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Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación Fórmula

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La corriente de drenaje se refiere a la corriente que fluye entre los terminales de fuente y drenaje del transistor cuando está en funcionamiento. Marque FAQs

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

I_d - Corriente de drenaje?β - Parámetro de transconductancia?V_gs - Voltaje de fuente de puerta?V_th - Voltaje umbral con polarización corporal cero?λ_i - Factor de modulación de longitud del canal?V_ds - Voltaje de la fuente de drenaje?

Ejemplo de Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación con Valores.

Así es como se ve la ecuación Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación con unidades.

Así es como se ve la ecuación Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación.

0.0137 = \frac{0.0025}{2} \cdot {(2.45 - 3.4)}^{2} \cdot (1 + 9 \cdot 1.24)

0.0137A = \frac{0.0025S}{2} \cdot {(2.45V - 3.4V)}^{2} \cdot (1 + 9 \cdot 1.24V)

0.0137 = \frac{0.0025}{2} \cdot {(2.45 - 3.4)}^{2} \cdot (1 + 9 \cdot 1.24)

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Circuitos integrados (CI) » fx Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación?

Primer paso Considere la fórmula

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

I d = \frac{0.0025S}{2} \cdot {(2.45V - 3.4V)}^{2} \cdot (1 + 9 \cdot 1.24V)

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

I d = \frac{0.0025}{2} \cdot {(2.45 - 3.4)}^{2} \cdot (1 + 9 \cdot 1.24)

Próximo paso Evaluar

∴

I d = 0.013718A

Último paso Respuesta de redondeo

∴

I d = 0.0137A

Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación Fórmula Elementos

variables

Corriente de drenaje

La corriente de drenaje se refiere a la corriente que fluye entre los terminales de fuente y drenaje del transistor cuando está en funcionamiento.

Símbolo: I_d

Medición: Corriente eléctricaUnidad: A

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Parámetro de transconductancia

El parámetro de transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada de un dispositivo.

Símbolo: β

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: S

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Parámetro de transconductancia

Voltaje de fuente de puerta

El voltaje de la fuente de la puerta se refiere a la diferencia de potencial entre el terminal de la puerta y el terminal de la fuente del dispositivo. Este voltaje juega un papel crucial en el control de la conductividad del MOSFET.

Símbolo: V_gs

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje de fuente de puerta

Voltaje umbral con polarización corporal cero

El voltaje umbral con polarización corporal cero se refiere al voltaje umbral cuando no se aplica ninguna polarización externa al sustrato semiconductor (terminal del cuerpo).

Símbolo: V_th

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje umbral con polarización corporal cero

Factor de modulación de longitud del canal

Factor de modulación de la longitud del canal donde la longitud efectiva del canal aumenta con un aumento en el voltaje drenaje-fuente.

Símbolo: λ_i

Medición: NAUnidad: Unitless

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Factor de modulación de longitud del canal

Voltaje de la fuente de drenaje

El voltaje de la fuente de drenaje es el voltaje entre el terminal de fuente y drenaje.

Símbolo: V_ds

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje de la fuente de drenaje

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados MOS

Ir Efecto corporal en MOSFET

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

Ir Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

Ir Resistencia del canal

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Ir Tiempo de propagación

T p = 0.7 \cdot N \cdot (\frac{N + 1}{2}) \cdot R m \cdot C l

¿Cómo evaluar Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación?

El evaluador de Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación usa Drain Current = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje) para evaluar Corriente de drenaje, La corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación se define como el fenómeno en el que la longitud efectiva del canal aumenta con un aumento en el voltaje de drenaje a fuente. Corriente de drenaje se indica mediante el símbolo I_d.

¿Cómo evaluar Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación, ingrese Parámetro de transconductancia (β), Voltaje de fuente de puerta (V_gs), Voltaje umbral con polarización corporal cero (V_th), Factor de modulación de longitud del canal (λ_i) & Voltaje de la fuente de drenaje (V_ds) y presione el botón calcular.

FAQs en Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

¿Cuál es la fórmula para encontrar Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación?

La fórmula de Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación se expresa como Drain Current = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje). Aquí hay un ejemplo: 0.013718 = 0.0025/2*(2.45-3.4)^2*(1+9*1.24).

¿Cómo calcular Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación?

Con Parámetro de transconductancia (β), Voltaje de fuente de puerta (V_gs), Voltaje umbral con polarización corporal cero (V_th), Factor de modulación de longitud del canal (λ_i) & Voltaje de la fuente de drenaje (V_ds) podemos encontrar Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación usando la fórmula - Drain Current = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje).

¿Puede el Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación ser negativo?

No, el Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación, medido en Corriente eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación?

Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación generalmente se mide usando Amperio[A] para Corriente eléctrica. Miliamperio[A], Microamperio[A], centiamperio[A] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación.

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Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación Fórmula

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