Contacto Diferencia potencial Fórmula

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El voltaje a través de la unión PN es el potencial incorporado a través de la unión pn de un semiconductor sin ninguna polarización externa. Marque FAQs
V0=[BoltZ]T[Charge-e]ln(NAND(n1i)2)
V0 - Voltaje a través de la unión PN?T - Temperatura absoluta?NA - Concentración de aceptor?ND - Concentración de donantes?n1i - Concentración de portador intrínseco?[BoltZ] - constante de Boltzmann?[Charge-e] - carga de electrones?

Ejemplo de Contacto Diferencia potencial

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Contacto Diferencia potencial con Valores.

Así es como se ve la ecuación Contacto Diferencia potencial con unidades.

Así es como se ve la ecuación Contacto Diferencia potencial.

0.6238Edit=1.4E-23393Edit1.6E-19ln(1E+22Edit1E+24Edit(1E+19Edit)2)
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Contacto Diferencia potencial Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Contacto Diferencia potencial?

Primer paso Considere la fórmula
V0=[BoltZ]T[Charge-e]ln(NAND(n1i)2)
Próximo paso Valores sustitutos de variables
V0=[BoltZ]393K[Charge-e]ln(1E+221/m³1E+241/m³(1E+191/m³)2)
Próximo paso Valores sustitutos de constantes
V0=1.4E-23J/K393K1.6E-19Cln(1E+221/m³1E+241/m³(1E+191/m³)2)
Próximo paso Prepárese para evaluar
V0=1.4E-233931.6E-19ln(1E+221E+24(1E+19)2)
Próximo paso Evaluar
V0=0.623836767969216V
Último paso Respuesta de redondeo
V0=0.6238V

Contacto Diferencia potencial Fórmula Elementos

variables
Constantes
Funciones
Voltaje a través de la unión PN
El voltaje a través de la unión PN es el potencial incorporado a través de la unión pn de un semiconductor sin ninguna polarización externa.
Símbolo: V0
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe estar entre 0.3 y 0.8.
Temperatura absoluta
La temperatura absoluta representa la temperatura del sistema.
Símbolo: T
Medición: La temperaturaUnidad: K
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Concentración de aceptor
La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
Símbolo: NA
Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/m³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Concentración de donantes
La concentración de donante se refiere a la concentración de átomos dopantes donantes introducidos en un material semiconductor para aumentar la cantidad de electrones libres.
Símbolo: ND
Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/m³
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Concentración de portador intrínseco
La concentración de portadores intrínsecos se refiere a la concentración de portadores de carga, tanto mayoritarios como minoritarios, de un semiconductor intrínseco en equilibrio térmico.
Símbolo: n1i
Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/m³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
constante de Boltzmann
La constante de Boltzmann relaciona la energía cinética promedio de las partículas en un gas con la temperatura del gas y es una constante fundamental en mecánica estadística y termodinámica.
Símbolo: [BoltZ]
Valor: 1.38064852E-23 J/K
carga de electrones
La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.
Símbolo: [Charge-e]
Valor: 1.60217662E-19 C
ln
El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural.
Sintaxis: ln(Number)

Otras fórmulas en la categoría Dispositivos fotónicos

​Ir Potencia óptica radiada
Popt=εopto[Stefan-BoltZ]AsTo4
​Ir Cambio de fase neto
ΔΦ=πλo(nri)3rVcc
​Ir Longitud de la cavidad
Lc=λm2
​Ir Número de modo
m=2Lcnriλ

¿Cómo evaluar Contacto Diferencia potencial?

El evaluador de Contacto Diferencia potencial usa Voltage Across PN Junction = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración de portador intrínseco)^2) para evaluar Voltaje a través de la unión PN, La fórmula de diferencia de potencial de contacto se define como el voltaje que existe a través de una unión pn insesgada. El potencial de contacto se establece a través de la región de carga espacial, que también se conoce como región de transición o agotamiento. También se le llama potencial de difusión o potencial de unión incorporado. Voltaje a través de la unión PN se indica mediante el símbolo V0.

¿Cómo evaluar Contacto Diferencia potencial usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Contacto Diferencia potencial, ingrese Temperatura absoluta (T), Concentración de aceptor (NA), Concentración de donantes (ND) & Concentración de portador intrínseco (n1i) y presione el botón calcular.

FAQs en Contacto Diferencia potencial

¿Cuál es la fórmula para encontrar Contacto Diferencia potencial?
La fórmula de Contacto Diferencia potencial se expresa como Voltage Across PN Junction = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración de portador intrínseco)^2). Aquí hay un ejemplo: 0.623837 = ([BoltZ]*393)/[Charge-e]*ln((1E+22*1E+24)/(1E+19)^2).
¿Cómo calcular Contacto Diferencia potencial?
Con Temperatura absoluta (T), Concentración de aceptor (NA), Concentración de donantes (ND) & Concentración de portador intrínseco (n1i) podemos encontrar Contacto Diferencia potencial usando la fórmula - Voltage Across PN Junction = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración de portador intrínseco)^2). Esta fórmula también utiliza funciones constante de Boltzmann, carga de electrones constante(s) y Logaritmo natural (ln).
¿Puede el Contacto Diferencia potencial ser negativo?
Sí, el Contacto Diferencia potencial, medido en Potencial eléctrico poder sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Contacto Diferencia potencial?
Contacto Diferencia potencial generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Contacto Diferencia potencial.
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