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La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro. Marque FAQs
σ=q(μnne+μpp)
σ - Conductividad óhmica?q - Cargar?μn - Movilidad del silicio con dopaje electrónico?ne - Concentración de electrones?μp - Movilidad de silicio con dopaje de orificios?p - Concentración de agujeros?

Ejemplo de Conductividad óhmica de la impureza

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Conductividad óhmica de la impureza con Valores.

Así es como se ve la ecuación Conductividad óhmica de la impureza con unidades.

Así es como se ve la ecuación Conductividad óhmica de la impureza.

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HomeIcon Hogar » Category Ingenieria » Category Electrónica » Category Circuitos integrados (CI) » fx Conductividad óhmica de la impureza

Conductividad óhmica de la impureza Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Conductividad óhmica de la impureza?

Primer paso Considere la fórmula
σ=q(μnne+μpp)
Próximo paso Valores sustitutos de variables
σ=5mC(0.38cm²/V*s50.61/cm³+2.4cm²/V*s0.691/cm³)
Próximo paso Convertir unidades
σ=0.005C(3.8E-5m²/V*s5.1E+71/m³+0.0002m²/V*s6900001/m³)
Próximo paso Prepárese para evaluar
σ=0.005(3.8E-55.1E+7+0.0002690000)
Próximo paso Evaluar
σ=10.442S/m
Próximo paso Convertir a unidad de salida
σ=0.10442mho/cm
Último paso Respuesta de redondeo
σ=0.1044mho/cm

Conductividad óhmica de la impureza Fórmula Elementos

variables
Conductividad óhmica
La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro.
Símbolo: σ
Medición: Conductividad eléctricaUnidad: mho/cm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Cargar
Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Símbolo: q
Medición: Carga eléctricaUnidad: mC
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Movilidad del silicio con dopaje electrónico
La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.
Símbolo: μn
Medición: MovilidadUnidad: cm²/V*s
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Concentración de electrones
La concentración de electrones está influenciada por varios factores, como la temperatura, las impurezas o dopantes agregados al material semiconductor y los campos eléctricos o magnéticos externos.
Símbolo: ne
Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Movilidad de silicio con dopaje de orificios
La movilidad del silicio con dopaje de huecos es la capacidad de un hueco de viajar a través de un metal o semiconductor en presencia de un campo eléctrico aplicado.
Símbolo: μp
Medición: MovilidadUnidad: cm²/V*s
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Concentración de agujeros
La concentración de huecos implica una mayor cantidad de portadores de carga disponibles en el material, lo que afecta su conductividad y varios dispositivos semiconductores.
Símbolo: p
Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Otras fórmulas para encontrar Conductividad óhmica

​Ir Conductividad de tipo N
σ=q(μnNd+μp(ni2Nd))
​Ir Conductividad del tipo P
σ=q(μn(ni2Na)+μpNa)

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados bipolares

​Ir Impureza con concentración intrínseca
ni=nepto
​Ir Voltaje de ruptura del emisor colector
Vce=Vcb(ig)1n
​Ir Resistencia de la capa difusa
R=(1σ)(LWt)
​Ir Resistencia laminar de la capa
Rs=1qμnNdt

¿Cómo evaluar Conductividad óhmica de la impureza?

El evaluador de Conductividad óhmica de la impureza usa Ohmic Conductivity = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros) para evaluar Conductividad óhmica, La conductividad óhmica de la impureza se refiere específicamente a una relación lineal entre la corriente que pasa a través de un material y el voltaje aplicado. En el contexto de los átomos de impurezas en un semiconductor, el comportamiento de la conductividad está determinado principalmente por la concentración de dopantes, los portadores de carga introducidos y su movilidad dentro de la red cristalina. Conductividad óhmica se indica mediante el símbolo σ.

¿Cómo evaluar Conductividad óhmica de la impureza usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Conductividad óhmica de la impureza, ingrese Cargar (q), Movilidad del silicio con dopaje electrónico n), Concentración de electrones (ne), Movilidad de silicio con dopaje de orificios p) & Concentración de agujeros (p) y presione el botón calcular.

FAQs en Conductividad óhmica de la impureza

¿Cuál es la fórmula para encontrar Conductividad óhmica de la impureza?
La fórmula de Conductividad óhmica de la impureza se expresa como Ohmic Conductivity = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros). Aquí hay un ejemplo: 0.00086 = 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000).
¿Cómo calcular Conductividad óhmica de la impureza?
Con Cargar (q), Movilidad del silicio con dopaje electrónico n), Concentración de electrones (ne), Movilidad de silicio con dopaje de orificios p) & Concentración de agujeros (p) podemos encontrar Conductividad óhmica de la impureza usando la fórmula - Ohmic Conductivity = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros).
¿Cuáles son las otras formas de calcular Conductividad óhmica?
Estas son las diferentes formas de calcular Conductividad óhmica-
  • Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of N-Type+Hole Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of N-Type))OpenImg
  • Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of P-Type)+Hole Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of P-Type)OpenImg
¿Puede el Conductividad óhmica de la impureza ser negativo?
No, el Conductividad óhmica de la impureza, medido en Conductividad eléctrica no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Conductividad óhmica de la impureza?
Conductividad óhmica de la impureza generalmente se mide usando Mho/Centímetro[mho/cm] para Conductividad eléctrica. Siemens/Metro[mho/cm], Mho/Metro[mho/cm], Abmho/Metro[mho/cm] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Conductividad óhmica de la impureza.
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