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Conductividad de tipo N Fórmula

IrConductividad óhmica de la impureza Fórmula

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La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro. Marque FAQs

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

σ - Conductividad óhmica?q - Cargar?μ_n - Movilidad del silicio con dopaje electrónico?N_d - Concentración de equilibrio de tipo N?μ_p - Movilidad de silicio con dopaje de orificios?n_i - Concentración intrínseca?

Ejemplo de Conductividad de tipo N

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Conductividad de tipo N con Valores.

Así es como se ve la ecuación Conductividad de tipo N con unidades.

Así es como se ve la ecuación Conductividad de tipo N.

0.086 = 5 \cdot (0.38 \cdot 45 + 2.4 \cdot (\frac{{1.32}^{2}}{45}))

0.086mho/cm = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 451/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot (\frac{{1.321/cm³}^{2}}{451/cm³}))

0.086 = 5 \cdot (0.38 \cdot 45 + 2.4 \cdot (\frac{{1.32}^{2}}{45}))

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

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Circuitos integrados (CI) » fx Conductividad de tipo N

Conductividad de tipo N Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Conductividad de tipo N?

Primer paso Considere la fórmula

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

σ = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 451/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot (\frac{{1.321/cm³}^{2}}{451/cm³}))

Próximo paso Convertir unidades

∴

σ = 0.005C \cdot (3.8E-5m²/V*s \cdot 4.5E+71/m³ + 0.0002m²/V*s \cdot (\frac{{1.3E+61/m³}^{2}}{4.5E+71/m³}))

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

σ = 0.005 \cdot (3.8E-5 \cdot 4.5E+7 + 0.0002 \cdot (\frac{{1.3E+6}^{2}}{4.5E+7}))

Próximo paso Evaluar

∴

σ = 8.596464S/m

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

σ = 0.08596464mho/cm

Último paso Respuesta de redondeo

∴

σ = 0.086mho/cm

Conductividad de tipo N Fórmula Elementos

variables

Conductividad óhmica

La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro.

Símbolo: σ

Medición: Conductividad eléctricaUnidad: mho/cm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Conductividad óhmica

Cargar

Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.

Símbolo: q

Medición: Carga eléctricaUnidad: mC

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Cargar

Movilidad del silicio con dopaje electrónico

La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.

Símbolo: μ_n

Medición: MovilidadUnidad: cm²/V*s

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Movilidad del silicio con dopaje electrónico

Concentración de equilibrio de tipo N

La concentración de equilibrio del tipo N es igual a la densidad de los átomos donantes porque los electrones para la conducción los proporciona únicamente el átomo donante.

Símbolo: N_d

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración de equilibrio de tipo N

Movilidad de silicio con dopaje de orificios

La movilidad del silicio con dopaje de huecos es la capacidad de un hueco de viajar a través de un metal o semiconductor en presencia de un campo eléctrico aplicado.

Símbolo: μ_p

Medición: MovilidadUnidad: cm²/V*s

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Movilidad de silicio con dopaje de orificios

Concentración intrínseca

La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.

Símbolo: n_i

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración intrínseca

Otras fórmulas para encontrar Conductividad óhmica

Ir Conductividad óhmica de la impureza

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Ir Conductividad del tipo P

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados bipolares

Ir Impureza con concentración intrínseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

Ir Voltaje de ruptura del emisor colector

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

Ir Resistencia de la capa difusa

R = (\frac{1}{σ}) \cdot (\frac{L}{W \cdot t})

Ir Resistencia laminar de la capa

R s = \frac{1}{q \cdot μ n \cdot N d \cdot t}

¿Cómo evaluar Conductividad de tipo N?

El evaluador de Conductividad de tipo N usa Ohmic Conductivity = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N)) para evaluar Conductividad óhmica, La fórmula de Conductividad de tipo N se define como un semiconductor intrínseco o extrínseco, y está determinado por su capacidad para conducir corriente eléctrica. Los semiconductores de tipo N están dopados con impurezas que introducen electrones adicionales en la red cristalina del semiconductor. Conductividad óhmica se indica mediante el símbolo σ.

¿Cómo evaluar Conductividad de tipo N usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Conductividad de tipo N, ingrese Cargar (q), Movilidad del silicio con dopaje electrónico (μ_n), Concentración de equilibrio de tipo N (N_d), Movilidad de silicio con dopaje de orificios (μ_p) & Concentración intrínseca (n_i) y presione el botón calcular.

FAQs en Conductividad de tipo N

¿Cuál es la fórmula para encontrar Conductividad de tipo N?

La fórmula de Conductividad de tipo N se expresa como Ohmic Conductivity = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N)). Aquí hay un ejemplo: 0.00086 = 0.005*(3.8E-05*45000000+0.00024*(1320000^2/45000000)).

¿Cómo calcular Conductividad de tipo N?

Con Cargar (q), Movilidad del silicio con dopaje electrónico (μ_n), Concentración de equilibrio de tipo N (N_d), Movilidad de silicio con dopaje de orificios (μ_p) & Concentración intrínseca (n_i) podemos encontrar Conductividad de tipo N usando la fórmula - Ohmic Conductivity = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N)).

¿Cuáles son las otras formas de calcular Conductividad óhmica?

Estas son las diferentes formas de calcular Conductividad óhmica-

Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Electron Concentration+Hole Doping Silicon Mobility*Hole Concentration)
Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of P-Type)+Hole Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of P-Type)

¿Puede el Conductividad de tipo N ser negativo?

No, el Conductividad de tipo N, medido en Conductividad eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Conductividad de tipo N?

Conductividad de tipo N generalmente se mide usando Mho/Centímetro[mho/cm] para Conductividad eléctrica. Siemens/Metro[mho/cm], Mho/Metro[mho/cm], Abmho/Metro[mho/cm] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Conductividad de tipo N.

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Conductividad de tipo N Fórmula Elementos

Otras fórmulas para encontrar Conductividad óhmica

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¿Cómo evaluar Conductividad de tipo N?

FAQs en Conductividad de tipo N

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