
Drain Current=(Width of Junction*Inversion Layer Charge*Drift Velocity of Inversion)

¿Puede el Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd ser negativo?

No, el Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd, medido en Corriente eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd?

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd generalmente se mide usando Miliamperio[mA] para Corriente eléctrica. Amperio[mA], Microamperio[mA], centiamperio[mA] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd.

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Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Fórmula

​IrCorriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS Fórmula

​IrCorriente de drenaje general del transistor PMOS Fórmula

Ejemplo de Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Solución

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Fórmula Elementos

Otras fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

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¿Cómo evaluar Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd?

FAQs en Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

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IrCorriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS Fórmula

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