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Conductividad del tipo P Fórmula

IrConductividad óhmica de la impureza Fórmula

IrConductividad de tipo N Fórmula

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La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro. Marque FAQs

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

σ - Conductividad óhmica?q - Cargar?μ_n - Movilidad del silicio con dopaje electrónico?n_i - Concentración intrínseca?N_a - Concentración de equilibrio del tipo P?μ_p - Movilidad de silicio con dopaje de orificios?

Ejemplo de Conductividad del tipo P

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Conductividad del tipo P con Valores.

Así es como se ve la ecuación Conductividad del tipo P con unidades.

Así es como se ve la ecuación Conductividad del tipo P.

0.0857 = 5 \cdot (0.38 \cdot (\frac{{1.32}^{2}}{7.1}) + 2.4 \cdot 7.1)

0.0857mho/cm = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot (\frac{{1.321/cm³}^{2}}{7.11/cm³}) + 2.4cm²/V*s \cdot 7.11/cm³)

0.0857 = 5 \cdot (0.38 \cdot (\frac{{1.32}^{2}}{7.1}) + 2.4 \cdot 7.1)

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Circuitos integrados (CI) » fx Conductividad del tipo P

Conductividad del tipo P Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Conductividad del tipo P?

Primer paso Considere la fórmula

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

σ = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot (\frac{{1.321/cm³}^{2}}{7.11/cm³}) + 2.4cm²/V*s \cdot 7.11/cm³)

Próximo paso Convertir unidades

∴

σ = 0.005C \cdot (3.8E-5m²/V*s \cdot (\frac{{1.3E+61/m³}^{2}}{7.1E+61/m³}) + 0.0002m²/V*s \cdot 7.1E+61/m³)

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

σ = 0.005 \cdot (3.8E-5 \cdot (\frac{{1.3E+6}^{2}}{7.1E+6}) + 0.0002 \cdot 7.1E+6)

Próximo paso Evaluar

∴

σ = 8.5666276056338S/m

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

σ = 0.085666276056338mho/cm

Último paso Respuesta de redondeo

∴

σ = 0.0857mho/cm

Conductividad del tipo P Fórmula Elementos

variables

Conductividad óhmica

La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro.

Símbolo: σ

Medición: Conductividad eléctricaUnidad: mho/cm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Conductividad óhmica

Cargar

Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.

Símbolo: q

Medición: Carga eléctricaUnidad: mC

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Cargar

Movilidad del silicio con dopaje electrónico

La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.

Símbolo: μ_n

Medición: MovilidadUnidad: cm²/V*s

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Movilidad del silicio con dopaje electrónico

Concentración intrínseca

La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.

Símbolo: n_i

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración intrínseca

Concentración de equilibrio del tipo P

Concentración de equilibrio de los electrones de tipo P son los portadores minoritarios y los huecos son los portadores mayoritarios.

Símbolo: N_a

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración de equilibrio del tipo P

Movilidad de silicio con dopaje de orificios

La movilidad del silicio con dopaje de huecos es la capacidad de un hueco de viajar a través de un metal o semiconductor en presencia de un campo eléctrico aplicado.

Símbolo: μ_p

Medición: MovilidadUnidad: cm²/V*s

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Movilidad de silicio con dopaje de orificios

Otras fórmulas para encontrar Conductividad óhmica

Ir Conductividad óhmica de la impureza

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Ir Conductividad de tipo N

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados bipolares

Ir Impureza con concentración intrínseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

Ir Voltaje de ruptura del emisor colector

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

Ir Resistencia de la capa difusa

R = (\frac{1}{σ}) \cdot (\frac{L}{W \cdot t})

Ir Resistencia laminar de la capa

R s = \frac{1}{q \cdot μ n \cdot N d \cdot t}

¿Cómo evaluar Conductividad del tipo P?

El evaluador de Conductividad del tipo P usa Ohmic Conductivity = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio del tipo P)+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de equilibrio del tipo P) para evaluar Conductividad óhmica, La fórmula de Conductividad del tipo P se debe a la presencia de agujeros. En un semiconductor tipo P, el nivel de Fermi se encuentra entre el nivel de energía del aceptor y la banda de valencia. Conductividad óhmica se indica mediante el símbolo σ.

¿Cómo evaluar Conductividad del tipo P usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Conductividad del tipo P, ingrese Cargar (q), Movilidad del silicio con dopaje electrónico (μ_n), Concentración intrínseca (n_i), Concentración de equilibrio del tipo P (N_a) & Movilidad de silicio con dopaje de orificios (μ_p) y presione el botón calcular.

FAQs en Conductividad del tipo P

¿Cuál es la fórmula para encontrar Conductividad del tipo P?

La fórmula de Conductividad del tipo P se expresa como Ohmic Conductivity = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio del tipo P)+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de equilibrio del tipo P). Aquí hay un ejemplo: 0.000857 = 0.005*(3.8E-05*(1320000^2/7100000)+0.00024*7100000).

¿Cómo calcular Conductividad del tipo P?

Con Cargar (q), Movilidad del silicio con dopaje electrónico (μ_n), Concentración intrínseca (n_i), Concentración de equilibrio del tipo P (N_a) & Movilidad de silicio con dopaje de orificios (μ_p) podemos encontrar Conductividad del tipo P usando la fórmula - Ohmic Conductivity = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio del tipo P)+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de equilibrio del tipo P).

¿Cuáles son las otras formas de calcular Conductividad óhmica?

Estas son las diferentes formas de calcular Conductividad óhmica-

Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Electron Concentration+Hole Doping Silicon Mobility*Hole Concentration)
Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of N-Type+Hole Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of N-Type))

¿Puede el Conductividad del tipo P ser negativo?

No, el Conductividad del tipo P, medido en Conductividad eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Conductividad del tipo P?

Conductividad del tipo P generalmente se mide usando Mho/Centímetro[mho/cm] para Conductividad eléctrica. Siemens/Metro[mho/cm], Mho/Metro[mho/cm], Abmho/Metro[mho/cm] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Conductividad del tipo P.

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Otras fórmulas para encontrar Conductividad óhmica

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¿Cómo evaluar Conductividad del tipo P?

FAQs en Conductividad del tipo P

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